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基于W-GAN的储罐底板超声导波缺陷数据增强技术
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作者 桑瀚 朱健 +4 位作者 胡庆龙 包瑞新 关凯及 张军 杨昊晔 《压力容器》 北大核心 2025年第4期82-88,共7页
针对储罐底板超声导波检测数据集获取困难,数据质量难以保障等问题,提出一种基于W-GAN的超声导波数据增强方法,并使用ResNet验证其数据增强的性能。以损伤板材的导波检测数据为样本,包含无缺陷、针孔缺陷、裂纹缺陷和腐蚀缺陷4种类别。... 针对储罐底板超声导波检测数据集获取困难,数据质量难以保障等问题,提出一种基于W-GAN的超声导波数据增强方法,并使用ResNet验证其数据增强的性能。以损伤板材的导波检测数据为样本,包含无缺陷、针孔缺陷、裂纹缺陷和腐蚀缺陷4种类别。通过W-GAN对数据集进行增强,最终得到2048条扩展数据,并对增强数据进行PSNR和Wilcoxon秩和检验。结果表明,由W-GAN生成的增强数据与原始数据具有较高的特征相似性和较强同分布性,原始数据和增强数据的分类准确率分别为96%,93%。测试结果表明,增强数据能够有效保留原始数据的损伤特征,在分类器中展现与原始数据相当的可识别性能。本研究可为储罐底板超声导波检测提供一种高效的数据增强手段。 展开更多
关键词 储罐底板 超声导波 数据增强 w-gan ResNet
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星载固态功率放大器:迈向极高频 被引量:5
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作者 杨飞 赵恒飞 +6 位作者 刘江涛 刘瑞竹 刘媛萍 胡凤娇 孙树风 于洪喜 周颖 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期25-32,共8页
聚焦于星载固态功率放大器的高频化,设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效率、低插损多路功率合成技术,实现了整机高功率输出;铜金刚石... 聚焦于星载固态功率放大器的高频化,设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效率、低插损多路功率合成技术,实现了整机高功率输出;铜金刚石和热管的应用和工艺攻关,克服了多热源、高热流的工程瓶颈。Q频段和W频段固放首次在轨应用,以及V频段固放在地面发射机中的应用。考虑到严苛的空间考核条件以及器件为满足在轨长寿命的降额要求,产品均性能优良稳定。文中的Q频段和W频段固放是我国首次开发并在轨搭载验证的星载连续波固态功率放大器,为我国后续极高频段高通量卫星的载荷实现提供了有力技术支撑。 展开更多
关键词 Q频段 V频段 W频段 氮化镓 固态功率放大器 星载
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W波段三路合成GaN功率放大器MMIC 被引量:4
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作者 刘如青 张力江 +1 位作者 魏碧华 何健 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第7期521-525,564,共6页
基于GaN HEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC。利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实现该功率放大器MMIC。该芯片的制作采用了0.1μm T型栅GaN HEMT技术,衬底为50μm厚的SiC。芯片为三级级... 基于GaN HEMT工艺,研制了一款W波段功率放大器MMIC。利用Lange耦合器将3个饱和输出功率大于1 W的单元电路进行三路片上功率合成来实现该功率放大器MMIC。该芯片的制作采用了0.1μm T型栅GaN HEMT技术,衬底为50μm厚的SiC。芯片为三级级联拓扑结构,采用高低阻抗传输线、介质电容等进行匹配和偏置电路设计,实现低损耗输出,芯片尺寸为3.37 mm×3.53 mm×0.05 mm。测试结果表明,在漏源工作电压15 V、88~92 GHz频率范围内,该MMIC的线性增益大于15 dB,饱和输出功率大于3 W。该MMIC具有功率大、输入输出回波损耗小及应用范围广的优势。 展开更多
关键词 W波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 功率放大器 耦合器 单片微波集成电路(MMIC)
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SiN钝化对W波段AlGaN/GaN HEMT射频性能的影响 被引量:1
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作者 李保第 吕元杰 +1 位作者 崔玉兴 付兴昌 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期431-435,454,共6页
