X波段固态功率放大器稳定性分析设计 被引量：7

1

作者 梁晓芳 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2007年第12期98-100,共3页

X波段固态功率放大器相对于较低频段的固态功率放大器,其稳定性问题更加突出。腔体效应是导致稳定性问题的重要因素,通过对腔体效应的理论分析,文中提出了工程应用中解决因腔体效应导致的稳定性问题的可行方法,成功地解决了X波段固态功... X波段固态功率放大器相对于较低频段的固态功率放大器,其稳定性问题更加突出。腔体效应是导致稳定性问题的重要因素,通过对腔体效应的理论分析,文中提出了工程应用中解决因腔体效应导致的稳定性问题的可行方法,成功地解决了X波段固态功率放大器设计过程中遇到的腔体效应问题。 展开更多

关键词 x波段固态功率放大器 稳定性 腔体效应

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X波段固态功率放大器的研制 被引量：2

2

作者 杨军利 张艳妮 +1 位作者 马俊合 党治国 《电子科技》 2011年第9期48-50,共3页

介绍一种新型X波段固态功率合成放大器,其为脉冲工作方式,采用4个30 W末级功率放大模块,通过混合方式进行功率合成,得到80 W以上的峰值输出功率。最大脉冲宽度200μs,最大占空比40%。实测结果表明,无论是输出功率、体积尺寸大小,还是散... 介绍一种新型X波段固态功率合成放大器,其为脉冲工作方式,采用4个30 W末级功率放大模块,通过混合方式进行功率合成,得到80 W以上的峰值输出功率。最大脉冲宽度200μs,最大占空比40%。实测结果表明,无论是输出功率、体积尺寸大小,还是散热、可靠性等方面都有较大的提升。 展开更多

关键词 x波段 固态器件 功率分配/合成 热设计

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一种X波段固态功率放大器 被引量：2

3

作者 李跃锋 陈福媛 《火控雷达技术》 2000年第2期28-31,共4页

介绍一种 Ｘ波段固态功率放大器的设计方案，并给出研制结果。

关键词 固态功率放大器 x波段 脉冲

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X波段宽带高效率连续类功率放大器芯片设计

4

作者 刘涵潇 喻忠军 +1 位作者 范景鑫 张德生 《电子技术应用》 2025年第3期39-43,共5页

为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益... 为提高功率放大器的带宽和效率,基于0.25μm GaAs pHEMT ED工艺,通过控制输出级二次谐波阻抗进行波形控制,实现连续B/J类波形,设计了一款单片集成的X波段高效率连续B/J类功率放大器。放大器由两级构成,驱动级使用增强型晶体管实现高增益,输出级使用耗尽型晶体管实现高效率与瓦级的输出功率。仿真结果显示,该功率放大器在7.3~12.2 GHz的频带内实现了29~30.6 dBm的输出功率,功率增益为17~18.6 dB,功率附加效率大于50%,峰值效率为59%,输入回波损耗小于10 dB,芯片尺寸仅为2.1 mm×1.3 mm。 展开更多

关键词 功率放大器 高效率 x波段 连续类 单片微波集成电路

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基于功率合成技术的0.17 THz瓦级固态放大器设计

5

作者 赵博 成海峰 +3 位作者 胡尊月 朱翔 杜佳谕 龚冰 《固体电子学研究与进展》 2025年第2期29-33,共5页

针对当前太赫兹频段对于大功率固态放大器的工程应用需求,在0.17 THz开展了基于功率合成技术的瓦级固态功率放大器的研究。基于3 dB波导桥结构和太赫兹GaN功放芯片,设计并制作了一种工作在0.17 THz的两芯片封装功率模块,实现了410 mW的... 针对当前太赫兹频段对于大功率固态放大器的工程应用需求,在0.17 THz开展了基于功率合成技术的瓦级固态功率放大器的研究。基于3 dB波导桥结构和太赫兹GaN功放芯片,设计并制作了一种工作在0.17 THz的两芯片封装功率模块,实现了410 mW的典型功率输出。以E面T型结为基础,实现了G波段4路波导功率合成器,工作频率覆盖165~175 GHz,无源合成效率为76%。通过将4个封装功率模块进行合成,最终在165~175 GHz的频率范围内获得了0.82 W以上的输出功率,典型输出功率在175 GHz处达到了1.3 W,有源合成效率为72%。 展开更多

