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高频大功率金刚石薄膜场效应管的研究进展 被引量:2
1
作者 刘金龙 李成明 +2 位作者 陈良贤 黑立富 吕反修 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期897-905,共9页
随着CVD人工合成金刚石薄膜质量的不断提高,其优异的电学性能在高频、大功率领域特别是场效应管中的应用受到了极大地关注.制作金刚石薄膜场效应管,电子级质量的薄膜、形成良好的接触以及半导体的形成是其关键技术.以此为基础,为达到其... 随着CVD人工合成金刚石薄膜质量的不断提高,其优异的电学性能在高频、大功率领域特别是场效应管中的应用受到了极大地关注.制作金刚石薄膜场效应管,电子级质量的薄膜、形成良好的接触以及半导体的形成是其关键技术.以此为基础,为达到其在高频大功率下使用的目的,减小栅长和各种寄生参数以及提高耐压和散热能力成为决定其性能优劣的关键因素.本文针对金刚石薄膜场效应管制作的关键技术的突破、H端基表面导电机制、目前高频大功率场效应管的水平以及出现的一些相关在研热点进行了综述,展望了其巨大的优越性和广阔的应用前景. 展开更多
关键词 金刚石薄膜 高频 功率 场效应管 综述
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基于功率型场效应管的有载分接开关测试仪校验装置的研制 被引量:4
2
作者 张军 雷民 +1 位作者 项琼 王斯琪 《电测与仪表》 北大核心 2009年第4期53-57,共5页
研制的有载分接开关测试仪校验装置可用于开展有载分接开关测试仪的校验工作。校验功能涉及:过渡电阻、过渡时间、三相同期性、纹波系数、分离角。本文介绍了校验装置的工作原理和核心技术,其中,本校验装置基于Power MOSFET器件实现了... 研制的有载分接开关测试仪校验装置可用于开展有载分接开关测试仪的校验工作。校验功能涉及:过渡电阻、过渡时间、三相同期性、纹波系数、分离角。本文介绍了校验装置的工作原理和核心技术,其中,本校验装置基于Power MOSFET器件实现了过渡电阻实物标准和过渡时间标准的"同步产生",具有创新性。经法定计量检定机构校准,本装置性能参数达到设计要求,国内领先。 展开更多
关键词 有载分接开关测试仪校验装置 功率场效应管 校准 检定 标准装置
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基于功率场效应管的脉冲电磁场发生装置 被引量:1
3
作者 宋柏 《机床与液压》 北大核心 2003年第5期179-181,共3页
本文介绍了一种脉冲电磁场发生系统 ,由单片机控制功率场效应管IRF6 40 ,产生大功率脉冲电流 ,带动负载线圈产生所需要的脉冲电磁场。重点阐述了系统的单片机控制及硬件电路设计。
关键词 功率场效应管 脉冲电磁场 发生装置 单片机 电路设计 控制系统
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高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应
4
作者 李勇 谢海燕 +2 位作者 杨志强 宣春 夏洪富 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第10期210-215,共6页
采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后... 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。 展开更多
关键词 功率微波 金属氧化物半导体场效应管 半导体
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浅谈低噪声场效应管放大器的抗功率烧毁 被引量:2
5
作者 邓杰 陈亦楠 《现代电子》 1995年第2期19-24,共6页
本文从电路理论出发,分析了场效应管的抗功率性能,给出了场效应管的抗功率曲线,以及怎样从设计方法上提高低噪声场效应管放大器的抗功率烧毁能力提出一些看法。
关键词 场效应管 功率 烧毁 低噪声放大器
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英飞凌采用300mm薄晶圆批量生产汽车功率场效应管
6
《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期430-430,共1页
2015年5月20日,英飞凌科技股份公司采用300 mm薄晶圆生产汽车功率场效应管。OptiM OSTM5 40 V产品系列针对二氧化碳减排应用进行了优化,产品在英飞凌位于奥地利菲拉赫的晶圆厂生产。英飞凌的300 mm薄晶圆工艺,是新一代汽车功率场效应管... 2015年5月20日,英飞凌科技股份公司采用300 mm薄晶圆生产汽车功率场效应管。OptiM OSTM5 40 V产品系列针对二氧化碳减排应用进行了优化,产品在英飞凌位于奥地利菲拉赫的晶圆厂生产。英飞凌的300 mm薄晶圆工艺,是新一代汽车功率场效应管产品系列实现性能提升的一个重要基础。 展开更多