在SiC衬底上制备了栅长为110 nm、漏源间距为2μm的W波段AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT),分析了SiN钝化对器件直流和射频特性的影响。研究发现:100 nm SiN钝化可显著提升器件的漏源饱和电流及峰值跨导,漏源饱和电流从1.27 A/m... 在SiC衬底上制备了栅长为110 nm、漏源间距为2μm的W波段AlGaN/GaN高电子迁移率场效应晶体管(HEMT),分析了SiN钝化对器件直流和射频特性的影响。研究发现:100 nm SiN钝化可显著提升器件的漏源饱和电流及峰值跨导,漏源饱和电流从1.27 A/mm增加至1.45 A/mm(Vgs=1 V),器件峰值跨导从300 m S/mm提升至370 m S/mm,这是由于Si N钝化显著提高了AlGaN/GaN异质结材料沟道电子浓度。此外,SiN钝化可有效抑制器件电流崩塌,显著改善器件直流回扫特性。然而,由于沟道电子浓度增大,钝化后器件中短沟效应增强,器件夹断特性变差。此外,SiN钝化后W波段AlGaN/GaN HEMTs的射频特性得到显著改善,器件的电流增益截止频率从钝化前的33 GHz提升至107 GHz,最高振荡频率从钝化前的65 GHz提升至156 GHz。 展开更多
关键词 ALGAN/GAN W波段 SiN钝化 射频器件 HEMT
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W波段5W GaN四路合成功率放大器MMIC 被引量:2
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作者 许春良 杨卅男 万悦 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第5期391-396,共6页
基于4英寸(1英寸=2.54 cm)亚微米T型栅GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,采用AlGaN/GaN异质结构外延衬底,研制了一款W波段功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC通过威尔金森功分器/合成器实现4个饱和输出功率大于1.5 W... 基于4英寸(1英寸=2.54 cm)亚微米T型栅GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,采用AlGaN/GaN异质结构外延衬底,研制了一款W波段功率放大器单片微波集成电路(MMIC)。该功率放大器MMIC通过威尔金森功分器/合成器实现4个饱和输出功率大于1.5 W的单元子电路片上功率合成,每个单元子电路采用四级级联拓扑结构,利用毫米波高低阻抗线、低寄生介质电容和λ/4传输线等元件实现低损耗拓扑结构。测试结果表明,在91~96 GHz,该功率放大器MMIC线性增益大于17 dB,输入、输出回波损耗均小于-8 dB,饱和输出功率大于5 W,功率附加效率大于15%。 展开更多
关键词 W波段 GaN高电子迁移率晶体管(HEMT) 功率放大器 功率合成 威尔金森 单片微波集成电路(MMIC)
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108 GHz功率放大器模块研制 被引量:4
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作者 林勇 乔明昌 +1 位作者 王宗成 周玉梅 《微波学报》 CSCD 北大核心 2017年第6期48-51,共4页
介绍了105~108 GHz频段功率放大器模块的设计和制作。模块由波导微带转换、功率芯片及芯片偏置电路组成。讨论了放大模块的设计及加工测试过程,并对模块中的关键技术波导-微带转换进行详细阐述。波导-微带转换采用E面微带探针激励完成... 介绍了105~108 GHz频段功率放大器模块的设计和制作。模块由波导微带转换、功率芯片及芯片偏置电路组成。讨论了放大模块的设计及加工测试过程,并对模块中的关键技术波导-微带转换进行详细阐述。波导-微带转换采用E面微带探针激励完成。通过理论分析及仿真优化后设计出转换模型并制作出实物进行测试。单个转换在100~110 GHz频段内插入损耗小于0.6 d B,回波小于-10 d B。测试结果表明设计的波导-微带转换具有插入损耗小,工作频段宽的优点。采用此转换制作的功率放大模块在105~108 GHz频段上增益大于13 d B,输出功率大于200 m W,达到预期设计指标。 展开更多
关键词 W波段 功率放大器 微带-波导转换 微带探针 氮化镓
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一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源
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作者 梁勤金 石小燕 +1 位作者 潘文武 黄吉金 《电讯技术》 北大核心 2016年第8期873-878,共6页
介绍了一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源,给出了系统组成与工作原理,提供了其主要部件W频段固态Gunn驱动源、W频段波导-微带转换器、主放大器芯片基本性能及实验测试结果。该固态毫米波源工作频率94 GHz,输出连续波功率大于3... 介绍了一种新研制的W频段固态GaN功率放大器毫米波源,给出了系统组成与工作原理,提供了其主要部件W频段固态Gunn驱动源、W频段波导-微带转换器、主放大器芯片基本性能及实验测试结果。该固态毫米波源工作频率94 GHz,输出连续波功率大于300 m W,线性增益10 d B,附加效率(PAE)大于16%。在W频段固态毫米波源研制过程中,其单片微波集成电路(MMIC)功率放大器半导体材料选择经历了GaAs、InP到GaN演变,结果清楚表明,W频段毫米波源的GaN MMlC功率放大器输出功率、增益、效率、高温性能要优于其他固态MMIC功率放大器性能。W频段大功率固态GaN MMl C技术将在毫米波领域带来新的技术革命和应用。 展开更多
关键词 毫米波源 GaN功率放大器 W频段 单片微波集成电路 连续波
