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SESAM锁模OP-VECSELs技术被引量：3: 1; 作者张鹏于未茗 +1 位作者宋晏蓉张志刚《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期291-294,共4页; 综述了半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的理论,分析总结了相关实验技术手段,对SESAM锁模OP-VECSELs的最新研究成果作了介绍。; 关键词激光技术半导体可饱和吸收镜锁模光抽运垂直外腔面发射半导体激光器重复频率饱和能量饱和参数调制深度; 在线阅读下载PDF 职称材料

OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究: 2; 作者黄祖炎韦欣 +1 位作者王青宋国峰《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期998-1001,共4页; 光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景。采用MOCVD生长了工作波长为980nm的VECSEL芯片,测量了芯片X射线衍射(XRD)图谱,光致发光(PL)谱和反射谱,结果表明,芯片生长的准确性较... 展开更多; 关键词垂直外腔面发射激光器金属有机化合物气相淀积反射谱纵向增强因子; 在线阅读下载PDF 职称材料

高功率1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器: 3; 作者张志军陈贺 +8 位作者张卓刘志君张建伟杜子业周寅利张星陈超宁永强王立军《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1531-1538,共8页; 针对目前激光医疗、食品药品检测等领域对橙黄色激光的应用需求,开展了高功率基频光1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)研究。提出激光谐振腔内大尺寸基模光斑外腔结构,使VECSEL腔内模式匹配较大泵浦光斑尺寸,实现了高功率激光... 展开更多; 关键词半导体激光器垂直外腔面发射半导体激光器增益芯片应变量子阱; 在线阅读下载PDF 职称材料

光抽运垂直外腔面发射激光器的光谱特性研究被引量：2: 4; 作者何春凤李军 +4 位作者秦莉梁雪梅路国光宁永强王立军《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期365-367,共3页; 光抽运垂直外腔面发射半导体激光器(OPS-VECSEL)是近年来才开始研究的一种新型激光器,在很多领域中都具有广泛的应用前景,国内关于这种器件的研究报道还很少。通过分析器件的工作机理,给出热的产生过程和热效应对器件功率特性的影响;通... 展开更多; 关键词 OPS-vecsel 载流子热特性; 在线阅读下载PDF 职称材料

光抽运垂直外腔面发射激光器特性与研究进展被引量：4: 5; 作者张冠杰舒永春 +5 位作者刘如彬舒强林耀望姚江宏王占国许京军《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期351-354,共4页; 介绍了光抽运半导体垂直外腔面发射激光器的结构特点、设计原理及其性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。; 关键词光电子学垂直外腔面发射激光器光抽运分布布喇格反射镜超短脉冲; 在线阅读下载PDF 职称材料

增益腔模大失配型垂直外腔面发射激光器侧向激射抑制被引量：1: 6; 作者宫玉祥张卓 +8 位作者张建伟张星周寅利刘天娇徐玥辉吴昊陈超宁永强王立军《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期314-320,共7页; 垂直外腔面发射激光器(Vertical external cavity surface emitting laser,VECSEL)的侧向激射是制约其高性能工作的关键。我们设计了室温下量子阱增益峰与表面腔模大失配(30 nm)的增益芯片结构,并证实该结构可以有效抑制泵浦功率增加时V... 展开更多; 关键词垂直外腔面发射激光器侧向激射增益失谐模式竞争; 在线阅读下载PDF 职称材料

光泵浦外腔半导体激光器的研究进展被引量：1: 7; 作者张守权邵志强《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期127-131,共5页; 从谐振腔和半导体增益介质的角度介绍了光泵浦外腔面发射半导体激光器的基本结构,评述了国内外在该领域的最新研究进展,探讨了该类型激光器在大功率、小型化技术方面的发展前景。; 关键词谐振腔半导体增益介质光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器大功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

