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平行磁场对含V型缺陷的管线钢的腐蚀行为影响
被引量：
1
1
作者
王浩千
王丹
+3 位作者
侯政煜
梁守才
张晓龙
谢飞
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第2期78-87,共10页
目的 研究平行磁场对含V型腐蚀缺陷的X70管线钢在库尔勒土壤模拟溶液中的腐蚀行为影响。方法 利用失重法来计算含V型腐蚀缺陷的X70管线钢在不同平行磁场强度下的腐蚀速率。采用扫描电子显微镜和X射线光电子能谱(XPS)对V型槽槽内外腐蚀...
目的 研究平行磁场对含V型腐蚀缺陷的X70管线钢在库尔勒土壤模拟溶液中的腐蚀行为影响。方法 利用失重法来计算含V型腐蚀缺陷的X70管线钢在不同平行磁场强度下的腐蚀速率。采用扫描电子显微镜和X射线光电子能谱(XPS)对V型槽槽内外腐蚀样貌及腐蚀产物进行分析,并分析出各腐蚀产物相对含量。结果 发现平行磁场的加入,加速了V型槽槽外的腐蚀,减缓了V型槽槽内的腐蚀。随着磁场强度的增加,平行磁场对V型槽槽外和槽内的促进及抑制作用加强,无磁场时V型槽槽外腐蚀产物为Fe_(2)O_(3),然而随着磁场强度的增加,V型槽槽外腐蚀产物Fe_(2)O_(3)的相对含量增多,单质Fe的相对含量减少。而V型槽槽内的腐蚀产物Fe_(2)O_(3)随着磁场强度的增加逐渐减少,并且在40 mT时腐蚀产物变化为Fe_(3)O_(4),70 mT时腐蚀产物变化为FeO。结论 平行磁场的存在加速了V型槽槽外腐蚀,抑制了V型槽槽内腐蚀,并随着磁场强度的增加,磁场对管线钢腐蚀的促进及抑制作用均增强。本文的研究结果对理解管线钢在磁场作用下的腐蚀失效行为有一定的参考价值。
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关键词
平行磁场
腐蚀
X70钢
v型缺陷
库尔勒土壤
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职称材料
GaN基材料中V型缺陷对LED光电性能的影响
2
作者
汪
洋
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期383-389,共7页
发光效率是LED器件的核心指标,为了提升GaN-LED的发光效率,研究了具有不同V型缺陷密度的材料与器件的光致发光及电致发光特性,分析了影响发光效率的因素,研究发现V型缺陷一方面通过提升载流子(特别是空穴)注入效率而改善发光效率,另一...
发光效率是LED器件的核心指标,为了提升GaN-LED的发光效率,研究了具有不同V型缺陷密度的材料与器件的光致发光及电致发光特性,分析了影响发光效率的因素,研究发现V型缺陷一方面通过提升载流子(特别是空穴)注入效率而改善发光效率,另一方面又会通过减少有效发光面积而降低发光效率,这一竞争机制共同影响具有V型缺陷结构的GaN-LED的发光效率.结果表明,尺寸为0.25mm×0.75mm的芯片在150mA驱动条件下,随着V型缺陷密度的增加,发光功率和外量子效率先上升后下降.对于最优化缺陷密度(4.2×10~8 cm^(-2))的样品,其发光功率和外量子效率分别为183.5mW和45.0%,较最小缺陷密度(1.7×10~8 cm^(-2))样品的发光功率172.2mW和外量子效率42.2%,均约提升6.6%.
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关键词
GAN
发光二极管
v型缺陷
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职称材料
位错类型对GaN基蓝光LED光效衰减效应的影响
被引量：
3
3
作者
朱学亮
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第8期597-601,616,共6页
蓝光LED的光效衰减可以使器件在高电流密度下的发光效率急剧降低。研究了GaN材料中不同位错类型对蓝光LED光效衰减效应的影响。通过控制物理气相沉积AlN缓冲层厚度及GaN缓冲层的有无,得到了两组不同螺位错和刃位错密度的GaN样品,其中螺...