关键词 功率场效应管 批量生产 晶圆 汽车 OPTIM 股份公司 碳减排 二氧化
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功率VMOS器件的参数最佳化折衷
7
作者 潘志斌 徐国治 《电讯技术》 北大核心 1989年第2期35-37,共3页
改善功率VMCS器件设计的一个关键问题,是如何对耐压BV_(DSS)和导通电阻R_(on)进行合理的最佳化折衷。本文采用计算机辅助设计(CAD)的方法对各种可能的工艺和结构参数进行了大量计算,按照实际生产中的工艺条件进行筛选,得出了最佳化的设... 改善功率VMCS器件设计的一个关键问题,是如何对耐压BV_(DSS)和导通电阻R_(on)进行合理的最佳化折衷。本文采用计算机辅助设计(CAD)的方法对各种可能的工艺和结构参数进行了大量计算,按照实际生产中的工艺条件进行筛选,得出了最佳化的设计参数。经与VN0906参照对比,证明设计是十分有效和准确的。 展开更多
关键词 vmos 功率 MOSFET 最佳化
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基于金属氧化物半导体场效应管的Marx发生器 被引量:2
8
作者 刁文豪 江伟华 王新新 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期565-568,共4页
给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不... 给出了一种基于半导体开关的脉冲功率源的设计原理和方法。与标准的Marx发生器相比,用金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)替代气体火花隙开关,用二极管替代电阻,由于可重复频率运行,所以能够有效地减少电路损耗。由于电路器件特性差异不同,在实验中采取对每一级的开关驱动信号进行单独调节,以补偿器件差异对同步性带来的影响。另外,实验对开关进行光纤隔离,而对强弱电的隔离采用DC-DC转换器,这不仅有利于保护实验设备,而且对Marx多级电路的同步性也有很大的贡献。设计的Marx发生器级数为16级,并给出了单次脉冲和重复频率两种情况下的实验结果。 展开更多
关键词 脉冲功率 高电压 半导体开关 MARX发生器 金属氧化物半导体场效应管
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VMOS管小型固体激光器电源
9
作者 梁国忠 王世贵 《激光杂志》 CAS 1988年第5期285-287,共3页
VMOS场效应晶体管有许多超过双极晶体管的优点,特别适合于功率电子学应用。我们使用VMOS管、光隔离器等器件研制的小型激光器电源,性能良好。本文给出了实际电路及实验结果。
关键词 激光器电源 vmos MOS场效应晶体管 固体 双极晶体管 功率电子学 光隔离器 器件
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整形高功率激光装置的任意电脉冲发生器设计(英文) 被引量:6
10
作者 刘辉 刘百玉 +3 位作者 白永林 欧阳娴 缑永胜 郑锦坤 《中国光学》 EI CAS 2011年第1期60-65,共6页
基于GaAs场效应管电压控制电流和开关的特性,设计了一种任意电脉冲发生器,并成功应用于激光脉冲整形装置。该电脉冲发生器利用超宽带窄脉冲触发多个GaAs场效应管,产生多路负脉冲,通过模拟延时线依次将各路负脉冲延迟一定时间后经微带线... 基于GaAs场效应管电压控制电流和开关的特性,设计了一种任意电脉冲发生器,并成功应用于激光脉冲整形装置。该电脉冲发生器利用超宽带窄脉冲触发多个GaAs场效应管,产生多路负脉冲,通过模拟延时线依次将各路负脉冲延迟一定时间后经微带线耦合输出多路负脉冲叠加的波形;通过多路不同幅度的脉冲堆积效应来获得形状任意可调的整形电脉冲。为了满足惯性约束聚变(ICF)实验中对电脉冲幅度不能过小的要求,在电路的输出端接入增益可调的超宽带电压放大器,使脉冲幅度达到实验要求。利用设计的任意电脉冲发生器实现了脉冲幅度0~5 V可调、脉宽0~10ns可调、时域调节精度为330 ps,整形方波脉冲下降沿为330 ps、上升沿为240 ps。实验结果表明,将产生的电脉冲注入光波导调制器,可获得理想形状的整形激光脉冲,提高激光脉冲的输出能量。 展开更多
关键词 任意波形发生器 功率激光 微带线 GaAs场效应管
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用于高功率激光脉冲整形的可编程任意波形电脉冲发生器 被引量:4
11
作者 王琛 刘百玉 +7 位作者 欧阳娴 白永林 李东 白晓红 杨文正 田进寿 黄蕾 侯洵 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第7期1181-1186,共6页
