碲镉汞小晶片中缺陷的X射线形貌相检测 被引量：3

1

作者 蔡毅 郑国珍 汤定元 《红外技术》 CSCD 1993年第6期5-8,共4页

用X射线劳厄透射形貌术拍摄了用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片的形貌相,观察到在碲镉汞小晶片中存在的各种晶体缺陷,如晶格扭曲、亚晶块、滑移线和其它缺陷。结合晶片扭曲和滑移的模型,分析了小晶片的受力状况。实验表明,在普通的... 用X射线劳厄透射形貌术拍摄了用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片的形貌相,观察到在碲镉汞小晶片中存在的各种晶体缺陷,如晶格扭曲、亚晶块、滑移线和其它缺陷。结合晶片扭曲和滑移的模型,分析了小晶片的受力状况。实验表明,在普通的X射线光源上,用劳厄透射形貌术能以20μm的分辨率无损检测用于制备多元线列探测器的碲镉汞小晶片中的晶体缺陷;在不良的器件工艺中,小晶片的晶格会受到明显的损伤,严重地影响了小晶片的电学参数和多元线列探测器的性能。 展开更多

关键词 碲镉汞小晶片 晶体缺陷 x射线形貌相

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快速生长的TGS晶体缺陷的X射线形貌术研究 被引量：2

2

作者 王庆武 董胜明 +1 位作者 房昌水 卓洪昇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第3期268-271,共4页

本文用 X 射线形貌术研究了生长速度不同的 TGS 晶体的缺陷,得到了与浸蚀法一致的结果;比较发现,快速生长的 TGS 晶体中缺陷密度较高;并对缺陷的性质和形成原因进行了讨论。文章还指出了快速生长的晶体与正常晶体性能间的差别主要是由... 本文用 X 射线形貌术研究了生长速度不同的 TGS 晶体的缺陷,得到了与浸蚀法一致的结果;比较发现,快速生长的 TGS 晶体中缺陷密度较高;并对缺陷的性质和形成原因进行了讨论。文章还指出了快速生长的晶体与正常晶体性能间的差别主要是由于晶体中缺陷密度的不同引起的。 展开更多

关键词 TGS晶体 晶体缺陷 x射线形貌术

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同步辐射X射线形貌术在晶体生长和缺陷研究中的应用 被引量：8

3

作者 蒋建华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期180-187,共8页

本文介绍了同步辐射光源的特点 ,以及在应用于X射线形貌术时带来的各种好处。并通过介绍在北京同步辐射装置上所做的若干实验成果 ,扼要叙述了同步辐射X射线形貌术在晶体缺陷研究和晶体生长中的应用。

关键词 同步辐射 x射线形貌术 晶体缺陷 晶体生长

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HgCdTe晶体缺陷的快速X射线形貌检测法 被引量：2

4

作者 蔡毅 何永成 孙建坤 《红外技术》 CSCD 1993年第3期19-22,共4页

本文讨论了HgCdTe晶体缺陷的两种快速X射线形貌检测方法:使用X射线像眼的反射形貌法和反射Laue形貌法。在Laue形貌相机上用X射线像眼,经数分钟的曝光时间可拍摄分辨率约50μm的HgCdTe样品的反射扫描形貌相,而用特制的Laue相机可用20min... 本文讨论了HgCdTe晶体缺陷的两种快速X射线形貌检测方法:使用X射线像眼的反射形貌法和反射Laue形貌法。在Laue形貌相机上用X射线像眼,经数分钟的曝光时间可拍摄分辨率约50μm的HgCdTe样品的反射扫描形貌相,而用特制的Laue相机可用20min的曝光时间拍得分辨率约60μm的反射形貌相。 展开更多

关键词 晶体缺陷 x射线形貌法 锑汞铬晶体

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同步辐射X射线形貌术在晶体生长和缺陷研究中的应用 被引量：1

