期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到10,205篇文章
< 1 2 … 250 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
高压SiC器件电流互感器型取能装置耦合电容特性和抑制研究 被引量：1
1
作者 潘建宇 唐海博 +2 位作者 姜怡 付孝杰 闫升 《电工技术学报》 北大核心 2025年第3期800-811,共12页
高压碳化硅(SiC)器件驱动电路的隔离电源面临更高的dv/dt冲击,极易引起强共模干扰而导致器件失效。高频电流互感器(HCT)型取能是一种新型高压SiC器件隔离取能方法,但是其耦合电容与结构参量关联特性不清,难以有效提升抗dv/dt性能和实现... 高压碳化硅(SiC)器件驱动电路的隔离电源面临更高的dv/dt冲击,极易引起强共模干扰而导致器件失效。高频电流互感器(HCT)型取能是一种新型高压SiC器件隔离取能方法,但是其耦合电容与结构参量关联特性不清,难以有效提升抗dv/dt性能和实现小型化。该文首先,构建了HCT型隔离取能结构的三维仿真模型,系统地探究了其关键结构参量(隔离距离、偏心位置、绕组绕制方式、匝数等)对耦合电容的影响特性;然后,提出了HCT型取能结构多参量影响下的耦合电容优化方法,同等体积下达到耦合电容最小;最后,通过实验验证了所述方法和所研装置的有效性。结果表明,仅通过调整HCT型隔离取能结构穿心位置可降低约20%的耦合电容,所研取能装置隔离容值仅为0.74pF,比传统设计和同类商业产品分别降低了55%和70%,最大无局部放电电压达到15.5 kV。 展开更多
关键词 高压SiC器件 隔离取能装置 低耦合电容 电流互感器
在线阅读 下载PDF
紫外探测系统宽谱段深截止滤光器件的研制
2
作者 张静 吴永焜 +6 位作者 付秀华 潘永刚 林兆文 杨飞 黄卓彬 吴桂青 王奔 《光子学报》 北大核心 2025年第5期199-208,共10页
为了提高紫外系统的探测精度,基于诱导透射膜系设计理论,研制了金属与介质组合的深截止滤光器件。选用Al和UV-SiO_(2)制备滤光膜,使用椭圆偏振法获得Al膜相位差和振幅比参数,利用通用振子模型叠加Tauc-Lorentz振子和Drude振子建立椭偏... 为了提高紫外系统的探测精度,基于诱导透射膜系设计理论,研制了金属与介质组合的深截止滤光器件。选用Al和UV-SiO_(2)制备滤光膜,使用椭圆偏振法获得Al膜相位差和振幅比参数,利用通用振子模型叠加Tauc-Lorentz振子和Drude振子建立椭偏分析模型,拟合得到Al膜的光学常数。针对膜厚误差引起的光谱差异,通过逆向反演拟合对膜厚误差进行分析;构建均匀等效吸收层模型,分析了薄膜表面粗糙度对光谱的影响。最终制备的滤光器件在280~1200 nm波段范围内,平均截止深度优于4 OD,峰值波长225 nm处透过率为31.55%,通带半波宽为28 nm,该器件通过恒温恒湿及附着力测试,满足紫外探测系统的使用要求。 展开更多
关键词 紫外滤光器件 诱导透射 椭圆偏振法 等效吸收层
在线阅读 下载PDF
PQFP器件焊点质量控制与可靠性
3
作者 张威 刘坤鹏 +4 位作者 向刚 张沄瑄 于沐瀛 王尚 田艳红 《焊接学报》 北大核心 2025年第6期1-10,共10页
