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VDF/CTFE共聚物的链段结构研究 被引量：2
1
作者 丁国芳 罗顺火 +1 位作者 王建华 徐瑞娟 《火炸药学报》 CAS CSCD 2001年第4期31-33,共3页
用核磁共振 (NMR)法分析了 VDF/ CTFE(1∶ 4)共聚物1H、13 C的化学位移和链节中特征碳原子的链段结构。并从量子化学角度计算了参与反应的两种单体 (偏二氟乙烯和三氟氯乙烯 )的竞聚率 ,讨论了该共聚物具有无序的链节序列分布特征 ,结... 用核磁共振 (NMR)法分析了 VDF/ CTFE(1∶ 4)共聚物1H、13 C的化学位移和链节中特征碳原子的链段结构。并从量子化学角度计算了参与反应的两种单体 (偏二氟乙烯和三氟氯乙烯 )的竞聚率 ,讨论了该共聚物具有无序的链节序列分布特征 ,结果表明 ,不同溶解性的该共聚物 。 展开更多
关键词 vdf/ctfe共聚物 NMR 量子化学 链段结构
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Py-GC/MS在VDF/CTFE共聚物链段结构和其裂解机理研究上的应用
2
作者 丁国芳 罗顺火 +1 位作者 王建华 徐瑞娟 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期277-279,326,共4页
用高分辨裂解气相色谱 质谱联用技术 (Py GC/MS)分析了VDF/CTFE(1∶4)链段结构和裂解机理。通过对实验条件的选择 ,找出了一套适合于VDF/CTFE(1∶4)共聚物的实验操作条件 ,且表明在此条件下所得的裂解谱图的重现性非常好。讨论了该共... 用高分辨裂解气相色谱 质谱联用技术 (Py GC/MS)分析了VDF/CTFE(1∶4)链段结构和裂解机理。通过对实验条件的选择 ,找出了一套适合于VDF/CTFE(1∶4)共聚物的实验操作条件 ,且表明在此条件下所得的裂解谱图的重现性非常好。讨论了该共聚物具有无序的链段结构特征 ;确定此共聚物裂解机理为解聚断裂生成单体 。 展开更多
关键词 共聚物 链段结构 偏二氟乙烯 三氟氟乙烯 裂解机理 裂解气相色谱-质谱联用技术
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老化对VDF/CTFE无规共聚物结晶行为的影响 被引量：2
3
作者 刘俊玲 王晓川 孙杰 《工程塑料应用》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期54-57,共4页
用差示扫描量热仪和凝胶色谱仪研究了F2314[共聚比为1∶4的(偏氟乙烯/三氟氯乙烯)共聚物]在45～75℃恒温老化过程中的结晶行为。结果表明,F2314在低于45℃比较稳定,熔融温度(Tm)约为97℃,片晶厚度为71nm,不会随时间发生明显的变化;在较... 用差示扫描量热仪和凝胶色谱仪研究了F2314[共聚比为1∶4的(偏氟乙烯/三氟氯乙烯)共聚物]在45～75℃恒温老化过程中的结晶行为。结果表明,F2314在低于45℃比较稳定,熔融温度(Tm)约为97℃,片晶厚度为71nm,不会随时间发生明显的变化;在较高温度老化过程中,结晶逐渐完善,75℃老化60d、60℃老化90d后F2314的晶区变化趋于平缓,其中75℃老化后Tm升高至105℃,片晶厚度达86nm,结晶度从初始的6.4%上升到9.3%;老化过程还伴随着分子量的下降,F在75℃老化15d后质均分子量下降了11%,促进了老化初期的快速结晶。 展开更多
关键词 氟树脂 (偏氟乙烯/三氟氯乙烯)共聚物 老化 结晶
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氟共聚物VDF-CTFE乙酸乙酯体系的MARK-HOUWINK方程参数订定
4
作者 罗顺火 姬广富 《含能材料》 EI CAS CSCD 1993年第4期31-34,共4页
通过凝胶渗透色谱和特性粘度实验技术,应用普适校正的原理,订定了偏二氟乙烯和三氟氯乙烯按1:4分子比的共聚物在乙酸乙酯中(25℃)的Mark-Houwink方程参数。结果得K=1.36×10^(-3),a=0.835。将这结果运用到该色谱谱图计算,所得的特... 通过凝胶渗透色谱和特性粘度实验技术,应用普适校正的原理,订定了偏二氟乙烯和三氟氯乙烯按1:4分子比的共聚物在乙酸乙酯中(25℃)的Mark-Houwink方程参数。结果得K=1.36×10^(-3),a=0.835。将这结果运用到该色谱谱图计算,所得的特性粘度值与用粘度法的实测值比较,最大相对偏差小于2％。 展开更多
关键词 M-H方程 炸药 乙酸乙酯 vdf-ctfe 共聚物
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P(VDF-CTFE)/DA@BTO层叠式结构复合薄膜的介电与储能特性研究 被引量：2
5
作者 熊平 吴睿 +2 位作者 马超 徐建华 王桥梅 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2024年第7期28-35,共8页