量子阱调制双波长光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器: 8; 作者李志伟张卓 +5 位作者张建伟张星周寅利曾玉刚宁永强王立军《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期951-957,共7页; 报道了一种采用单个增益芯片实现双波长输出的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)。VECSEL所用的增益芯片发光区由两组不同发光波长的量子阱组成,其中一组发光波长较短的量子阱采用吸收区泵浦的方式,另一组发光波长较长的量子阱... 展开更多; 关键词半导体激光器双波长工作垂直外腔面发射半导体激光器强度调制; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SESAM锁模OP-VECSELs技术被引量：3: 1; 作者张鹏于未茗宋晏蓉张志刚; 机构北京工业大学应用数理学院; 出处《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期291-294,共4页; 文摘综述了半导体可饱和吸收镜(SESAM)锁模光抽运垂直外腔面发射半导体激光器的理论,分析总结了相关实验技术手段,对SESAM锁模OP-VECSELs的最新研究成果作了介绍。; 关键词激光技术半导体可饱和吸收镜锁模光抽运垂直外腔面发射半导体激光器重复频率饱和能量饱和参数调制深度; Keywords laser technique semiconductor saturable absorber mirror （SESAM） mode-locking optically pumped verticalexternal-cavity surface-emitting semiconduetor lasers （ OP-vecsels ） repetition rate saturation energy saturation parameter modulation depth; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究: 2; 作者黄祖炎韦欣王青宋国峰; 机构中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室中国科学院研究生院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第10期998-1001,共4页; 基金国家自然科学基金重点项目(60636030); 文摘光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)是一种新型激光器,在很多领域都具有广阔的应用前景。采用MOCVD生长了工作波长为980nm的VECSEL芯片,测量了芯片X射线衍射(XRD)图谱,光致发光(PL)谱和反射谱,结果表明,芯片生长的准确性较高。同时采用物理光学的理论结合实际模型,运用矩阵分析方法计算了VECSEL的反射谱,计算结果与实验结果吻合良好。最后,通过对不同窗口层厚度的纵向增强因子的计算和分析得到了共振结构具有高的峰值增强,反共振结构具有大的增益带宽。在理论上提出,对于该OPS-VECSEL结构,采用共振和反共振结构之间的窗口厚度可以使其稳定工作在特定波长而又不严格限制增益带宽。; 关键词垂直外腔面发射激光器金属有机化合物气相淀积反射谱纵向增强因子; Keywords vecsel MOCVD reflectivity spectrum longitudinal enhancement factor; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高功率1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器: 3; 作者张志军陈贺张卓刘志君张建伟杜子业周寅利张星陈超宁永强王立军; 机构辽宁科技学院电气与自动化工程学院华晨宝马汽车有限公司中国科学院长春光学精密机械与物理研究所特种发光科学与技术重点实验室中国科学院大学大珩学院长春中科长光时空光电技术有限公司; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第9期1531-1538,共8页; 基金 2024辽宁省教育厅科技创新团队项目(2024JYTKYTD-21) 辽宁省教育厅青年项目(LJKQZ20222339) +5 种基金中国博士后科学基金资助项目(GZC20232977,2024T170998)。; 文摘针对目前激光医疗、食品药品检测等领域对橙黄色激光的应用需求,开展了高功率基频光1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)研究。提出激光谐振腔内大尺寸基模光斑外腔结构,使VECSEL腔内模式匹配较大泵浦光斑尺寸,实现了高功率激光输出;提出增益峰-腔模失谐结构,增益峰与腔模温漂系数不同,高泵浦功率下具有良好的增益峰-腔模匹配,实现高泵浦功率工作下的激光波长稳定控制。制备的VECSEL器件在1150 nm激光波长的输出功率达到9.38 W,并获得良好的圆形对称的输出光斑形貌,光斑在正交方向上的发散角分别为7.3°和7.5°。; 关键词半导体激光器垂直外腔面发射半导体激光器增益芯片应变量子阱; Keywords semiconductor laser vertical external cavity surface emitting semicondctor laser(vecsel) gain chip strained quantum well; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光抽运垂直外腔面发射激光器的光谱特性研究被引量：2: 4; 作者何春凤李军秦莉梁雪梅路国光宁永强王立军; 机构长春光学精密机械与物理研究所激发态重点实验室; 出处《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2007年第z1期365-367,共3页; 基金国家自然科学基金资助项目(60577003 60636020 +1 种基金 60476029 60676034); 文摘光抽运垂直外腔面发射半导体激光器(OPS-VECSEL)是近年来才开始研究的一种新型激光器,在很多领域中都具有广泛的应用前景,国内关于这种器件的研究报道还很少。通过分析器件的工作机理,给出热的产生过程和热效应对器件功率特性的影响;通过测量的外延片表面扫描电镜图像和光致发光谱的结果可以看出:增益材料有源区的热效应导致载流子寿命饱和,势垒内产生的电子空穴对没有足够的时间运动到量子阱中,而是在势垒层发生了非辐射复合。; 关键词 OPS-vecsel 载流子热特性; Keywords OPS-vecsel Carrier Thermal feature; 分类号 TN284 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光抽运垂直外腔面发射激光器特性与研究进展被引量：4: 5; 作者张冠杰舒永春刘如彬舒强林耀望姚江宏王占国许京军; 机构南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室; 出处《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期351-354,共4页; 文摘介绍了光抽运半导体垂直外腔面发射激光器的结构特点、设计原理及其性能优势,综合评述该领域的最新研究进展,并探讨该类型激光器的发展前景和技术发展方向。