针对航空航天领域PQFP(plastic quad flat package)封装器件长期贮存可靠性问题,文中围绕焊点工艺参数优化及界面金属间化合物(interfacial intermetallic compounds,IMCs)演变规律展开系统性研究.通过光镜检测、力学性能测试与扫描电... 针对航空航天领域PQFP(plastic quad flat package)封装器件长期贮存可靠性问题,文中围绕焊点工艺参数优化及界面金属间化合物(interfacial intermetallic compounds,IMCs)演变规律展开系统性研究.通过光镜检测、力学性能测试与扫描电镜分析,揭示了焊缝高度与钎料量对焊点质量的影响机制.结果表明,钎料量增加使润湿高度提升(0.050~0.099 3 mm^(3)为理论最佳范围),而焊缝高度增大则削弱润湿效果,0.12 mm钢网与0.05 mm焊缝高度组合可实现桥联率最低、抗拉强度最优的焊接质量.通过高温加速老化试验发现,Cu焊盘侧IMC由Cu_(6)Sn_(5)/Cu3Sn构成且呈扇贝状向平直状演变,Ni阻挡层使引脚侧(Cu,Ni)_(6)Sn_(5)层厚度降低.基于Fick扩散定律建立的IMC生长动力学模型表明,双侧IMC层厚符合抛物线生长规律,活化能分别为20.67 kJ/mol(Cu侧)和52.79 kJ/mol(Ni侧).以IMC临界厚度3.5μm为失效判据,推算出器件焊点在23℃贮存寿命可达27.5年,研究成果为航天电子装备的长寿命可靠性设计与工艺优化提供了理论依据和数据支撑. 展开更多
关键词 PQFP器件 钎料量 焊缝高度 金属间化合物 寿命预测
在线阅读 下载PDF
自主可控的功率半导体器件仿真工具研发进展(一):二维计算的精度
4
作者 庄池杰 石清元 +11 位作者 林波 彭晞雨 吴丹 刘志成 李立 施连军 任李鑫 纪瑞朗 余占清 吴锦鹏 魏晓光 曾嵘 《高电压技术》 北大核心 2025年第1期21-30,I0002,I0003,共12页
功率半导体器件是电力电子装备电流开断和电能转换的核心。作为全球最大的功率半导体消费国,中国功率器件自给率低,严重依赖进口,亟需自主化突破。功率半导体器件仿真软件作为器件多物理场分析、设计优化的必备工具,研发难度大、周期长... 功率半导体器件是电力电子装备电流开断和电能转换的核心。作为全球最大的功率半导体消费国,中国功率器件自给率低,严重依赖进口,亟需自主化突破。功率半导体器件仿真软件作为器件多物理场分析、设计优化的必备工具,研发难度大、周期长、见效慢。国内使用的功率半导体TCAD软件几乎全部由Synopsys、Silvaco等国外公司垄断。作为国产替代的第一步,自2019年以来,团队按照“先追赶、再并跑、最后超越”的思路,开展功率半导体器件国产仿真工具的研发工作。该文在分析功率器件物理模型、求解难点的基础上,介绍了自主可控的功率半导体器件二维仿真工具的初步研发进展,与垄断商业软件Synopsys TCAD Sentaurus Device计算结果开展了详细比对,在测试的算例和物理模型上,自研软件二维计算的精度向国际垄断商业软件看齐。 展开更多
关键词 功率半导体器件 仿真工具 二维 漂移扩散模型 国产替代
在线阅读 下载PDF
基于黄绿色铱磷光材料的高效有机电致发光器件
5
作者 常桥稳 张柯 +4 位作者 黄光英 晏彩先 刘伟平 冯洋洋 侯文明 《贵金属》 北大核心 2025年第2期17-23,共7页
黄绿色铱磷光材料可用于白光有机发光二极管(OLEDs)研制。以2,4-双(3,5-二甲基苯基)吡啶[2,4-(3,5-dmp)_(2)py]为主配体,乙酰丙酮(acac)为辅助配体,合成出铱磷光材料[2,4-(3,5-dmp)_(2)py]_(2)Ir(acac)。通过元素分析、核磁共振谱(包括^... 黄绿色铱磷光材料可用于白光有机发光二极管(OLEDs)研制。以2,4-双(3,5-二甲基苯基)吡啶[2,4-(3,5-dmp)_(2)py]为主配体,乙酰丙酮(acac)为辅助配体,合成出铱磷光材料[2,4-(3,5-dmp)_(2)py]_(2)Ir(acac)。