5

作者 蒋建华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期180-187,共1页

X射线形貌术是利用X射线在晶体中传播及衍射的动力学原理 ,根据晶体中完美部分和不完美部分衍射衬度的变化和消光规律 ,研究晶体微观结构缺陷的一种有效方法 ,与其他方法相比 ,它的优点是可直观地对较大块的晶体及其器件作非破坏性的整... X射线形貌术是利用X射线在晶体中传播及衍射的动力学原理 ,根据晶体中完美部分和不完美部分衍射衬度的变化和消光规律 ,研究晶体微观结构缺陷的一种有效方法 ,与其他方法相比 ,它的优点是可直观地对较大块的晶体及其器件作非破坏性的整体内部观察。它的缺点是曝光的时间长 ,分辨率没有电镜高。同步辐射光源的使用不仅克服了常规X射线形貌术曝光时间长的缺点 ,也可提高形貌像的分辨率 ,尤其重要的是它为研究材料的结构相变和晶体生长中缺陷的形成、迁移及再结晶等动态变化过程提供了可能 ,从而为X射线形貌术这一古老技术注入了新的活力。北京正负电子对撞机提供的同步辐射已实现电子能量 2 .2GeV、电子束流 1 0 0mA ,这时的同步辐射功率为 2 1kW ,光源中心亮度为 1 0 13 ～ 1 0 14 phs/(s·mm2 ·mrad2 ·0 .1 %BW ) (光子能量 =5 .9keV处 ) ,比常规转靶X光机的特征谱高度高出 1 0 0 0倍以上 ,可以利用的光子能量为 1 0eV～2 5keV。在北京同步辐射装置 (BSRF)上已建立了 1 1个从真空紫外到硬X射线波段的实验站 ,X射线形貌学实验站就是其中一个。同步辐射的强连续谱提供了拍摄白光形貌相的条件 ,可快速拍摄众多衍射矢量 ,一次拍摄定出Burger’s矢量 ,并可进行动态形貌的实时观察和再结晶过程的研究。白光? 展开更多

关键词 同步辐射 x射线形貌 晶体生长 缺陷

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辽宁天然金刚石晶体缺陷的X射线形貌研究

6

作者 郭起志 孙继光 《矿物学报》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期356-359,共4页

本文利用透射X射线衍射形貌术研究辽宁天然金刚石晶体缺陷的问题。实验结果表明,金刚石晶体中存在有位错、亚结构及包裹体等缺陷。

关键词 金刚石 晶体 缺陷 x射线形貌术

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碲锌镉晶体的X射线衍射形貌与腐蚀形貌 被引量：3

7

作者 孙士文 隋淞印 +4 位作者 何力 魏彦锋 周昌鹤 虞慧娴 徐超 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第3期291-296,共6页

碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷,其缺陷研究一直倍受关注,X射线衍射形貌术是一种非破坏性地研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法.采用反射式X射线衍射形貌术对碲锌镉衬底的质量进行了研究,并将衬底的X射线衍射形貌与Everson... 碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷,其缺陷研究一直倍受关注,X射线衍射形貌术是一种非破坏性地研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法.采用反射式X射线衍射形貌术对碲锌镉衬底的质量进行了研究,并将衬底的X射线衍射形貌与Everson腐蚀形貌进行了对比分析,碲锌镉衬底的X射线衍射形貌主要有六种特征类型,分别对应不同的晶体结构或缺陷,包括均匀结构、镶嵌结构、孪晶、小角晶界、夹杂、表面划伤,对上述特征类型进行了详细的分析.目前,衬底的X射线衍射形貌主要以均匀结构类型为主,划伤和镶嵌结构缺陷基本已消除,存在的晶体缺陷主要以小角晶界为主.通过对比分析碲锌镉衬底和液相外延碲镉汞薄膜的X射线衍射形貌,发现小角晶界等晶体结构缺陷会延伸到外延层上,碲锌镉衬底质量会直接影响碲镉汞外延层的质量,晶体结构完整的衬底是制备高质量碲镉汞外延材料的基础. 展开更多

关键词 x射线衍射形貌术 x光貌相 腐蚀形貌 碲锌镉 晶体缺陷

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碲锌镉小角晶界的反射式X射线衍射形貌 被引量：4

8

作者 孙士文 隋淞印 +3 位作者 何力 周昌鹤 虞慧娴 徐超 《红外技术》 CSCD 北大核心 2014年第7期588-591,共4页

碲锌镉晶体中存在着各种晶体缺陷,其中小角晶界是制约碲锌镉晶体质量的主要晶体缺陷之一。X射线衍射形貌术是一种非破坏性地全面研究小角晶界缺陷的有效方法。采用反射式X射线衍射形貌术对碲锌镉衬底的小角晶界缺陷进行了研究,讨论了小... 碲锌镉晶体中存在着各种晶体缺陷,其中小角晶界是制约碲锌镉晶体质量的主要晶体缺陷之一。X射线衍射形貌术是一种非破坏性地全面研究小角晶界缺陷的有效方法。采用反射式X射线衍射形貌术对碲锌镉衬底的小角晶界缺陷进行了研究,讨论了小角晶界类型、样品扫描方向以及入射线发散度等对小角晶界缺陷的X射线衍射形貌的影响。为全面获得小角晶界缺陷的衍射形貌,应尽量选择宽的入射线狭缝,对于对称倾侧晶界和扭转晶界,应分别平行和垂直于小角晶界方向扫描。 展开更多

