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场致发射硅尖阵列的研制 被引量:5
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作者 吴海霞 仲顺安 +2 位作者 李文雄 邵雷 鲁雪峰 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期638-640,共3页
研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法... 研究真空微电子器件场致发射硅尖阵列的制作工艺.利用HNA湿法腐蚀工艺制作场致发射硅尖阵列,比较带胶腐蚀与不带胶腐蚀的不同.采用氧化削尖技术对硅尖进行锐化处理.制作了50×60硅尖阵列,同时给出了硅尖阵列的I-V特性.利用HNA湿法腐蚀制备的硅尖结构与理论分析一致,锐化处理改善了硅尖阴极阵列的场致发射特性. 展开更多
关键词 真空微电子器件 湿法腐蚀 场致发射阴极阵列 硅尖
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用化学方法制备硅场发射阵列 被引量:3
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作者 元光 金长春 +8 位作者 金亿鑫 宋航 荆海 朱希玲 张宝林 周天明 宁永强 蒋红 王惟彪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第4期341-345,共5页
利用各向同性腐蚀液制备了硅微尖阵列。
关键词 真空 微电子 场发射 硅微尖阵列 SEM
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无氧铜基金刚石薄膜场致发射特性研究 被引量:3
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作者 曾葆青 谢扩军 +3 位作者 杨中海 季天仁 黄金源 杨崇峰 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2001年第1期64-66,共3页
采用微波等离子体方法在铜片上沉积了多晶金刚石薄膜 ,用该薄膜制成的场致发射体的开启电压较低 ,发射电流密度较高。利用自制的场致发射阵列阴极高真空测试台测试了 1~ 10 0mA/cm2 的发射电流密度特性 ,对应的电场强度为 2 0~ 3 5M... 采用微波等离子体方法在铜片上沉积了多晶金刚石薄膜 ,用该薄膜制成的场致发射体的开启电压较低 ,发射电流密度较高。利用自制的场致发射阵列阴极高真空测试台测试了 1~ 10 0mA/cm2 的发射电流密度特性 ,对应的电场强度为 2 0~ 3 5MV/m。从拟合F N公式得到的功函数Φ≈ 0 0 2 5eV ,所发射电子轰击荧光屏后能产生明亮的光斑。 展开更多
关键词 场致发射 金刚石薄膜 真空微电子学 冷阴极 微波等离子体
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场发射平板显示器件的进展 被引量:6
4
作者 柯春和 彭自安 +1 位作者 陈其略 胡汉泉 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 1997年第2期119-128,共10页
概述场致发射平板显示器件(FED)的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。
关键词 真空微电子学 场致发射 FED 平板显示器件
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同心圆环型场发射阵列阴极的粒子模拟 被引量:5
5
作者 曾葆青 杨中海 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第4期611-615,共5页
模拟了同心圆环型场发射阵列阴极的特性。采用时域有限差分法计算了电场,利用Fowler-Nordheim方程计算锥尖处的发射电流,利用Lorentz方程计算了电子的运动轨迹。得到了微阴极电子的运动轨迹、相空间图以及电子... 模拟了同心圆环型场发射阵列阴极的特性。采用时域有限差分法计算了电场,利用Fowler-Nordheim方程计算锥尖处的发射电流,利用Lorentz方程计算了电子的运动轨迹。得到了微阴极电子的运动轨迹、相空间图以及电子束的发散度、亮度等,结果表明该结构能形成良好的聚焦电子束。 展开更多
关键词 粒子模拟 场致发射 阴极 真空微电子学
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Spindt型真空微三极管按比例缩小的CE规则 被引量:5
6
作者 黄庆安 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期85-87,共3页
本文根据恒定电场原理,提出了Spindt型真空微三极管按比例缩小规则.研究指出,Spindt型真空微三极管按比例缩小后,性能明显改进,工作电压降低。
关键词 真空微电子学 场发射阵列 按比例缩小
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真空微电子器件的进展与问题 被引量:3
7
作者 庄学曾 夏善红 刘光诒 《电子科学学刊》 CSCD 1997年第5期688-694,共7页
本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容... 本文简要地叙述了真空微电子学的主要进展,在介绍场发射阵列FEA、场发射显示器FED、真空微电子微波毫米波器件等的发展过程中,重点叙述了有关器件对FEA的特殊要求、可能的解决办法和存在的问题,并介绍了发展真空微电子微波管的主要内容和意义;最后提到了有效地发展我国真空微电子器件需重视的一个问题. 展开更多