通过元素分析、核磁共振谱(包括^(1)H-NMR和^(13)C-NMR)以及单晶X射线衍射,对该材料的组成和空间结构进行了表征,光物理性能研究显示该铱磷光材料是一种潜在的黄绿光(565 nm)发射磷光材料(量子产率79%),具有较好的热稳定性,热分解温度为356℃,能够满足OLED使用要求。进一步以制备得到的铱磷光材料作为客体材料,制备了OLEDs器件。经过对铱磷光材料掺杂浓度的细致优化,发现在5%的掺杂浓度下,OLED器件的性能达到最优,实现了高效的黄绿光发射。该器件的电致发光波长为564 nm,在CIE色坐标的位置为(0.4856,0.5083)。该器件具有卓越的电致发光性能,在构建高性能互补色白光OLED器件方面具有较好的应用前景。 展开更多
关键词 铱(Ⅲ)配合物 磷光材料 黄绿光 发光性能 OLEDs器件
在线阅读 下载PDF
基于改进Otsu算法的金属器件镀锌表面缺陷识别方法
6
作者 马栎 冯占荣 《电镀与精饰》 北大核心 2025年第2期46-53,共8页
镀锌表面纹理、颜色以及亮度变化的复杂度往往较高,且不同的光照条件会对金属表面的反射和阴影产生显著影响,当前固定的阈值选择方式难以适应这种复杂多变的识别环境,影响当前人工智能领域中表面缺陷的识别效果,故提出了基于改进Otsu算... 镀锌表面纹理、颜色以及亮度变化的复杂度往往较高,且不同的光照条件会对金属表面的反射和阴影产生显著影响,当前固定的阈值选择方式难以适应这种复杂多变的识别环境,影响当前人工智能领域中表面缺陷的识别效果,故提出了基于改进Otsu算法的金属器件镀锌表面缺陷识别方法。首先,针对金属器件镀锌表面图像,根据结构张量提取图像的轮廓信息,利用Itti模型提取图像颜色和亮度信息,并分别生成各通道显著图。经规范化处理后,通过线性组合构成视觉显著图,用于初步判断图像中是否存在表面缺陷;然后,在常规的Otsu算法中,引入二阶振荡粒子群优化算法多次调整灰度阈值,利用最优的灰度阈值分割出缺陷区域;最后,利用加权马氏距离表示协方差距离,突出缺陷边缘像素特征,使缺陷兴趣区域更加显著,再采用连通区域标记的方式准确识别表面缺陷。实验结果表明,在金属器件镀锌表面缺陷人工智能识别中,该方法可以准确检索到缺陷区域,识别结果的敏感度和特异性较高。由此可以说明,该方法具有良好的应用效果。 展开更多
关键词 OTSU算法 金属器件 镀锌表面 缺陷识别 二阶振荡粒子群优化算法 最优灰度阈值 GABOR小波变换
在线阅读 下载PDF
面向器件状态辨识的时域反射信号方法研究
7
作者 成庶 游歆雨 +2 位作者 刘畅 袁炜钰 吕壮壮 《铁道科学与工程学报》 北大核心 2025年第6期2758-2768,共11页
为解决在进行电力电子器件故障状态辨识时因受原系统工作信号影响导致实时性、准确性和成本不理想的问题,提出一种基于扩展频谱时域反射法进行电力电子器件故障状态辨识的方法。由于电力电子器件在发生故障时其阻抗会发生变化,信号在遇... 为解决在进行电力电子器件故障状态辨识时因受原系统工作信号影响导致实时性、准确性和成本不理想的问题,提出一种基于扩展频谱时域反射法进行电力电子器件故障状态辨识的方法。由于电力电子器件在发生故障时其阻抗会发生变化,信号在遇到阻抗不匹配点时会发生反射,通过提取反射信号的特征可以对故障点的类型和位置进行分析。首先,根据反射信号传输特性构建基于扩展频谱时域反射法进行状态辨识的平台模型,并以IGBT为例,通过其阻抗特性和内部结构论证了利用该方法进行IGBT故障状态辨识的可行性。然后用Simulink搭建平台仿真模型,完成对器件的阻抗辨识,进而搭建硬件平台,包括高频信号的调制、发射电路和反射信号捕获电路,实现对反射特征的采集和预处理,对测试信号和反射信号进行相关运算,从相关波形中提取阻抗特征信息。平台实现了对电阻的阻抗值辨识,并对正常IGBT和短路IGBT进行测试,辨识出2种工况的IGBT在有触发信号和无触发信号状态时分别呈现出的阻抗特性。实验结果表明:相较于传统的基于侵入式信号的电力电子器件故障检测方法,该方法所采用的测试信号由于其高频的特性不会对原系统工作信号造成干扰,并且具有很强的抗干扰能力。研究结果可以为IGBT的健康状态评估和检修策略提供参考。 展开更多
