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可级联的压控晶闸管同步驱动电路
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作者 王文东 吴朝阳 +2 位作者 王淦平 吴编 杨周炳 《强激光与粒子束》 北大核心 2025年第2期136-139,共4页
针对压控晶闸管脉冲工作特性和串联使用需求,设计了一种可级联的驱动电路,实现了多级串联压控晶闸管的同步开通。首先,介绍了电路拓扑及工作原理,利用推挽结构的平面耦合电感器隔离初、次级信号并传递驱动能量,解决了串联驱动小型化和... 针对压控晶闸管脉冲工作特性和串联使用需求,设计了一种可级联的驱动电路,实现了多级串联压控晶闸管的同步开通。首先,介绍了电路拓扑及工作原理,利用推挽结构的平面耦合电感器隔离初、次级信号并传递驱动能量,解决了串联驱动小型化和低压供电条件下快前沿输出的问题;其次,通过计算和仿真确定了电路参数和主要器件选型;最后,使用6级串联的MCT作为放电开关搭建了测试电路,在充电电压8.4 kV、工作重复频率20 Hz条件下,4Ω电阻负载上获得了幅值为1.958 kA的准方波脉冲电流。 展开更多
关键词 驱动 MOS栅控晶闸管 串联 同步 准方波脉冲
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面向开关时序与驱动电压自主协同调控的SiC/Si混合开关驱动电路 被引量:2
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作者 肖标 郭祺 +2 位作者 涂春鸣 肖凡 龙柳 《电工技术学报》 北大核心 2025年第4期1117-1128,共12页
由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或... 由SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)与Si绝缘栅双极型晶体管(IGBT)并联组成的SiC/Si混合开关(SiC/Si HyS)因兼具低损耗与低成本的优势而备受关注。然而,现有HyS研究主要关注于如何改变内部开关时序这一可调参数来优化其损耗或可靠性,调控参数单一且尚未兼顾损耗和可靠性的整体优化,考虑多调控参数的HyS集成驱动电路更是极为缺乏。首先,该文在充分挖掘开关时序、驱动电压等多调控参数对HyS特性影响的基础上,提出一种面向开关时序与驱动电压自主协同调控的HyS驱动电路软硬件架构设计方法,所提驱动电路不仅能为HyS提供由不同开关时序与驱动电压组成的三种开关模式,而且能根据负载电流水平实现开关时序与驱动电压的自主协同调控。其次,搭建基于所提驱动电路的HyS型单相逆变器,验证了所提驱动电路的有效性。最后,从逆变器效率、驱动电路功率损耗以及成本三个方面分析了所提驱动电路的优势。 展开更多
关键词 SiC/Si混合开关 开关时序 驱动 协同控制 驱动
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栅极驱动电路的传导共模电磁干扰特征分析 被引量:1
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作者 岳乔治 彭晗 +1 位作者 童乔凌 康勇 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第7期2779-2790,I0028,共13页
栅极驱动电路作为低压控制电路与高压功率电路连接的桥梁,决定了电力电子器件的可靠开关,同时也承受着强烈的电磁干扰。目前针对栅极驱动电路的传导电磁干扰问题的研究重点关注以“串扰”为代表的差模干扰,对共模干扰缺乏深入的分析。... 栅极驱动电路作为低压控制电路与高压功率电路连接的桥梁,决定了电力电子器件的可靠开关,同时也承受着强烈的电磁干扰。目前针对栅极驱动电路的传导电磁干扰问题的研究重点关注以“串扰”为代表的差模干扰,对共模干扰缺乏深入的分析。共模干扰传播路径多,频率范围广,影响范围大,是驱动电路中驱动信号的主要干扰源。为此,文中对驱动电路的传导共模干扰特征进行分析,重点关注功率器件开关电压过冲与高频振荡特性,采用梯形波与衰减正弦波建立干扰源模型;根据主电路架构与驱动架构,逐层深入建立共模干扰的多支路耦合网络模型并分析其宽频阻抗特性;选取共模干扰电流以及驱动信号干扰电压为表征对象,求解其传递函数并结合干扰源特征分析驱动电路故障机理。实验结果表明,干扰源电压的高频振荡将产生严重的共模干扰。当其振荡频率与耦合路径阻抗谐振频率相同时,共模干扰将被放大,在驱动电路电磁兼容设计时需要格外注意。最后根据所建立的电磁干扰模型对栅极驱动电路的抗干扰设计提供一定指导。 展开更多
