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Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析
被引量：
1
1
作者
范隆
郝跃
+1 位作者
严荣良
陆妩
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期302-305,共4页
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/S...
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析.
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关键词
Si3N4/SiO2复合栅介质
电离辐照
x光激发电子能谱
氢离子刻蚀
Si过渡态
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职称材料
电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用
被引量：
2
2
作者
刘昶时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期16-19,共4页
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置...
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。
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关键词
x光激发电子能谱
氮化硅
二氧化硅-硅
氮化硅态的硅
剂量
偏置
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职称材料
电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si中SiO_2禁带的影响
3
作者
刘昶时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期23-26,57,共5页
根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si...
根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。
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关键词
能带弯曲
禁带
x光激发电子能谱
二氧化硅
辐照
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职称材料
题名
Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析
被引量：
1
1
作者
范隆
郝跃
严荣良
陆妩
机构
西安电子科技大学微电子所
中国科学院新疆物理研究所
出处
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期302-305,共4页
基金
国家部委预研基金资助项目(98J11 2 12 ZK0801)
文摘
采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析.
关键词
Si3N4/SiO2复合栅介质
电离辐照
x光激发电子能谱
氢离子刻蚀
Si过渡态
Keywords
Electric properties
Electron irradiation
MOS devices
Silicon nitride
x
ray photoelectron spectroscopy
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用
被引量：
2
2
作者
刘昶时
机构
绍兴文理学院物理系
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期16-19,共4页
基金
国家自然科学基金(No.60276025)项目
绍兴文理学院科学基金资助
文摘
采用氩离子刻蚀XPS(X光激发电子能谱)分析对S i3N4/S iO2/S i双界面系统进行了电离辐照剖面分析。实验结果表明:电离辐照能将S iO2和S i构成的界面区中心向S i3N4/S iO2界面方向推移,同时S iO2/S i界面区亦被电离辐照展宽。在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加电离辐照相当程度地减少位于S iO2/S i界面区S i3N4态(结合能B.E.101.8 eV)S i的浓度。同时辐照中所施偏置电场对S iO2/S i界面区S i3N4态键断开有显著作用。文中就实验现象的机制进行了初步探讨。
关键词
x光激发电子能谱
氮化硅
二氧化硅-硅
氮化硅态的硅
剂量
偏置
Keywords
x
PS
Si3N,
SiO2-S1
Si in the Si3N4 state
dosage
bias field
分类号
O483 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si中SiO_2禁带的影响
3
作者
刘昶时
机构
嘉兴学院机电学院物理教学部
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第1期23-26,57,共5页
文摘
根据X光激发电子能谱(XPS)中元素各个态的位置与价带顶、导带底的位置关系,提出了对一个已有唯像模型的修正,由这个修正模型能够利用XPS数据考察异质结的禁带在经历某些过程后是否有变化。将这个方法应用于经历60Co辐照的Si3N4/SiO2/Si,结果表明:从SiO2到Si存在SiO2禁带的弯曲,而辐照将SiO2禁带变薄;同时,SiO2禁带的变化明显依赖于辐照条件。就实验现象的机制进行了探讨。
关键词
能带弯曲
禁带
x光激发电子能谱
二氧化硅
辐照
Keywords
band bending
energy gap
x
PS
SiO2
radiation
分类号
O483 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析
范隆
郝跃
严荣良
陆妩
《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si双界面系统的作用
刘昶时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2006
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
电离辐射对Si_3N_4/SiO_2/Si中SiO_2禁带的影响
刘昶时
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
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职称材料
已选择
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