关键词 绝缘栅双极性晶体管 扩展频谱时域反射法 相关运算分析 特征阻抗辨识 器件故障状态辨识
在线阅读 下载PDF
三维碳系导电油墨的制备及其在柔性电发热器件中的应用 被引量：1
8
作者 胡秋晨 史为骞 +4 位作者 杨建军 吴明元 吴庆云 刘久逸 张建安 《包装工程》 北大核心 2025年第7期54-61,共8页
目的探究一锅法制备“点、线、面”-炭黑/多壁碳纳米管/石墨烯三维立体导电网络碳系水性油墨的影响因素及其在柔性电发热器件中的应用。方法通过单因素实验法,对碳系浆料的研磨时间、油墨的颜基比及油墨厚度、柔性电发热器件面积、电压... 目的探究一锅法制备“点、线、面”-炭黑/多壁碳纳米管/石墨烯三维立体导电网络碳系水性油墨的影响因素及其在柔性电发热器件中的应用。方法通过单因素实验法,对碳系浆料的研磨时间、油墨的颜基比及油墨厚度、柔性电发热器件面积、电压对电发热器件发热性能的影响等因素进行探讨,从而确定油墨最佳配比和柔性电发热器件的制备条件。结果当研磨时间为5.5 h、油墨颜基比为2.5∶1.0、丝网印刷层数为2时,油墨最低电阻率为2.813Ω·cm,柔性电发热器件经500次弯曲折叠后电阻变化率<3%。当外接电压为12 V的安全电压时,仅需20 s左右便可达到稳定温度170℃。结论通过搭建三维立体导电网络以及确定适宜的研磨时间、油墨的颜基比和丝网印刷层数,可在一定程度上减少导电颗粒空隙,降低渗流阈值,提高油墨的导电性。这一碳系导电油墨为大规模生产柔性电子器件提供了新的技术路径和支持。 展开更多
关键词 碳系水性电热油墨 丝网印刷 柔性电发热器件 三维导电网络
在线阅读 下载PDF
量子点光电器件研发态势研究
9
作者 孙慧娄 于薇 苑朋彬 《高技术通讯》 北大核心 2025年第5期548-555,共8页
量子点光电器件在未来显示、量子信息、新型储能等领域具有巨大的应用潜力,是各国抢占未来产业发展先机的重点布局方向之一。本文通过构建递进式研究框架,从宏观和微观层面对量子点光电器件的研发态势进行了全面深入的研究。研究表明,... 量子点光电器件在未来显示、量子信息、新型储能等领域具有巨大的应用潜力,是各国抢占未来产业发展先机的重点布局方向之一。本文通过构建递进式研究框架,从宏观和微观层面对量子点光电器件的研发态势进行了全面深入的研究。研究表明,量子点光电器件目前处于技术成熟初期,研发热点集中于量子点显示器件领域,同时覆盖量子点光伏器件、光电探测器和激光器等方向;技术研发趋势聚焦于提升量子点光电器件效率和稳定性,并降低材料毒性;技术创新集中在中国、美国、韩国和日本,我国在该领域已经形成一定的研发优势,但仍存在短板,尚需政府和相关创新主体共同努力推动其持续发展。 展开更多
关键词 量子点光电器件 显示器 激光器 光电探测器 光伏器件
在线阅读 下载PDF
高温器件冷屏部件热辐射对芯片性能的影响
10
作者 曾昌行 陈军 +4 位作者 甘游宇 孙鸿生 黄一彬 陈正超 张志宇 《红外与激光工程》 北大核心 2025年第1期146-155,共10页