关键词 x射线衍射形貌术 x光貌相 碲锌镉 晶体缺陷 小角晶界

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X射线衍射形貌术在碲锌镉晶体中的应用 被引量：3

9

作者 孙士文 隋淞印 +3 位作者 何力 周昌鹤 虞慧娴 徐超 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2014年第11期1216-1219,共4页

碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷,X射线衍射形貌术是一种非破坏性地整体研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法。本文将反射式X射线衍射形貌术应用于碲锌镉晶体质量的评价,研究了入射线狭缝宽度、积分时间、扫描步长等测试参数... 碲锌镉晶体中存在着各种典型晶体缺陷,X射线衍射形貌术是一种非破坏性地整体研究晶体材料结构完整性、均匀性的有效方法。本文将反射式X射线衍射形貌术应用于碲锌镉晶体质量的评价,研究了入射线狭缝宽度、积分时间、扫描步长等测试参数以及样品表面加工状态对X射线衍射形貌的影响。结果表明入射线狭缝宽度对碲锌镉晶体的X射线衍射成像及晶体质量筛选应用影响很大,积分时间、样品扫描步长等测试参数的选择与入射线狭缝宽度密切相关。 展开更多

关键词 x射线衍射形貌术 x光貌相 碲锌镉 晶体缺陷

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导模法生长氧化镓晶体中的位错缺陷及其分布特点

10

作者 杨文娟 卜予哲 +1 位作者 赛青林 齐红基 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期414-419,共6页

β-Ga_(2)O_(3)作为新一代超宽带隙半导体材料,因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_(2)O_(3)的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响,... β-Ga_(2)O_(3)作为新一代超宽带隙半导体材料,因优异的物理性能和在器件中的高性能而受到越来越多的关注。β-Ga_(2)O_(3)的制备可采用浮区法、导模(EFG)法等多种熔融晶体生长方法。缺陷通常会对半导体器件的性能产生严重的负面影响,所以β-Ga_(2)O_(3)晶体的缺陷检测技术显得尤为重要。过去通常采用刻蚀的方法进行位错的检测和密度计算,但这种方法是破坏性的,只适用于实验样品的研究分析。本文突破传统缺陷分析方法的局限,引入X射线形貌分析术(XRT)并结合酸性腐蚀法,对导模法生长β-Ga_(2)O_(3)的(001)、(010)、(100)面分别进行了深入研究,揭示了位错在三维空间的分布特征,明确指出,在导模法晶体中,沿着b轴[010]方向的位错占主导地位,为理解β-Ga_(2)O_(3)位错的结构和特征提供了宝贵的信息,进而为之后外延和器件晶面的选择指明了新的方向。 展开更多

关键词 氧化镓 宽禁带半导体 位错 x射线形貌分析术 导模法 腐蚀法

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非线性光学晶体CBO的缺陷形貌分析 被引量：1

11

作者 徐子颉 吴以成 +3 位作者 傅佩珍 王俊新 蒋建华 田玉莲 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期379-382,共4页

以碳酸铯和硼酸为原料采用泡生法生长出三硼酸铯 (化学式CsB3 O5,简称CBO)晶体 ,首次报道了利用同步辐射白光X射线形貌术对CBO晶体的 (0 0 1)面、(0 10 )面和 (10 0 )面进行了观察。观察结果表明 ,CBO晶体的主要缺陷是生长层。缺陷形成... 以碳酸铯和硼酸为原料采用泡生法生长出三硼酸铯 (化学式CsB3 O5,简称CBO)晶体 ,首次报道了利用同步辐射白光X射线形貌术对CBO晶体的 (0 0 1)面、(0 10 )面和 (10 0 )面进行了观察。观察结果表明 ,CBO晶体的主要缺陷是生长层。缺陷形成的原因是晶体生长炉内热流的非稳态对流和温度振荡导致晶体的微观生长率随时间变化 。 展开更多

关键词 CsB3O5晶体 同步辐射白光x射线形貌术 缺陷 非线性光学晶体 CBO晶体 三硼酸铯

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变温循环热处理对液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe薄膜材料晶体质量的影响