关键词 真空微电子学 场发射阵列 真空微电子器件
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真空微电子学的研究与发展 被引量:5
8
作者 黄庆安 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第10期134-138,133,共6页
本文系统介绍了近年来真空微电子学的研究内容、达到的水平和亟待解决的问题:包括真空微电子器件的基本结构、场发射阵列、微尖结构物理、新材料和新器件的探索以及真空微电子学的主要应用。
关键词 真空微电子学 场发射 场发射阵列 平板显示
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双栅极场发射阵列的特性模拟与设计 被引量:1
9
作者 庄学曾 夏善红 陶新昕 《电子科学学刊》 CSCD 1998年第1期114-119,共6页
具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟... 具有聚焦能力的双栅极场发射阵列(DGFEA)是两类最有发展前途的真空微电子器件(高分辨率场发射显示器和真空微电子微波、毫米波器件)的关键技术。本文简要比较了两种结构的DGFEA的主要性能和优缺点,叙述了双层栅极结构DGFEA的设计与模拟方法.从模拟计算获得的发射特性和聚焦性能可以看到:这种结构的DGFEA能获得几乎平行的场发射电子束,其最大发射电流密度可达到约500A/cm^2以上,是发展真空微电子微波、毫米波器件和其它强流电子注器件等较理想的电子源。 展开更多
关键词 真空微电子器件 微波器件 毫米波器件
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真空微二极管发射特性的解析解
10
作者 宫玉彬 王文祥 谢克难 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期108-110,共3页
通过保角变换方法,对具有椭圆锥形发射体的真空微电子二极管进行了研究,求得了二极管区域内电位分布和电场分布的解析表达式,进而得到了电场强度和场致发射电流密度与尖端曲率之间的关系.
关键词 真空微电子 场致发射 二极管
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金属楔形发射体电子场发射理论研究
11
作者 刘卫东 朱长纯 +1 位作者 罗恩泽 刘云鹏 《真空科学与技术》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期130-134,共5页
提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例。该理论以单原子发射点假设为基础,用经典电动力学方法计算出楔形发射体的隧道势垒,然后用Numerov方法计算其透射比,最后得到楔形发射体的场发射伏安特性,还分析了几何结构参数对楔... 提出楔形发射体的电子场发射理论并给出计算实例。该理论以单原子发射点假设为基础,用经典电动力学方法计算出楔形发射体的隧道势垒,然后用Numerov方法计算其透射比,最后得到楔形发射体的场发射伏安特性,还分析了几何结构参数对楔形发射体场发射特性的影响。 展开更多
关键词 楔形发射体 场发射 真空微电子学
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边缘场致发射体的非正交有限差分算法模拟
12
作者 汪琛 赵宏卫 +1 位作者 王保平 童林夙 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1997年第5期321-325,共5页
对边缘切致发射三极管进行了模拟,采用的模型为“鸡尾酒杯”结构。在静电分析中引入了一种新的数值计算方法──非正交曲线坐标系下的有限差分算法。由于取的坐标轴与边界重合。所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体。给出了电... 对边缘切致发射三极管进行了模拟,采用的模型为“鸡尾酒杯”结构。在静电分析中引入了一种新的数值计算方法──非正交曲线坐标系下的有限差分算法。由于取的坐标轴与边界重合。所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体。给出了电场强度和发射电流与几何因子的关系及I-U特性曲线。 展开更多
关键词 真空微电子学 场致发射 有限差分法 CAD
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真空微电子三极管与四极管的模拟计算 被引量:1
13
作者 杨存宇 黄金源 杨中海 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期62-65,共4页
对真空微电子三极管、四极管进行了计算机模拟。模拟结果显示了发射电流与场致增强因于依赖表面的尖端半径、尖端高度等几何因素,并对微四极管的特性进行了分析。最后将微电子三极管与实验结果进行了比较,得到若干实用的结论。
关键词 真空微电子 计算机模拟 三极管 四极管
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硅场致发射阵列的工艺研究 被引量:1
14
作者 刘善喜 皮德富 郑玉琦 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第2期129-132,共4页
介绍了硅场致发射阵列工艺研究的初步结果。应用湿法化学腐蚀、硅锥切削及介质平坦化技术成功地制备出了理想形状的场致发射阵列。
关键词 场致发射阵列 阴极电子学
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