随着高工作温度红外光电子器件的发展,更高的工作温度下,冷屏部件的热辐射会带来背景辐射噪声,对红外探测器的成像造成干扰。为研究高温器件冷屏部件热辐射对芯片性能的影响,基于蒙特卡洛原理,采用3D Studio Max建立冷屏模型,提取模型... 随着高工作温度红外光电子器件的发展,更高的工作温度下,冷屏部件的热辐射会带来背景辐射噪声,对红外探测器的成像造成干扰。为研究高温器件冷屏部件热辐射对芯片性能的影响,基于蒙特卡洛原理,采用3D Studio Max建立冷屏模型,提取模型信息编写程序,计算冷屏部件各部分对芯片的辐射传递因子,进而得到冷屏部件热辐射在芯片上产生的噪声信号。在给定的参数和条件下,对某高温器件冷屏进行计算分析,表明该高温器件冷屏部件的温度需低于196 K。为抑制高温器件冷屏部件的热辐射,研究了整体降低冷屏发射率和局部降低冷屏发射率这两种方案。整体降低冷屏发射率可降低冷屏自身热辐射产生的噪声信号,但会造成外部辐射中经冷屏反射间接到达芯片的杂散辐射噪声信号迅速增加。局部降低冷屏发射率可降低冷屏自身热辐射产生的噪声信号并使外部辐射中经冷屏反射间接到达芯片的杂散辐射噪声信号缓慢增加。采用局部降低冷屏发射率的方案,对总的杂散辐射的抑制效果与温度有关,当冷屏部件温度小于203 K时,会引起总的杂散辐射噪声信号增加;当冷屏部件温度大于203 K时,可以降低总的杂散辐射噪声信号。 展开更多
关键词 高温器件 冷屏 热辐射 噪声信号
在线阅读 下载PDF
深空环境下电子器件可靠性研究进展
11
作者 关旗龙 杭春进 +3 位作者 李胜利 唐晓玖 于丹 丁颖 《系统工程与电子技术》 北大核心 2025年第4期1184-1194,共11页
深空环境(深冷、极高温和强辐射等)严重影响星载器件的性能及可靠性,影响深空探测航天器安全运行。锗硅(SiGe)器件主要适用于低温和强辐射环境,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体是适用于所有极端环境的理想器件。极高温环境下,器件封装... 深空环境(深冷、极高温和强辐射等)严重影响星载器件的性能及可靠性,影响深空探测航天器安全运行。锗硅(SiGe)器件主要适用于低温和强辐射环境,碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体是适用于所有极端环境的理想器件。极高温环境下,器件封装材料服役可靠性成为星载半导体器件进一步发展的巨大挑战。梳理国内外关于硅(Si)、绝缘体上硅(SOI)、SiGe、GaN和SiC器件以及器件封装材料在上述极端环境下的可靠性研究。针对上述半导体器件和封装材料的特点做出了服役环境总结以及使用建议。 展开更多
关键词 深空探测 极端环境 电子器件 可靠性 电子封装
在线阅读 下载PDF
基于阻焊层设计的大尺寸COTS器件焊点可靠性优化
12
作者 李庚 王尚 +3 位作者 孙宇欣 孟俊豪 吴文志 田艳红 《焊接学报》 北大核心 2025年第5期35-41,共7页
高可靠应用领域常常需要专用器件,其迭代更新较慢且成本较高,商用现货(commercial off-the-shelf,COTS)器件更新速度快且质量一致性较好,然而在专用领域的适用性和可靠性尚未得到验证,为此,提出了一种基于阻焊层设计的大尺寸COTS器件焊... 高可靠应用领域常常需要专用器件,其迭代更新较慢且成本较高,商用现货(commercial off-the-shelf,COTS)器件更新速度快且质量一致性较好,然而在专用领域的适用性和可靠性尚未得到验证,为此,提出了一种基于阻焊层设计的大尺寸COTS器件焊点可靠性方法.首先,通过焊点形态仿真获得了不同阻焊层参数下的焊点形态,然后对不同参数下的器件进行板级热循环仿真.结果表明,阻焊层设计会影响焊点形态,从而影响在热循环过程中的应力—应变状态,通过计算焊点预期寿命得到优化参数,优化后的焊点预测寿命提高了118%,证明了从封装设计角度提高COTS器件焊点可靠性的可行性,推动了COTS器件在高可靠性领域的应用进程. 展开更多
关键词 商用现货器件 可靠性 有限元仿真 阻焊层
在线阅读 下载PDF
HOT器件用微型线性分置式斯特林制冷机
13