12

作者 孔金丞 李艳辉 +2 位作者 赵俊 唐利斌 姬荣斌 《红外技术》 CSCD 北大核心 2007年第3期140-142,146,共4页

采用X射线衍射双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)、反射式X射线形貌相和腐蚀坑密度(EPD)技术对开管变温热处理前后的液相外延(LPE)Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量进行了研究。变温循环热处理能有效减小液相外延Hg1-xCdxTe薄膜材料的FWHM、释放材料... 采用X射线衍射双晶回摆曲线半峰宽(FWHM)、反射式X射线形貌相和腐蚀坑密度(EPD)技术对开管变温热处理前后的液相外延(LPE)Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量进行了研究。变温循环热处理能有效减小液相外延Hg1-xCdxTe薄膜材料的FWHM、释放材料中的应力、减少材料的腐蚀坑密度,说明变温循环热处理是一种简单而有效的改善Hg1-xCdxTe薄膜材料晶体质量的方法。 展开更多

关键词 开管变温循环热处理 HG1-xCDxTE FWHM 反射式x射线形貌相 EPD

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YVO_4晶体缺陷分析 被引量：4

13

作者 邹宇琦 李新军 +3 位作者 徐军 干福熹 田玉莲 黄万霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期14-17,共4页

运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4 的结构和缺陷行为 ,也观测了YVO4 晶体 (0 0 1)、(10 0 )面的缺陷。发现在 (0 0 1)面出现应力生长区、沿 [10 0 ]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构。运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑 ,证明晶体为四... 运用同步辐射白光X射线形貌术分析了YVO4 的结构和缺陷行为 ,也观测了YVO4 晶体 (0 0 1)、(10 0 )面的缺陷。发现在 (0 0 1)面出现应力生长区、沿 [10 0 ]方向的位错线以及晶体中镶嵌结构。运用白光形貌术拍摄到的劳埃斑 ,证明晶体为四方晶系。确定了小角晶界是引起多晶的主要原因。 展开更多

关键词 YVO4晶体 晶体缺陷 同步辐射白光x射线形貌术 电子探针仪 钒酸钇晶体

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γ-LiAlO_2晶体的生长缺陷研究 被引量：3

14

作者 杨卫桥 干福熹 +3 位作者 邓佩珍 徐军 李杼智 蒋成勇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期565-568,共4页

γ LiAlO2 晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料 ,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2 晶体的缺陷。结果表明 ,提拉法生长的γ LiAlO2 晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其 (10 0 )晶片上的... γ LiAlO2 晶体是一种非常有前途的GaN衬底材料 ,本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了LiAlO2 晶体的缺陷。结果表明 ,提拉法生长的γ LiAlO2 晶体中的缺陷主要为位错、包裹物和亚晶界。并发现在其 (10 0 )晶片上的腐蚀形貌两面有较大差异。 展开更多

关键词 位错 同步辐射x射线形貌术 GaN衬底 γ-LiAlO2晶体 生长缺陷 研究

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Nd:LuVO_4晶体缺陷的研究 被引量：2

15

作者 马丽丽 胡小波 +4 位作者 张怀金 王继扬 赵守仁 田玉莲 朱佩平 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第2期238-241,共4页

采用提拉法生长的Nd:LuVO4 晶体是一种适合二极管泵浦的新型激光晶体,运用化学腐蚀结合光学显微术和同步辐射白光X射线形貌术对Nd:LuVO4 晶体缺陷进行观察,结果表明:晶体的主要缺陷为位错和小角晶界。利用高分辨X射线衍射仪进一步验证... 采用提拉法生长的Nd:LuVO4 晶体是一种适合二极管泵浦的新型激光晶体,运用化学腐蚀结合光学显微术和同步辐射白光X射线形貌术对Nd:LuVO4 晶体缺陷进行观察,结果表明:晶体的主要缺陷为位错和小角晶界。利用高分辨X射线衍射仪进一步验证了这一结果。并初步讨论了缺陷形成的原因。 展开更多

关键词 Nd:LuVO4晶体 缺陷分析 同步辐射白光x射线形貌术 小角晶界 激光性质 化学腐蚀法

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高温相偏硼酸钡(α-BaB_2O_4)晶体的缺陷行为分析 被引量：1

16

作者 李新军 邹宇琦 +4 位作者 陈杏达 徐军 杨秋红 田玉莲 黄万霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期114-116,共3页