聚偏氟乙烯(PVDF)基聚合物在高储能密度、高脉冲储能领域具有广泛的应用前景。本文采用钛酸钡(BTO)纳米颗粒掺杂聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-CTFE))溶液,采用流延法制备P(VDF-CTFE)/BTO复合薄膜,探讨了不同BTO掺杂含量对复合薄膜微观... 聚偏氟乙烯(PVDF)基聚合物在高储能密度、高脉冲储能领域具有广泛的应用前景。本文采用钛酸钡(BTO)纳米颗粒掺杂聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-CTFE))溶液,采用流延法制备P(VDF-CTFE)/BTO复合薄膜,探讨了不同BTO掺杂含量对复合薄膜微观结构、介电性能、储能特性的影响;采用多巴胺(DA)改性BTO以提升BTO与聚合物基体的相容性,改善复合薄膜的介电常数和电气强度;同时利用薄膜层间“击穿阻碍效应”制备层叠式结构复合薄膜以提升薄膜的储能特性。结果表明:使用DA改性BTO质量分数为10%的P(VDF-CTFE)/DA@BTO复合薄膜作为中间层、P(VDF-CTFE)作为外层制备的PV-BT-PV层叠式三明治结构复合薄膜,介电常数达到10.44,最大电气强度为362.25kV/mm,在500kV/cm电场强度下的充放电效率达到86.63%。 展开更多
关键词 钛酸钡 聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯 层叠式结构复合薄膜 介电特性 储能特性
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界面改善对P(VDF-co-CTFE)/BST复合材料介电和储能性能影响 被引量：4
6
作者 夏卫民 张志成 +1 位作者 陈源清 曹从军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第14期1894-1898,共5页
用溶胶-凝胶法合成了钛酸锶钡(BaSrTiO3,BST)陶瓷,获得了粒径为50nm左右的高活性纳米陶瓷粉体,并通过硅烷偶联剂(KH550)进行了表面处理。将表面处理后的BST粉末与含氟铁电聚合物聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-co-CTFE))采用0-3方式进行... 用溶胶-凝胶法合成了钛酸锶钡(BaSrTiO3,BST)陶瓷,获得了粒径为50nm左右的高活性纳米陶瓷粉体,并通过硅烷偶联剂(KH550)进行了表面处理。将表面处理后的BST粉末与含氟铁电聚合物聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯(P(VDF-co-CTFE))采用0-3方式进行了复合。然后通过溶液流延法在石英片上制备了P(VDF-co-CTFE)/BaSrTiO3复合材料厚膜,并进行了淬火处理。采用XRD、TEM、TGA和SEM表征了纳米陶瓷和复合材料形貌。结果表明KH550可以有效地作用于高介电常数BST陶瓷颗粒表面。KH550处理后的复合材料具有更大的介电常数(εr>33),更高耐电场强度(Eb>270MV/m)和较低的损耗。界面处理同时可以有效提高复合材料的饱和极化强度(Ps),降低剩余极化强度(Pr),使其储能密度(Ue)达6.8J/cm3。总体结果表明,两相界面改善后的聚合物/陶瓷复合材料在高储能密度领域中具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 复合材料界面 聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯 钛酸锶钡 储能
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聚偏氟乙烯共聚物薄膜铁电性能和电容特性研究 被引量：3
7
作者 宋江闯 赵会玲 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2014年第2期152-154,共3页
制备了以聚苯乙烯磺酸(PSSH)为上下界面层的聚(偏氟乙烯)(PVDF)二元共聚物聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)[P(VDF-TrFE)]及聚(偏氟乙烯-氯氟乙烯)[P(VDF-CTFE)]的三明治结构电容器,研究了P(VDF-TrFE)和P(VDF-CTFE)2两种共聚物薄膜的铁电性能和电... 制备了以聚苯乙烯磺酸(PSSH)为上下界面层的聚(偏氟乙烯)(PVDF)二元共聚物聚(偏氟乙烯-三氟乙烯)[P(VDF-TrFE)]及聚(偏氟乙烯-氯氟乙烯)[P(VDF-CTFE)]的三明治结构电容器,研究了P(VDF-TrFE)和P(VDF-CTFE)2两种共聚物薄膜的铁电性能和电容特性。结果表明,厚度为60nm的Ti/PSSH/P(VDF-TrFE)/PSSH/Ti超薄薄膜表现出优异的铁电性能;而厚度为100nm的Ti/PSSH/P(VDF-CTFE)/PSSH/Ti薄膜表现出较好的电容特性,存储能量密度高达60J/cm3。研究结果为其在电子器件上的应用提供理论指导。 展开更多