作者 罗云 陈军 +8 位作者 黄伟 李家鹏 朱正荣 黄恩和 黄蓉 周凡钦 饶永兴 毕翔 杨金清 《红外技术》 北大核心 2025年第4期517-522,共6页
针对第三代高工作温度(HOT)红外探测器在手持设备、狙击步枪及无人机等小型化、轻载荷热成像平台的应用需求,本研究聚焦于满足低功耗、低重量、小尺寸、低成本及快速启动(SWaP-C)特性的微型低温制冷机研制。基于此,昆明物理研究所开发... 针对第三代高工作温度(HOT)红外探测器在手持设备、狙击步枪及无人机等小型化、轻载荷热成像平台的应用需求,本研究聚焦于满足低功耗、低重量、小尺寸、低成本及快速启动(SWaP-C)特性的微型低温制冷机研制。基于此,昆明物理研究所开发了面向HOT器件的微型低功耗线性斯特林制冷机,采用百赫兹线性谐振压缩机与阶梯轴气动膨胀机技术。通过多轮优化迭代设计,成功研制出C351型斯特林制冷机,并系统评估了其制冷性能。实验结果表明:该制冷机匹配640×512像元HOT中波红外探测器时,在150K工作温度下控温功耗低于2W(环境温度23℃,热负载180mW@77K),降温时间小于90s,整机重量仅217g(含12g驱动控制电路)。性能测试验证了其在SWaP-C指标上的先进性,目前已完成小批量生产工艺验证,具备工程化应用条件。 展开更多
关键词 HOT器件 线性斯特林 低温制冷机 SWaP-C 制冷性能
在线阅读 下载PDF
三维集成压电与声光器件
14
作者 王梓霖 王喆垚 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期1-19,共19页
压电与声光器件是组成电子和信息系统必不可少的功能器件。然而,多数压电与声光器件采用特殊材料和工艺制造,难以与硅基的集成电路进行集成,进而影响到系统的性能、体积和成本。近年来三维集成技术的发展为不同材料、不同工艺的压电与... 压电与声光器件是组成电子和信息系统必不可少的功能器件。然而,多数压电与声光器件采用特殊材料和工艺制造,难以与硅基的集成电路进行集成,进而影响到系统的性能、体积和成本。近年来三维集成技术的发展为不同材料、不同工艺的压电与声光器件与硅基电路芯片的异质异构集成开辟了新途径。该文介绍了三维集成的概念、分类和实现方法,并重点介绍了光电、压电材料与器件和硅基电路的异质异构集成方案和研究进展,特别是光子器件以及压电声学器件与电子芯片的集成。 展开更多
关键词 三维集成 压电器件 声光器件 硅芯片
在线阅读 下载PDF
增强型GaN器件动态导通电阻的分数阶等效建模
15
作者 金鸿 陈曦 +2 位作者 张赟宁 邾玢鑫 黄悦华 《控制理论与应用》 北大核心 2025年第6期1152-1159,共8页
增强型GaN器件在漏源极之间承受高电压应力时存在电子俘获效应,对器件的动态导通电阻具有影响.为精确简洁地描述此现象,提出一种改进钳位电路的测试平台对器件进行实验测量.在此基础上,根据器件电子俘获效应随捕获时间而改变的“长尾分... 增强型GaN器件在漏源极之间承受高电压应力时存在电子俘获效应,对器件的动态导通电阻具有影响.为精确简洁地描述此现象,提出一种改进钳位电路的测试平台对器件进行实验测量.在此基础上,根据器件电子俘获效应随捕获时间而改变的“长尾分布规律”与分数阶微积分运算时间相关“记忆效应”的关联,提出一种基于分数阶等效阻抗的建模方法,并利用差分进化算法辨识模型参数.研究结果表明,所提改进测量方案能够消除传统方案测量过程中电压尖峰现象对测量结果的影响,所建立的分数阶等效阻抗模型能够较为准确地表征增强型GaN器件动态导通电阻的变化规律,所提模型参数变化规律具有一致性,其中分数阶阶次随器件漏源极之间偏置电压的增加而减小,证实所提模型能够从工作机理层面反映器件特性与参数变化规律. 展开更多
关键词 GAN器件 导通电阻 电子俘获 分数阶微积分
在线阅读 下载PDF