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基于GaN HEMT工艺的W波段低噪声放大器MMIC 被引量:1
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作者 许春良 李明 +1 位作者 王雨桐 魏洪涛 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期237-242,共6页
介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制。该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益。用电子设计... 介绍了一款基于GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的W波段GaN低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)的研制。该放大器采用5级共源放大结构,栅极和漏极双电源供电,第一级着重优化噪声,后4级着重设计了级间匹配,实现高增益。用电子设计自动化(EDA)软件进行电路设计,并对全版图进行电磁场仿真。测试结果表明,当漏压为+5 V、栅压为-2.3 V时,放大器的静态电流为100 mA。在88~98 GHz频带内,放大器小信号增益大于22 dB,噪声系数小于4.6 dB,输入电压驻波比(VSWR)小于1.55∶1,输出VSWR小于1.65∶1,1 dB压缩点输出功率大于12 dBm。芯片面积为3.99 mm×1.47 mm。该LNA具有带宽宽、增益高、噪声低、输出功率高等特点,可广泛应用于W波段接收前端。 展开更多
关键词 GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT) W波段 低噪声放大器(LNA) 单片微波集成电路(MMIC)
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W波段3.4W/mm GaN功率放大器MMIC 被引量:3
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作者 戈勤 徐波 +4 位作者 陶洪琪 王维波 马晓华 郭方金 刘宇 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期24-29,共6页
采用100nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路。该工艺采用厚度为50μm的SiC作为衬底。放大器采用三级级联拓扑结构,利用高低阻抗微带线与上下极板电容构成W波段低损耗阻抗匹配网... 采用100nm GaN高电子迁移率晶体管工艺,研制了一款应用于W波段的高功率密度功率放大器微波单片集成电路。该工艺采用厚度为50μm的SiC作为衬底。放大器采用三级级联拓扑结构,利用高低阻抗微带线与上下极板电容构成W波段低损耗阻抗匹配网络,实现较高的增益和较高的输出功率。同时,该放大器通过由1/4波长微带线构成的直流偏置网络进行片上集成设计,实现全单片集成。测试结果表明,当工作电压为15V时,该放大器芯片在88~98GHz范围内,典型小信号增益为20dB,连续波状态下饱和输出功率大于250mW。在98GHz下,芯片实现最大输出功率为405mW,功率增益为13dB,功率附加效率为14.4%。因此,该GaN功率放大器芯片输出相应的最大功率密度达到3.4W/mm。 展开更多
关键词 GAN高电子迁移率晶体管 W波段 功率放大器 微带线 微波单片集成电路
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W波段高功率放大模块研究
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作者 张月肖 张勇 +1 位作者 祝思雨 朱华利 《微波学报》 CSCD 北大核心 2024年第S1期101-104,共4页
本文主要设计了一款基于GaN MMIC的W波段功率放大模块,该模块主要由功放芯片,弯折波导探针结构和电源偏置PCB板组成。作者首先对弯折波导探针过渡结构进行仿真,仿真结果显示该过渡结构在W全频带回波损耗优于22dB;然后设计腔体结构和电... 本文主要设计了一款基于GaN MMIC的W波段功率放大模块,该模块主要由功放芯片,弯折波导探针结构和电源偏置PCB板组成。作者首先对弯折波导探针过渡结构进行仿真,仿真结果显示该过渡结构在W全频带回波损耗优于22dB;然后设计腔体结构和电源偏置电路,最后对整个模块进行测试。测试结果显示,该功率放大模块在88~96GHz小信号增益大于12.5dB,输出功率大于31.2dBm。 展开更多
关键词 W波段 GaN MMIC 弯折探针过渡 高功率
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基于径向波导合成技术的W波段功率放大器设计 被引量:3
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作者 黄昭宇 徐军 +1 位作者 冉东 祁云飞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期454-458,共5页
基于径向波导合成技术,设计了一款W波段功率放大器。功放采用4路氮化镓单片微波集成电路(MMIC)单片合成设计,在90 GHz处输出功率为3.7 W,合成效率为94.3%,具有较好的工程应用价值。
关键词 W波段 径向波导 功率分配/合成器 功率放大器 氮化镓单片微波集成电路(MMIC) 固态电路
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