关键词 G波段 功率合成技术 E面T型结 固态功率放大器 太赫兹

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一种X波段150W紧凑型功率放大器MMIC

6

作者 杨卅男 李通 蔡道民 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第7期642-647,共6页

基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功... 基于0.35μm GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺平台设计了一款功率放大器单片微波集成电路(MMIC),采用双场板将HEMT的击穿电压提升至200 V;借助热电联合设计,优化HEMT的栅栅间距和末级HEMT布局,器件热阻降至0.55℃/W;输出匹配融合了功率分配/合成、阻抗变换和谐波调谐等功能,并通过多电容串联提高了击穿电压,增强了电路的鲁棒性;优化了版图布局,末级HEMT采用两两共地,并利用片上电感以缩短栅极偏置线,减小了芯片面积。最终,实现了饱和输出功率大于150 W、功率附加效率大于40%、功率增益大于22 dB的X波段功率放大器MMIC,其尺寸为3.8 mm×5.3 mm。该功率放大器MMIC可广泛应用于通信领域。 展开更多

关键词 紧凑型 x波段 功率放大器 功率附加效率 热阻 单片微波集成电路(MMIC)

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W波段100W GaN固态功率放大器 被引量：2

7

作者 成海峰 朱翔 +3 位作者 徐建华 张君直 周明 王维波 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第2期F0003-F0003,共1页

南京电子器件研究所研制出了W波段100 W固态功率放大器(SSPA)。该固态功率放大器以自主研制的W波段2W GaN功率MMIC为基础,结合低损耗W波段芯片封装技术和高效合成技术,实现了64路高效功率合成,总合成效率达到75%以上。

关键词 固态功率放大器 功率合成 W波段 GAN 合成效率 MMIC 高效合成 低损耗

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高效率X波段GaN MMIC功率放大器的研制 被引量：2

8

作者 崔玉兴 王民娟 +3 位作者 付兴昌 马杰 倪涛 蔡树军 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第7期513-516,共4页

突破了GaN MMIC功率放大器的设计、制造、测试等关键技术,研制成功X波段GaN MMIC功率放大器。设计及优化了电路拓扑结构及电路参数,放大器芯片采用了国产外延材料及标准芯片制作工艺。单片功率放大器包含两级放大电路,采用了功率分配及... 突破了GaN MMIC功率放大器的设计、制造、测试等关键技术,研制成功X波段GaN MMIC功率放大器。设计及优化了电路拓扑结构及电路参数,放大器芯片采用了国产外延材料及标准芯片制作工艺。单片功率放大器包含两级放大电路,采用了功率分配及合成匹配电路,输入输出阻抗均为50Ω。制作了微波测试载体及夹具,最终实现了X波段GaN MMIC功率放大器微波参数测试。在8.7～10.9 GHz频率范围内,该功率放大器输出功率大于16 W,功率增益大于14 dB,增益波动小于0.4 dB,输入驻波比小于2∶1,功率附加效率大于40%,带内效率最高达52%。 展开更多

关键词 功率放大器 器件模型 氮化镓 x波段 单片微波集成电路

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X波段高功率高增益多注相对论速调管放大器设计 被引量：1

9

作者 刘振帮 黄华 +2 位作者 金晓 李士锋 王腾钫 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第10期25-31,共7页

针对器件工程应用中的高功率高增益需求,设计了工作在X波段的高功率高增益多注相对论速调管放大器,建立了带输入、输出波导结构的三维整管模型。设计双边对称耦合孔输入腔结构,降低了输入波导对输入腔间隙电场均匀性的影响以抑制非均匀... 针对器件工程应用中的高功率高增益需求,设计了工作在X波段的高功率高增益多注相对论速调管放大器,建立了带输入、输出波导结构的三维整管模型。设计双边对称耦合孔输入腔结构,降低了输入波导对输入腔间隙电场均匀性的影响以抑制非均匀干扰模式;设计采用多腔多间隙群聚结构,降低了输入微波功率的需求,提高了器件放大增益;并且分析设计了多间隙扩展互作用微波提取结构,提高了器件的功率转换效率以及降低输出结构表面电场强度。通过优化设计,粒子模拟仿真实现X波段多注相对论速调管放大器输出微波功率达到3.2 GW,器件放大增益约为60 dB,功率转换效率约为40%。器件验证实验在电子束电压550 kV,电流5.1 kA的情况下,输出功率为0.99 GW,放大增益约为53 dB,转换效率约为35%。 展开更多