研制了一种基于GaAs场效应管与超快脉冲信号微带传输的可编程任意波形发生器.它由计算机控制的多路高准确度偏置电压,多个级联的GaAs场效应管基元电路,以及微带脉冲传输线组成.输出电脉冲波形导入LiNbO3集成光波导调制器,经过电光调制... 研制了一种基于GaAs场效应管与超快脉冲信号微带传输的可编程任意波形发生器.它由计算机控制的多路高准确度偏置电压,多个级联的GaAs场效应管基元电路,以及微带脉冲传输线组成.输出电脉冲波形导入LiNbO3集成光波导调制器,经过电光调制获得相应的激光脉冲波形.通过计算机设置各基d元电路中GaAs场效应管栅极偏压,进而控制整形电脉冲的形状,使高功率激光装置前端时域脉冲整形实现远程控制. 展开更多
关键词 功率激光 时域脉冲整形 任意波形发生器 波导调制器GaAs场效应管
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高功率开关型脉冲YAG激光电源 被引量:3
12
作者 宁喜发 姚建铨 +1 位作者 王鹏 陆颖 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期63-65,共3页
叙述了由SG3525A型PWM控制的全桥功率场效应管变换器的主电路;通过这一创新,提高了电源的输出功率、运转精度(达到0.005)、可靠性和使用寿命。通过对启动电路的改进,使电源启动的成功率达到百分之百。介绍了对主电路参数的计算方法和... 叙述了由SG3525A型PWM控制的全桥功率场效应管变换器的主电路;通过这一创新,提高了电源的输出功率、运转精度(达到0.005)、可靠性和使用寿命。通过对启动电路的改进,使电源启动的成功率达到百分之百。介绍了对主电路参数的计算方法和具有独特优点的逻辑控制电路。 展开更多
关键词 功率 开关型 脉冲YAG激光电源 开关电源 脉冲宽度调制 场效应管变换器
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功率-MOSFET开关特性与参数的测试电路及方法 被引量:4
13
作者 侯铁年 马怀俭 《电测与仪表》 北大核心 2002年第4期27-30,共4页
介绍了测试功率场效应晶体管(简称功率-MOSFET)开关特性、极间电容、栅极电荷等特性与参数的电路及测试方法,经实测证明是正确的。
关键词 功率-场效应管 上升时间 下降时间 极间电容 栅极电荷 测试电路 功率-MOSFET 开关特性
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声光Q开关驱动器功率稳定性研究
14
作者 周丹 王晓新 +1 位作者 吴畏 刘保见 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2013年第2期178-180,共3页
工程应用需求声光Q开关的工作温度范围较宽,声光Q开关的器件受温度变化影响很小,可忽略,但驱动器受温度变化的影响较大,传统驱动器低温输出功率特性极不稳定。该文介绍了一种晶体管与场效应管相结合的方法,取得了良好的效果,解决了功率... 工程应用需求声光Q开关的工作温度范围较宽,声光Q开关的器件受温度变化影响很小,可忽略,但驱动器受温度变化的影响较大,传统驱动器低温输出功率特性极不稳定。该文介绍了一种晶体管与场效应管相结合的方法,取得了良好的效果,解决了功率不稳定性问题。 展开更多
关键词 声光Q开关 驱动器 晶体管 场效应管 功率 稳定性
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大功率激光脉冲二极管触发高增益光导开关实验研究
15
作者 王卫 刘毅 +3 位作者 谌怡 夏连胜 杨超 叶茂 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期125-129,共5页
研究了一种新型大功率激光脉冲二极管的输出特性,该激光二极管主要用于触发工作在高增益模式下的砷化镓光导开关。研制了基于射频金属-氧化物半导体场效应管的激光二极管驱动电路,可以为激光二极管提供上升沿、半高宽和峰值电流分别为4n... 研究了一种新型大功率激光脉冲二极管的输出特性,该激光二极管主要用于触发工作在高增益模式下的砷化镓光导开关。研制了基于射频金属-氧化物半导体场效应管的激光二极管驱动电路,可以为激光二极管提供上升沿、半高宽和峰值电流分别为4ns,20ns和130A的脉冲驱动电流。研究了激光二极管输出的激光脉冲波形、能量、功率、光场分布等特性,并在Blumlein传输线结构中,研究了该大功率激光脉冲二极管的输出特性对工作于高增益模式下的光导开关的导通电阻、开关抖动等主要导通性能参数的影响规律。实验结果表明,激光脉冲的能量和功率越大,光斑面积越大、分布越均匀,在相同偏置电压条件下,光导开关的导通性能越好。 展开更多
关键词 激光二极管 功率 短脉冲 金属-氧化物半导体场效应管 光导开关
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用于功率MOSFET的新型栅电荷测试电路 被引量:4