基于分布式参数退化模型的IGBT器件寿命预测方法研究
16
作者 陈思宇 李辉 +2 位作者 赖伟 姚然 段泽宇 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第10期4007-4017,I0037,共12页
IGBT器件制造工艺差异往往导致器件服役寿命存在分散性,而传统寿命预测解析方法难以有效应对器件实际服役寿命的分散性问题,文中提出一种基于分布式参数退化模型的IGBT器件寿命分布概率预测方法,可实现其寿命分布区间的概率预测。首先,... IGBT器件制造工艺差异往往导致器件服役寿命存在分散性,而传统寿命预测解析方法难以有效应对器件实际服役寿命的分散性问题,文中提出一种基于分布式参数退化模型的IGBT器件寿命分布概率预测方法,可实现其寿命分布区间的概率预测。首先,基于IGBT器件的封装工艺缺陷、运行端部特性、退化过程分散性分析其服役寿命呈现分散性的原因;其次,基于导通压降的失效演化规律建立IGBT器件状态参量退化模型,并通过Levenberg-Marquardt算法拟合获取退化模型的参数分布特性;最后,基于蒙特卡洛法对IGBT器件服役寿命分布的概率进行预测,并通过实验算例对所提寿命预测方法进行验证,同时与传统寿命预测模型进行对比。结果表明,在考虑同一型号IGBT器件分散性的条件下,所提方法平均寿命预测误差约为3%,相比于传统寿命模型,在器件寿命分散性的预测方面具有优越性。 展开更多
关键词 IGBT器件 寿命预测 概率分布 可靠性
在线阅读 下载PDF
ZnS:Cu基液体桥接ACEL纤维器件的制备及应用
17
作者 刘明宇 张英 +5 位作者 陈漪 李子晴 张超 王珣 钱屠聪颖 胡毅 《发光学报》 北大核心 2025年第7期1317-1325,共9页
随着电子器件的快速发展以及人们对于柔性可穿戴显示器件的需求,急需开发一种柔性的电致发光纤维器件。本文使用共轭静电纺丝方法制备了一种ZnS:Cu基液体桥接ACEL纤维器件,测试表明器件具备良好的力学性能和电致发光性能。探究了静电纺... 随着电子器件的快速发展以及人们对于柔性可穿戴显示器件的需求,急需开发一种柔性的电致发光纤维器件。本文使用共轭静电纺丝方法制备了一种ZnS:Cu基液体桥接ACEL纤维器件,测试表明器件具备良好的力学性能和电致发光性能。探究了静电纺丝层数和电压对纤维发光性能的影响,随着纺丝层数的增加,纤维发光亮度呈现出先增大再减小的趋势,在层数为3层时电致发光性能最好;随着驱动电压的增大,纤维的发光亮度逐渐增大,在3.77 V·μm^(-1)、10 kHz的驱动条件下发光纤维的亮度可达192.5 cd·m^(-2)。本工作制备的电致发光纤维可有效区分不同液体电极,具备应用于特定场景下液体种类和浓度识别的功能。此外,还可通过将电致发光纤维嵌入面料形成带有信息的图案以实现可视化信息交互。 展开更多
关键词 ZnS:Cu ACEL纤维器件 液体桥接 共轭静电纺丝
在线阅读 下载PDF
AlGaN/GaN HEMT器件有效栅长和栅宽提取
18
作者 吴淇暄 张贺秋 +4 位作者 朱江 宁思源 代晓 王子坤 梁红伟 《大连理工大学学报》 CAS 北大核心 2025年第1期105-110,共6页