关键词 相对论速调管放大器 x波段 高功率 高增益

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X波段12W GaAs功率放大器MMIC 被引量：1

10

作者 冯威 倪帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第5期341-346,383,共7页

基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器（HPA）。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了能够在连续波条件下工作的功率器件,并提取了器件的EEHEM... 基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管（PHEMT）工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器（HPA）。根据Ga As材料的导热特性和热分布特点,设计了能够在连续波条件下工作的功率器件,并提取了器件的EEHEMT可定标模型参数。HPA原理图设计采用低损耗高效率母线拓扑结构,并基于最优效率原则优化了HPA各级阻抗匹配参数。对HPA容易出现的几种稳定性问题进行了分析,并在设计过程中采取了相应的防范措施。采用电磁场仿真技术优化设计的HPA芯片尺寸为3.5 mm×4.0 mm。在栅源电压为-0.7 V,漏源电压为8 V,工作频率为9～10 GHz的条件下,连续波输出功率达到12 W以上,功率附加效率大于45%,在9.6 GHz时功率附加效率达到50%。 展开更多

关键词 微波单片集成电路(MMIC) x波段 功率放大器(PA) 高效率 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)

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X波段GaAs MMIC功率放大器的研制 被引量：2

11

作者 易卿武 于洪喜 《空间电子技术》 2001年第4期47-51,共5页

介绍了X波段GaAs MMIC功率放大器的设计、制作、芯片封装及电路性能的测试。

关键词 MMIC功率放大器 x波段 设计 制作 封装 测试 星载电子设备

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X波段0.7W单片集成功率放大器

12

作者 张斌 谢芬芳 +1 位作者 吕振中 龚邦瑞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期185-185,共1页

南京电子器件研究所在微波单片集成电路研制方面获得了新的进展。1991年研制成的两级功率放大器测试结果表明,最大增益11 dB,1 dB带宽600MHz,7GHz频率下P_(-1)>550mW,Pa_(sat)为770mW,与设计值基本吻合。

关键词 放大器 功率 集成电路 单片 x波段

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X波段高功率脉冲放大器设计 被引量：2

13

作者 黄昭宇 冉东 《电子科技》 2017年第12期25-27,共3页

为满足现代通信和雷达系统对发射功率的要求,文中设计了一种X波段高功率二路合成放大器。为了解决因单个功率器件功率低导致系统输出功率低的问题,选取大功率、高效率Ga N器件,通过采取微带功率合成的方法,将两个功率器件进行合成,达到... 为满足现代通信和雷达系统对发射功率的要求,文中设计了一种X波段高功率二路合成放大器。为了解决因单个功率器件功率低导致系统输出功率低的问题,选取大功率、高效率Ga N器件,通过采取微带功率合成的方法,将两个功率器件进行合成,达到了输出高功率的目的,研制出了X波段高功率放大器。实测放大器的工作频率9.0~9.54GHz,脉冲输出功率450 W,整机合成效率25%,驻波1.2。 展开更多

关键词 x波段 高功率放大器 功率合成 微带

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X波段高功率宽带放大器设计 被引量：2

14

作者 李涛 《电子科技》 2017年第7期136-138,共3页

为满足电子设备连续波、小型化、高功率的要求,文中研制了一种X波段宽带功率放大器。针对高频段的单个功率器件输出功率小、效率低的问题,选取效率高的Ga N器件作为功率器件,采用功率合成方法,用微带合成器将4个功率单片进行合成,达到... 为满足电子设备连续波、小型化、高功率的要求,文中研制了一种X波段宽带功率放大器。针对高频段的单个功率器件输出功率小、效率低的问题,选取效率高的Ga N器件作为功率器件,采用功率合成方法,用微带合成器将4个功率单片进行合成,达到输出高功率的目的。最终研制出的功率放大器的工作频率为8~12 GHz,输出功率56 W,中心频点效率32%,驻波1.4。 展开更多

关键词 x波段 宽带功率放大器 微带 合成

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X波段宽带功率放大器 被引量：1

15

作者 杨文钊 李振国 《半导体情报》 1998年第3期37-38,共2页

介绍了８～１２ＧＨｚ宽带功率放大器的设计、制作。放大器的主要技术指标：工作频率８～１２ＧＨｚ，增益≥２３ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率≥２７ｄＢｍ，输入输出驻波比≤２∶１。

关键词 x波段 宽带 功率放大器 设计 制作

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Ku波段固态功率放大器

16

作者 蔡昱 徐建华 成海峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期F0003-F0003,共1页

