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题名磁控溅射偏压对Cr薄膜密度以及表面形貌的影响
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作者
孙钢杰
伊福廷
王焕华
贾全杰
张天冲
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机构
中国科学院高能物理研究所多学科中心
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出处
《电镀与精饰》
CAS
北大核心
2016年第7期1-3,8,共4页
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文摘
利用磁控溅射技术,在不同偏压条件下在Si(001)基底上沉积了金属Cr薄膜样品。用同步辐射装置对样品进行了X-射线反射率测试,采用X-射线反射率分析法研究了不同偏压下Cr薄膜密度的变化。发现当偏压小于300 V时,偏压对所沉积的薄膜起到紧致的效果,偏压为300 V时薄膜密度最大;当偏压大于300 V时,薄膜密度减小。另外,为了探究偏压对薄膜表面形貌的影响,用扫描电子显微镜对各样品进行了表面分析,发现在偏压较小时薄膜表面较为平整;随着偏压增大,表面呈现界面分明的岛状分布。
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关键词
x-射线反射率分析
铬薄膜
密度
表面形貌
磁控溅射
偏压
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Keywords
x-ray reflection analysis
chromium thin film
density
surface morphology
magnetron sputte-ring
bias voltage
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分类号
O434.19
[机械工程—光学工程]
TB31
[一般工业技术—材料科学与工程]
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