蓝光LED的光效衰减可以使器件在高电流密度下的发光效率急剧降低。研究了GaN材料中不同位错类型对蓝光LED光效衰减效应的影响。通过控制物理气相沉积AlN缓冲层厚度及GaN缓冲层的有无,得到了两组不同螺位错和刃位错密度的GaN样品,其中螺位错密度为1.5×107~1×108 cm-2,而刃位错密度为2×108~7×108 cm-2。LED芯片测试结果表明,外量子效率维持率随着螺位错密度的增加而提升,从46.1%增加到54.9%;但随着刃位错密度的增加而降低。刃位错是非辐射复合中心,会加剧高电流密度下的光效衰减效应;而螺位错不是明显的非辐射复合中心,较高的螺位错密度可以改善LED的光效衰减效应。因此可以通过适当增加螺位错密度来提升LED的外量子效率。
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关键词
光效衰减
GAN基LED
外量子效率
位错
v型缺陷
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职称材料
题名
平行磁场对含V型缺陷的管线钢的腐蚀行为影响
被引量：
1
1
作者
王浩千
王丹
侯政煜
梁守才
张晓龙
谢飞
机构
辽宁石油化工大学石油天然气工程学院
中石油辽河油田油气集输公司
出处
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第2期78-87,共10页
基金
国家自然科学基金资助项目(51604150)
辽宁省自然科学基金面上项目(2022-MS-362)。
文摘
目的 研究平行磁场对含V型腐蚀缺陷的X70管线钢在库尔勒土壤模拟溶液中的腐蚀行为影响。方法 利用失重法来计算含V型腐蚀缺陷的X70管线钢在不同平行磁场强度下的腐蚀速率。采用扫描电子显微镜和X射线光电子能谱(XPS)对V型槽槽内外腐蚀样貌及腐蚀产物进行分析,并分析出各腐蚀产物相对含量。结果 发现平行磁场的加入,加速了V型槽槽外的腐蚀,减缓了V型槽槽内的腐蚀。随着磁场强度的增加,平行磁场对V型槽槽外和槽内的促进及抑制作用加强,无磁场时V型槽槽外腐蚀产物为Fe_(2)O_(3),然而随着磁场强度的增加,V型槽槽外腐蚀产物Fe_(2)O_(3)的相对含量增多,单质Fe的相对含量减少。而V型槽槽内的腐蚀产物Fe_(2)O_(3)随着磁场强度的增加逐渐减少,并且在40 mT时腐蚀产物变化为Fe_(3)O_(4),70 mT时腐蚀产物变化为FeO。结论 平行磁场的存在加速了V型槽槽外腐蚀,抑制了V型槽槽内腐蚀,并随着磁场强度的增加,磁场对管线钢腐蚀的促进及抑制作用均增强。本文的研究结果对理解管线钢在磁场作用下的腐蚀失效行为有一定的参考价值。
关键词
平行磁场
腐蚀
X70钢
v型缺陷
库尔勒土壤
Keywords
parallel magnetic field
corrosion
X70 steel
v
-type flaws
Ku'erle soil
分类号
TG172 [金属学及工艺—金属表面处理]
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职称材料
题名
GaN基材料中V型缺陷对LED光电性能的影响
2
作者
汪
洋
机构
厦门大学半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心
厦门乾照光电股份有限公司
出处
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第3期383-389,共7页
文摘
发光效率是LED器件的核心指标,为了提升GaN-LED的发光效率,研究了具有不同V型缺陷密度的材料与器件的光致发光及电致发光特性,分析了影响发光效率的因素,研究发现V型缺陷一方面通过提升载流子(特别是空穴)注入效率而改善发光效率,另一方面又会通过减少有效发光面积而降低发光效率,这一竞争机制共同影响具有V型缺陷结构的GaN-LED的发光效率.结果表明,尺寸为0.25mm×0.75mm的芯片在150mA驱动条件下,随着V型缺陷密度的增加,发光功率和外量子效率先上升后下降.对于最优化缺陷密度(4.2×10~8 cm^(-2))的样品,其发光功率和外量子效率分别为183.5mW和45.0%,较最小缺陷密度(1.7×10~8 cm^(-2))样品的发光功率172.2mW和外量子效率42.2%,均约提升6.6%.
关键词
GAN
发光二极管
v型缺陷
Keywords
GaN
LED
v
-defeet
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
位错类型对GaN基蓝光LED光效衰减效应的影响
被引量：
3
3
作者
朱学亮
机构
厦门市三安光电科技有限公司
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020年第8期597-601,616,共6页
基金
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403102)。
文摘
蓝光LED的光效衰减可以使器件在高电流密度下的发光效率急剧降低。研究了GaN材料中不同位错类型对蓝光LED光效衰减效应的影响。通过控制物理气相沉积AlN缓冲层厚度及GaN缓冲层的有无,得到了两组不同螺位错和刃位错密度的GaN样品,其中螺位错密度为1.5×107~1×108 cm-2,而刃位错密度为2×108~7×108 cm-2。LED芯片测试结果表明,外量子效率维持率随着螺位错密度的增加而提升,从46.1%增加到54.9%;但随着刃位错密度的增加而降低。刃位错是非辐射复合中心,会加剧高电流密度下的光效衰减效应;而螺位错不是明显的非辐射复合中心,较高的螺位错密度可以改善LED的光效衰减效应。因此可以通过适当增加螺位错密度来提升LED的外量子效率。
关键词
光效衰减
GAN基LED
外量子效率
位错
v型缺陷
Keywords
efficiency droop
GaN-based LED
external quantum efficiency
dislocation
v
-shaped defect
分类号
TN312.8 [电子电信—物理电子学]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
平行磁场对含V型缺陷的管线钢的腐蚀行为影响
王浩千
王丹
侯政煜
梁守才
张晓龙
谢飞
《表面技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
GaN基材料中V型缺陷对LED光电性能的影响
汪
洋
《厦门大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2018
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
位错类型对GaN基蓝光LED光效衰减效应的影响
朱学亮
《半导体技术》
CAS
北大核心
2020
3
在线阅读
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职称材料
已选择
0
条
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参考文献
引证文献
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