16
作者 吴志猛 冯全源 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期231-234,共4页
栅电荷是用于衡量功率MOSFET开关性能的重要参数,通常采用在栅极输入电流阶跃信号的方法来测量。一种新型的栅电荷测试电路被提出,该测试电路使控制信号从MOSFET的源极输入,从而消除了控制信号对栅极输入电流的影响。因为输入电流太小... 栅电荷是用于衡量功率MOSFET开关性能的重要参数,通常采用在栅极输入电流阶跃信号的方法来测量。一种新型的栅电荷测试电路被提出,该测试电路使控制信号从MOSFET的源极输入,从而消除了控制信号对栅极输入电流的影响。因为输入电流太小不能直接测量,测试时采用测量电压阶跃信号的方法来衡量电流阶跃信号的性能。与以往的测试电路对比结果表明,该电路可以使MOSFET栅极输入的电流更接近于理想的电流阶跃信号,该信号上升时间小于100 ns,并且上升后稳定,因此提高了栅电荷测量的准确度。 展开更多
关键词 功率金属氧化物半导体场效应管 栅电荷 测试电路 源极控制信号 电流阶跃信号
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L波段高功率密度LDMOS脉冲功率测试方法
17
作者 王帅 李科 +2 位作者 丛密芳 杜寰 韩郑生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第10期819-823,共5页
报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研... 报道了在工作电压50 V、频率1.2 GHz下,功率密度1.2 W/mm射频LDMOS功率器件的研制结果。由于大功率LDMOS功率器件输入阻抗小,在50Ω负载牵引系统下测试容易出现低频振荡,严重损坏待测器件。为了消除这种低频振荡,更好地进行功率测试,研究采用了直通-反射-传输线(TRL)低阻抗测试夹具。此种夹具可以很好地抑制低频率的功率增益,消除低频振荡;而且使阻抗调节器获得更多的低阻抗点,提高负载牵引系统测试的准确度。在低阻抗的负载牵引系统测试环境下,1.2 GHz下,脉冲输出功率在1 dB压缩点为109.4 W,功率密度达到1.2 W/mm。 展开更多
关键词 横向双扩散场效应管器件 L波段 功率密度 脉冲功率 TRL低阻抗测试夹具
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无电源变压器的功率放大器电路
18
作者 李敬奕 费战波 《电测与仪表》 北大核心 1997年第7期45-46,共2页
工频信号的功率放大器一般采用OCL式,需要电源变压器经整流滤波后,产生正负对称嵉缭床拍芄ぷ鳎业缏犯丛樱寤亓看蟆1緧文介绍的功放采用220V直接整流的方法,省去嵙说缭幢溲蛊鳎缏芳虻ィ椎魇裕构Ψ盘鍗积重量大大... 工频信号的功率放大器一般采用OCL式,需要电源变压器经整流滤波后,产生正负对称嵉缭床拍芄ぷ鳎业缏犯丛樱寤亓看蟆1緧文介绍的功放采用220V直接整流的方法,省去嵙说缭幢溲蛊鳎缏芳虻ィ椎魇裕构Ψ盘鍗积重量大大减小。 展开更多
关键词 功率放大器 电源变压器 OCL功放 vmos
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大电流窄脉冲激光器电源的设计 被引量:4
19
作者 杨林森 刘俊 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期78-79,共2页
本文主要介绍了一种为大电流窄脉冲激光器供电的激光电源的设计方法。文章中首先论述了激光电源的发展现状。然后根据工作项目的要求,通过CPLD实现脉冲可调,用VMOS管实现恒流控制,详细的介绍了这种激光电源的工作原理,设计方法,电路调... 本文主要介绍了一种为大电流窄脉冲激光器供电的激光电源的设计方法。文章中首先论述了激光电源的发展现状。然后根据工作项目的要求,通过CPLD实现脉冲可调,用VMOS管实现恒流控制,详细的介绍了这种激光电源的工作原理,设计方法,电路调试的过程及结果。最终成功的设计出激光电源,其工作频率可调,脉宽:80ns-200ns可调,脉冲电流高达6A。 展开更多
关键词 激光电源 vmos功率场效应管 大电流 窄脉冲
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迟滞比较器在蓄电池备用电源中的应用 被引量:4
20
作者 高锦秀 翟俊祥 +1 位作者 周晓华 曹全喜 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期25-26,32,共3页
介绍迟滞比较器在蓄电池备用电源电路中的应用。由于它的巧妙使用,使得该电源电路结构非常简单,电池寿命延长,而且工作可靠、性能稳定。本文给出一精心设计的应用电路。
关键词 迟滞比较器 备用电源 vmos场效应管 蓄电池
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