运用同步辐射X射线白光形貌研究了α BaB2 O4 晶体内部的完整性 ,并分析了α BaB2 O4 晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在 (0 0 1)面发现生长扇界和亚晶界 ,而在 (10 0 )面和 (12 0 )面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体。使用双... 运用同步辐射X射线白光形貌研究了α BaB2 O4 晶体内部的完整性 ,并分析了α BaB2 O4 晶体的缺陷行为及缺陷形成原因。在 (0 0 1)面发现生长扇界和亚晶界 ,而在 (10 0 )面和 (12 0 )面分别观察到了位错、位错簇以及针状包裹体。使用双晶衍射实验发现在 (0 0 1)面有生长条纹 ,这些生长条纹呈环形 ,该条纹与熔体中温度波动而导致的生长速率波动有关。运用白光形貌拍摄到高清晰的劳埃斑 。 展开更多

关键词 高温相 偏硼酸钡 α-BaB2O4晶体 同步辐射白光x射线形貌术 双晶衍射 缺陷

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BBO单晶远近核心区完整性的比较观测

17

作者 黄依森 梁桂金 赵庆兰 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第S1期245-,共1页

X射线形貌观测用于比较的两个 ( 0 0 0 1 )样品S(z) (靠近中心部位 )和S(b) (靠近边沿部位 ) ,各经过粗磨、细磨、机械粗抛光和化学抛光 ,获得厚度适宜无表面机械损伤的形貌样品。根据BBO晶体的过去研究积累 (J.Appl.,1 995 ,2 8:2 6 7... X射线形貌观测用于比较的两个 ( 0 0 0 1 )样品S(z) (靠近中心部位 )和S(b) (靠近边沿部位 ) ,各经过粗磨、细磨、机械粗抛光和化学抛光 ,获得厚度适宜无表面机械损伤的形貌样品。根据BBO晶体的过去研究积累 (J.Appl.,1 995 ,2 8:2 6 7) ,拟同时选用 ( 30 30 ) [( 30 30 ) ]、( 2 2 43)[( 2 2 43) ]和 ( 2 42 3)反射 ,分别观察是否存在呈三角锥衬度的包裹物、位错 (位错环 )和电畴 (界 )等。利用银靶共收集 1 0个形貌图 (其中 4个为两个立体对 )。在S(z)和S(b)样品中均没有观察到电畴 (界 )和大体平行于C面的位错。但都存在以下分布形态的“黑点状”应力场 ;不少黑点中心呈“白色” ;多数点状应力场分布较均匀 :少数沿a轴呈层状分布 ,这些层状分布的应力场形态在S(b)中更清晰 ,呈典型的包裹物衬度。其他的推测为大体上沿c轴分布的缀饰小丝状物。比较观测结果认定 ,它们的主要光散射源是那些应力场。化学腐蚀法观测的初步结果表明 ,S(z)在 ( 1 0 1 0 )晶面露头的位错密度为 380 0 /cm2 ;S(b)在( 1 0 1 0 )晶面上露头的位错密度为 2 5 0 /cm2 。比较观测结果表明 ,靠近较远离长晶中心的位错密度高出一个数量级左右。 展开更多

关键词 x射线形貌 位错 化学腐蚀法 BBO晶体

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非线性光学晶体BaAlBO3F2的生长与缺陷研究 被引量：2

18

作者 王佳诺 岳银超 +3 位作者 李小矛 张建秀 胡章贵 黄万霞 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期291-295,共5页

采用B2O3-LiF-NaF助熔剂体系、中部籽晶法生长出BaAlBO3F2(BABF)晶体,对该晶体的弱吸收性能进行了表征。利用同步辐射白光X射线形貌术和化学腐蚀法研究了BABF晶体的缺陷,观察到BABF晶体中的主要缺陷是生长条纹和位错,并根据形貌和结构... 采用B2O3-LiF-NaF助熔剂体系、中部籽晶法生长出BaAlBO3F2(BABF)晶体,对该晶体的弱吸收性能进行了表征。利用同步辐射白光X射线形貌术和化学腐蚀法研究了BABF晶体的缺陷,观察到BABF晶体中的主要缺陷是生长条纹和位错,并根据形貌和结构特点对生长条纹产生的原因进行了分析讨论,提出了一些减少缺陷和提高晶体质量的措施和方法。 展开更多

关键词 BaAlBO3F2晶体 弱吸收 同步辐射白光x射线形貌术 化学腐蚀法 缺陷

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