关键词 固态功率放大器 KU波段 微波发射机 固态发射 脉冲宽度 预热时间 工作电压 脉冲调制

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X波段10W功率合成放大器的设计与实现 被引量：2

17

作者 薄淑华 刘瑜现 任程 《无线电工程》 2019年第2期174-178,共5页

单个功放芯片输出功率的能力非常有限,通过研究平面功率合成网络的基本原理和设计方法,提出了一种基于平面功率合成技术的4路功率合成网络。测试结果表明,输出端口幅度一致性较好,输出端口的相位差小于4°,驻波小于1.5,两端口隔离... 单个功放芯片输出功率的能力非常有限,通过研究平面功率合成网络的基本原理和设计方法,提出了一种基于平面功率合成技术的4路功率合成网络。测试结果表明,输出端口幅度一致性较好,输出端口的相位差小于4°,驻波小于1.5,两端口隔离度大于15 d B。设计并实现了工作在X波段、输出功率为10 W的功率合成放大器,并通过实际测试得到放大器的输出功率大于10 W,合成效率大于82%,与设计预期相符。 展开更多

关键词 平面功率合成 放大器 x波段

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X波段连续波150W内匹配功率放大器

18

作者 曹欢欢 高长征 崔玉发 《通讯世界》 2021年第2期231-232,共2页

本文介绍了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺实现的X波段连续波高功率载片式功率放大器。该模块采用GaN HEMT管芯内匹配合成技术,电路包含有四个12 mm栅宽的GaN HEMT管芯和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。模块采用尺寸为20 mm&#... 本文介绍了一款基于0.25μm GaN HEMT工艺实现的X波段连续波高功率载片式功率放大器。该模块采用GaN HEMT管芯内匹配合成技术,电路包含有四个12 mm栅宽的GaN HEMT管芯和制作在Al2O3陶瓷基片上的输入输出匹配电路。模块采用尺寸为20 mm×15 mm×1.5 mm的无氧铜载片实现。测试表明,模块在8.5 GHz~9.5 GHz频段内,28 V工作电压,连续波工作条件下,功率输出大于150 W、功率增益大于9 dB、功率附加效率大于42%,有效实现了连续波功率放大器的高功率、高效率、小型化和低成本。 展开更多

关键词 GAN x波段 连续波 高功率 高效率 内匹配功率放大器

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X波段氮化镓高效率功率放大器MMIC

19

作者 李文龙 陶洪琪 余旭明 《通信电源技术》 2022年第9期13-15,共3页

基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片。使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出... 基于0.25μm栅长的GaN高电子迁移率晶体管(High Electron Mobility Transistor,HEMT)工艺,采用三级放大拓扑电路结构,研制出了一款X波段宽带GaN高效率功率放大器芯片。使用LoadPull测试方法得到了GaN HEMT管芯的最佳输出效率和最佳输出功率匹配的阻抗位置。输出匹配和级间匹配结构均使用损耗较低的电抗结构,以提高功率效率。测试结果表明,该放大器在8~12 GHz频段内,小信号增益>30dB,脉冲饱和输出功率达到22 W,全频段附加效率>51%,9.5 GHz最高效率达到57%。 展开更多

关键词 GAN x波段 功率放大器 高效率

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C波段固态功率放大器的分析与讨论

20

作者 张炳辰 《科技创新与应用》 2013年第7期110-110,共1页

C波段固态功率放大器的优点有:长寿命、低工作电压、故障软化等等。基于此,越来越多的真空管被固态管取代。因为C波段全固态发射机的发展一直受到单管功率不足和居高不下的成本影响,所以相对于其他波段的固态功率放大器而言技术并不成... C波段固态功率放大器的优点有:长寿命、低工作电压、故障软化等等。基于此,越来越多的真空管被固态管取代。因为C波段全固态发射机的发展一直受到单管功率不足和居高不下的成本影响,所以相对于其他波段的固态功率放大器而言技术并不成熟。文章研究的C波段全固态放大器是全固态发射机的基础。文章将匹配电路用阻抗法的设计思想进行讨论。然后,将阐述C波段固态放大器的设计和实验方法。电视广播技术所应用到的偏置电路和脉冲调制电源以及控制保护电路等等是文章阐述和说明的内容,通过介绍上述电路,简单的了解和分析C波段固态功率放大器的基本特征与性质。 展开更多

关键词 C波段 固态功率放大器 控制保护电路

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