; 关键词光电子学垂直外腔面发射激光器光抽运分布布喇格反射镜超短脉冲; Keywords optoelectronics vertical-extemal-cavity surface-emitting laser（ vecsel） optical pumping distributed Bragg reflector（DBR） ultra short pulse; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名增益腔模大失配型垂直外腔面发射激光器侧向激射抑制被引量：1: 6; 作者宫玉祥张卓张建伟张星周寅利刘天娇徐玥辉吴昊陈超宁永强王立军; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室中国科学院大学; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期314-320,共7页; 基金国家重点研发计划(2018YFB2201103) 吉林省科技发展计划重点项目(20200401006GX) +1 种基金国家自然科学基金重大项目(62090060)。; 文摘垂直外腔面发射激光器(Vertical external cavity surface emitting laser,VECSEL)的侧向激射是制约其高性能工作的关键。我们设计了室温下量子阱增益峰与表面腔模大失配(30 nm)的增益芯片结构,并证实该结构可以有效抑制泵浦功率增加时VECSEL的侧向激射增强问题。增益芯片基底温度为20℃时,VECSEL正向激射波长位于980 nm,侧向激射波长位于950 nm,当泵浦功率逐步增加时,侧向激射强度随着正向激射的出现而迅速降低。这是因为激光正向激射时量子阱的受激辐射能级与正向激射激光模式匹配,正向激射的激光模式可以获取更高的模式增益,在与侧向模式的竞争中处于优势地位。当基底温度控制在0℃与10℃时,量子阱本征增益峰值与表面腔模失配度增大,此时VECSEL仍然表现出稳定的侧向激射抑制效果。; 关键词垂直外腔面发射激光器侧向激射增益失谐模式竞争; Keywords vertical external cavity surface emitting lasers(vecsels) lateral lasing gain detuning mode competition; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光泵浦外腔半导体激光器的研究进展被引量：1: 7; 作者张守权邵志强; 机构海军装备部驻沈阳地区军事代表局中国电子科技集团公司第四十九研究所; 出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期127-131,共5页; 文摘从谐振腔和半导体增益介质的角度介绍了光泵浦外腔面发射半导体激光器的基本结构,评述了国内外在该领域的最新研究进展,探讨了该类型激光器在大功率、小型化技术方面的发展前景。; 关键词谐振腔半导体增益介质光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器大功率; Keywords resonant cavity semiconductor gain medium OP-vecsel high power; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名量子阱调制双波长光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器: 8; 作者李志伟张卓张建伟张星周寅利曾玉刚宁永强王立军; 机构中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室中国科学院大学材料科学与光电技术学院; 出处《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第6期951-957,共7页; 基金国家重点研发计划(2018YFB2201103) 国家自然科学基金重大项目(62090060) +1 种基金吉林省科技发展计划项目(20200401006GX)。; 文摘报道了一种采用单个增益芯片实现双波长输出的光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)。VECSEL所用的增益芯片发光区由两组不同发光波长的量子阱组成,其中一组发光波长较短的量子阱采用吸收区泵浦的方式,另一组发光波长较长的量子阱采用阱内泵浦方式。在VECSEL工作时,吸收区泵浦的短波长量子阱率先激射,由于发光波长较长的量子阱对短波长量子阱的强度调制效应,此时可以观察到两种波长的光谱峰值强度随时间周期性振荡,采用高灵敏探测器观察到VECSEL此时的输出激光呈现出脉冲输出形式。随着泵浦功率进一步增加,VECSEL的输出激光呈现稳定的双波长输出,激光波长峰位分别位于967.5 nm和969.8 nm。VECSEL双波长稳定输出时的最大激光功率可以达到560 mW,光斑在正交方向呈现对称高斯形貌,正交方向发散角分别为6.68°和6.87°。; 关键词半导体激光器双波长工作垂直外腔面发射半导体激光器强度调制; Keywords semiconductor lasers dual-wavelength vertical external cavity surface-emitting laser(vecsel) intensity modulation effect; 分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	SESAM锁模OP-VECSELs技术	张鹏于未茗宋晏蓉张志刚	《激光技术》 CAS CSCD 北大核心	2007	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	OPS-VECSEL芯片的生长与光谱研究	黄祖炎韦欣王青宋国峰	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	高功率1150 nm垂直外腔面发射半导体激光器	张志军陈贺张卓刘志君张建伟杜子业周寅利张星陈超宁永强王立军	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	光抽运垂直外腔面发射激光器的光谱特性研究	何春凤李军秦莉梁雪梅路国光宁永强王立军	《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心	2007	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	光抽运垂直外腔面发射激光器特性与研究进展	张冠杰舒永春刘如彬舒强林耀望姚江宏王占国许京军	《激光技术》 CAS CSCD 北大核心	2006	4	在线阅读下载PDF 职称材料
6	增益腔模大失配型垂直外腔面发射激光器侧向激射抑制	宫玉祥张卓张建伟张星周寅利刘天娇徐玥辉吴昊陈超宁永强王立军	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料
7	光泵浦外腔半导体激光器的研究进展	张守权邵志强	《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心	2016	1	在线阅读下载PDF 职称材料
8	量子阱调制双波长光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器	李志伟张卓张建伟张星周寅利曾玉刚宁永强王立军	《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心	2022	0	在线阅读下载PDF 职称材料