有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了... 有效栅长、有效栅宽和沟道电阻等AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)参数对于工艺控制和器件设计非常重要.基于AlGaN/GaN HEMT器件源漏之间的总电阻与栅长及栅宽的倒数之间的线性关系,提出了一种简单方法提取有效栅长和有效栅宽.制作了两组AlGaN/GaN HEMT器件,这两组器件的源漏间距为80μm,栅源间距为10μm.其中一组器件固定栅宽为400μm,栅长分别为10、20、30、40、50、60μm;另一组器件固定栅长为40μm,栅宽分别为200、300、400、500、600、800μm.通过研究源漏之间的总电阻随栅长和栅宽变化规律,获得栅长与有效栅长的差值为0.48989μm,栅宽与有效栅宽的差值为-11.12191μm. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 器件参数 有效栅长 有效栅宽
在线阅读 下载PDF
基于有限元法的水平霍尔器件模型优化
19
作者 朱格民 吕阳 +3 位作者 季文献 陆玲霞 于淼 马朝祥 《仪表技术与传感器》 北大核心 2025年第4期55-61,共7页
为更有效地解决水平霍尔器件的霍尔失调问题,提出了一种基于有限元模拟仿真的解决方案。鉴于传统模拟电路方法在应对工艺误差导致的多因素耦合场景时的不足,基于COMSOL软件构建有限元模型,引入接触电极的正交耦合连接或旋转电流技术的... 为更有效地解决水平霍尔器件的霍尔失调问题,提出了一种基于有限元模拟仿真的解决方案。鉴于传统模拟电路方法在应对工艺误差导致的多因素耦合场景时的不足,基于COMSOL软件构建有限元模型,引入接触电极的正交耦合连接或旋转电流技术的有限元法。在性能提升方面,进一步优化了器件结构,对已有十字型结构的水平霍尔器件验证其高灵敏度,并添加外倒角和内倒角,设计带孔几何结构,改变模型参数,对比仿真结果,综合考虑电压灵敏度和电流灵敏度,得到最优几何结构。结果表明:与常规的模拟电路方法相比,基于COMSOL的有限元法处理由工艺误差导致的霍尔失调现象更具优势,并通过优化水平霍尔器件几何结构和带孔几何结构,得到最优检测灵敏度。 展开更多
关键词 COMSOL 有限元法 霍尔效应传感器 器件结构 失调电压
在线阅读 下载PDF
陡电压上升率下功率半导体器件封装用有机硅凝胶击穿特性研究
20
作者 苏大智 曾福平 +3 位作者 黄萌 钟恒鑫 陈日荣 唐炬 《电机与控制学报》 北大核心 2025年第6期63-70,共8页
现有研究表明,功率器件封装用有机硅凝胶的绝缘强度受脉冲电压边沿时刻的电压上升率影响较大,为此本文聚焦有机硅凝胶在陡电压上升率下的击穿特性开展研究。基于电气设备的典型绝缘结构搭建陡电压上升率击穿实验平台,重点研究不均匀电... 现有研究表明,功率器件封装用有机硅凝胶的绝缘强度受脉冲电压边沿时刻的电压上升率影响较大,为此本文聚焦有机硅凝胶在陡电压上升率下的击穿特性开展研究。基于电气设备的典型绝缘结构搭建陡电压上升率击穿实验平台,重点研究不均匀电场下有机硅凝胶在不同电压上升率的陡波击穿特性,并围绕有机硅凝胶的击穿过程展开初步讨论。结果表明:场致电离理论能够较好地解释有机硅凝胶的击穿过程,气隙缺陷的产生将导致碰撞电离加强,促使缺陷区域逐步扩展,并最终击穿;在稍不均匀电场和极不均匀电场下,有机硅凝胶的击穿场强均随着电压上升率的上升而呈下降趋势,对于绝缘介质的破坏作用也随之增加,但因气隙缺陷内空间电荷的调制作用使击穿场强逐渐趋于稳定;稍不均匀电场下存在明显“面积效应”,使得有机硅凝胶在稍不均匀电场下试样的击穿场强小于极不均匀电场下的击穿场强。研究结果可为IGBT等功率半导体器件的封装可靠性提升提供理论支撑。 展开更多
关键词 有机硅凝胶 陡电压上升率 击穿特性 功率器件 封装绝缘
在线阅读 下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 2 … 250 下一页 到第 页
关于我们 | 版权声明 | 联系我们 | 帮助中心| 意见反馈
主办单位：上海市教育委员会
技术支持：重庆维普资讯有限公司
渝公网安备 50019002500403号
使用帮助 返回顶部