关键词 铁电性 聚(偏氟乙烯-三氟乙烯) 聚(偏氟乙烯-氯氟乙烯) 电容性 超薄薄膜
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偏氟乙烯/三氟氯乙烯共聚物的合成及其微观结构 被引量：1
8
作者 李衡峰 岳春波 边宏 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期362-366,共5页
利用1,1,2-三氟三氯乙烷(F113)作溶剂,通过自由基聚合得到不同配比偏氟乙烯与三氟氯乙烯的共聚物,利用NMR,FTIR,GPC和元素分析对共聚物进行表征和讨论。对共聚物的19FNMR结构进行分析、对比。研究结果表明:—CH2CF2CF2CFClCH2CF2—结构... 利用1,1,2-三氟三氯乙烷(F113)作溶剂,通过自由基聚合得到不同配比偏氟乙烯与三氟氯乙烯的共聚物,利用NMR,FTIR,GPC和元素分析对共聚物进行表征和讨论。对共聚物的19FNMR结构进行分析、对比。研究结果表明:—CH2CF2CF2CFClCH2CF2—结构和—CF2CFClCF2CFClCF2—结构为随反应物三氟氯乙烯(CTFE)的增加主要的结构增长成分,增速是其他结构增长速度的2倍;F113的使用提高了共聚物中的CTFE的含量;该种反应中少量的CTFE-CTFE结构中存在明显的晶区。 展开更多
关键词 聚偏氟乙烯三氟氯乙烯 微观结构 共聚物 聚合
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共沉淀析出-热压技术制备高储能性能复合材料薄膜
9
作者 王耀 邵丹丹 雷炳育 《复合材料科学与工程》 CAS 北大核心 2024年第3期97-102,共6页
高储能性能的储能电容器因其超快充放电速度、超高功率密度而在船载逆变器、光伏发电、航母弹射系统等领域受到广泛关注。提升现有电容器储能密度(Ue)能够加快实现电力电子技术设备的集成化并促进电力电子技术的快速发展。以聚偏氟乙烯... 高储能性能的储能电容器因其超快充放电速度、超高功率密度而在船载逆变器、光伏发电、航母弹射系统等领域受到广泛关注。提升现有电容器储能密度(Ue)能够加快实现电力电子技术设备的集成化并促进电力电子技术的快速发展。以聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯[P(VDF-CTFE)]为基体,以线性均聚物聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为填料,限制P(VDF-CTFE)的结晶及铁电相变,采用共沉淀析出-热压技术替代传统溶液流延法,以实现复合材料结构的均一性。结果显示PMMA能够在P(VDF-CTFE)中均匀分布且限制铁电弛豫损耗,结合相场模拟分析可知均匀分布的PMMA能够优化电场分布,20vol%填充量时在372 MV/m的电场下获得10.1 J/cm 3的Ue与74%的能量释放效率(η),为高储能复合电介质薄膜的实用化提供科技支撑。 展开更多
关键词 聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯 聚甲基丙烯酸甲酯 能量损耗 储能密度 复合材料
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聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯接枝材料的合成与表征
10
作者 李衡峰 郝泽铭 +1 位作者 谭凯元 秦牡兰 《中南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1724-1729,共6页
以聚偏氟乙烯三氟氯乙烯(poly(vinylidene-fluoride-chlorotrifluoroethylene),即P(VDF-CTFE))为引发剂,采用原子转移自由基聚合(ATRP),在其主链上接枝液晶6-((4-cyano-4-biphenyl)oxy)hexyl methacrylate(CBHM),合成一种新型的接枝聚合... 以聚偏氟乙烯三氟氯乙烯(poly(vinylidene-fluoride-chlorotrifluoroethylene),即P(VDF-CTFE))为引发剂,采用原子转移自由基聚合(ATRP),在其主链上接枝液晶6-((4-cyano-4-biphenyl)oxy)hexyl methacrylate(CBHM),合成一种新型的接枝聚合物P(VDF-CTFE)-g-PCBHM。用质子核磁共振(1H-NMR)、红外光谱(FT-IR)、凝胶渗透色谱(GPC)表征接枝是否成功。并用差示扫描量热仪(DSC)和广角X线衍射考察了接枝链段对聚合物结晶行为的影响。研究结果表明:在接枝链段参与下,聚合物出现了有利于改善材料电致伸缩性的极性β相;这种合成方式也为其他含CTFE的氟聚合物的修饰改性提供了一种可行的方法。 展开更多
关键词 原子转移自由基聚合 聚偏氟乙烯-三氟氯乙烯 接枝
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