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Ce∶YIG磁光薄膜电子结构的计算
被引量：
2
1
作者
胡华安
王坚红
+1 位作者
段志云
何华辉
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期488-490,共3页
采用DV -Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce -YIG磁光薄膜的电子结构 ,在能态密度的基础上 ,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁。对Ce3 +的掺入 ,极大地增大了跃迁的振子强度 ;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋 -轨道相互作用的耦合轨...
采用DV -Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce -YIG磁光薄膜的电子结构 ,在能态密度的基础上 ,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁。对Ce3 +的掺入 ,极大地增大了跃迁的振子强度 ;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋 -轨道相互作用的耦合轨道 ;Ce3 +的掺入产生了新的跃迁 ;它们是Ce
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关键词
DV-Xa方法
YIG磁光薄膜
磁光效应
全文增补中
题名
Ce∶YIG磁光薄膜电子结构的计算
被引量：
2
1
作者
胡华安
王坚红
段志云
何华辉
机构
军事经济学院
华中理工大学
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期488-490,共3页
基金
国家自然科学基金!资助项目 ( 570 2 0 0 6)
文摘
采用DV -Xα方法计算了YIG、Bi-YIG及Ce -YIG磁光薄膜的电子结构 ,在能态密度的基础上 ,得出了导致磁光效应的两种电荷转移跃迁。对Ce3 +的掺入 ,极大地增大了跃迁的振子强度 ;Ce5d、Ce4f与Fe3d形成具有较大自旋 -轨道相互作用的耦合轨道 ;Ce3 +的掺入产生了新的跃迁 ;它们是Ce
关键词
DV-Xa方法
YIG磁光薄膜
磁光效应
Keywords
DV -Xαmethod
yigmagneto -opticthinfilm
magneto -opticeffect
分类号
TM277.3 [一般工业技术—材料科学与工程]
全文增补中
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ce∶YIG磁光薄膜电子结构的计算
胡华安
王坚红
段志云
何华辉
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
全文增补中
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