关键词 栅极驱动 传导磁干扰 共模干扰
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IGBT动态测试设备的驱动电路设计
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作者 杨熙程 郑永军 +2 位作者 闫晗 郭斌 陆艺 《现代电子技术》 北大核心 2025年第14期17-24,共8页
在现代电力电子技术中,IGBT模块因其优异的开关特性而被广泛应用于各种高功率场合。为确保IGBT模块的可靠性和稳定性,IGBT出厂前需要进行一系列检测,其中包括动态测试。然而,不同生产厂家所生产的IGBT产品及其特性均有差异。为此,IGBT... 在现代电力电子技术中,IGBT模块因其优异的开关特性而被广泛应用于各种高功率场合。为确保IGBT模块的可靠性和稳定性,IGBT出厂前需要进行一系列检测,其中包括动态测试。然而,不同生产厂家所生产的IGBT产品及其特性均有差异。为此,IGBT动态测试设备需要一种适应性强、能够提供有效驱动与保护的驱动电路。文中设计一种新型驱动电路,旨在满足测试设备对多样化IGBT模块测试的需求,确保测试过程的安全性和测试结果的准确性。该电路具有栅极电阻调节、驱动电压调节和多采集通道等特点,能够灵活应对不同的测试条件。通过集成的欠压和过压保护机制能够有效地监测驱动电压,提高电路的可靠性。在460 V母线电压和650 A保护电流的实验条件下,验证了电路在IGBT模块测试中的有效性,提升了IGBT动态测试设备在高功率应用中的性能和稳定性。 展开更多
关键词 IGBT 驱动 动态测试 测试设备 保护机制 驱动
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垂直腔面发射激光器数字驱动电路设计
5
作者 卫英泽 廖英 +5 位作者 周建斌 童欣 叶凡 李松松 罗朋奎 黎荣锋 《激光与红外》 北大核心 2025年第1期18-25,共8页
垂直腔面发射激光器(VCSEL)是原子磁强计和原子钟等光学量子仪器的核心部件,其输出激光的稳定性将直接影响仪器的测量精度和灵敏度等关键参数。本文介绍了一种以ZYNQ7010为控制核心的VCSEL数字驱动电路,该电路使用XTR111芯片提供VCSEL... 垂直腔面发射激光器(VCSEL)是原子磁强计和原子钟等光学量子仪器的核心部件,其输出激光的稳定性将直接影响仪器的测量精度和灵敏度等关键参数。本文介绍了一种以ZYNQ7010为控制核心的VCSEL数字驱动电路,该电路使用XTR111芯片提供VCSEL所需的高稳定电流,并通过MAX1978芯片控制VCSEL内部集成的半导体制冷器(TEC)实现高精度温控。实验结果表明,本文设计的驱动电路可输出0~2 mA的线性可调电流,调节精度优于0.04 mA,TEC的温控精度优于0.1℃;最终在1.325 mA的驱动电流和63℃的工作温度下,VCSEL的最大输出功率漂移和波长漂移分别为0.001 mW和0.004 nm。该数字驱动电路可满足原子磁强计等高精度测量仪器对光源驱动的需求。 展开更多
关键词 子学 驱动 MAX1978 温度控制 XTR111 恒流驱动
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一种抑制栅极正负向串扰的GaN HEMT无源驱动电路 被引量:2
6
作者 王忠 秦世清 +1 位作者 王福学 边国辉 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第5期483-491,共9页
GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。... GaN器件由于其更快的开关速度,比硅器件更容易发生严重的开关振荡,也更容易受到栅源电压振荡的影响。为了抑制GaN基半桥结构中的串扰,提出了一种抑制GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)栅极正负向串扰的无源钳位驱动电路来抑制栅源电压振荡。采用基本无源元件建立自举驱动回路,并增加三极管以构成从驱动电路到GaN HEMT的低阻抗米勒电流路径,抑制正负向串扰。在LTspice软件下进行电路模拟仿真,并搭建实验平台进行实测验证,结果表明栅源电压的最大正向串扰可降至1.2 V,最大负向串扰可降至1.6 V,漏源电流的正向和负向串扰均降至2 A以下,证明该电路对栅源电压以及漏源电流的振荡均有良好的抑制效果。 展开更多
关键词 GaN高子迁移率晶体管(HEMT) 驱动 串扰 桥式 振荡
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煤矿氧气检测高精度VCSEL驱动及温控电路设计 被引量:4
7
作者 于庆 张华乾 郭清华 《矿业安全与环保》 CAS 北大核心 2024年第2期153-160,共8页
为解决当前常用煤矿氧气检测仪器易受交叉气体干扰且功耗大的问题,基于GD32F303RCT6微控制器和ADN8834热电冷却控制器,设计了一种软启动开关电路控制的垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity Surface-emitting Laser,VCSEL)高精度驱动及... 为解决当前常用煤矿氧气检测仪器易受交叉气体干扰且功耗大的问题,基于GD32F303RCT6微控制器和ADN8834热电冷却控制器,设计了一种软启动开关电路控制的垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity Surface-emitting Laser,VCSEL)高精度驱动及温控电路。驱动电路中,高频正弦波信号和低频锯齿波信号叠加的二进制数据由微控制器产生,经信号发生电路、电压电流转换电路转化成VCSEL高精度驱动电流信号;温控电路中,设计基于比例积分微分(Proportional Integral Differential,PID)补偿电路和数模转换控制器(Digital to Analog Converter,DAC)目标温度控制电路实现激光器温度自动调节。测试结果表明:驱动电路的电流输出区间为0.680~1.360 mA;锯齿波频率误差小于0.5%,正弦波频率误差小于0.1%;氧气吸收峰扫描精度高达0.07 pm,对应电流扫描精度为0.12μA;温控电路的温度控制精度为±0.012℃。满足了可调谐半导体激光吸收光谱(Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy,TDLAS)煤矿氧气检测应用需求。 展开更多
关键词 煤矿 氧气检测 VCSEL 高精度驱动及温控 PID补偿 DAC目标温度控制
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两开关无电解电容LED驱动电路拓扑及控制策略 被引量:3
8
作者 林国庆 黄远彬 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第18期5742-5754,共13页
LED驱动电源常因含有平衡输入输出功率的电解电容而导致寿命大打折扣,为延长LED驱动电源的使用寿命以及提高其可靠性,该文提出一种两开关无电解电容LED驱动电路拓扑,该拓扑以反激变换器为基础,通过集成的辅助储能电容实现输入输出瞬时... LED驱动电源常因含有平衡输入输出功率的电解电容而导致寿命大打折扣,为延长LED驱动电源的使用寿命以及提高其可靠性,该文提出一种两开关无电解电容LED驱动电路拓扑,该拓扑以反激变换器为基础,通过集成的辅助储能电容实现输入输出瞬时功率平衡,从而大大地减小了抑制输出电流低频纹波所需的电容器容值,实现无电解电容化,并充分吸收漏感能量,使电源效率得到提高。详细分析该电路拓扑的工作原理及各个模态,给出参数设计方法,并提出相应控制策略,最后,搭建一台35 W原理样机验证了该电路拓扑的可行性。 展开更多
关键词 LED驱动 低频纹波抑制 漏感吸收
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一种新型可调驱动电压的SiC/Si混合开关驱动电路 被引量:1
9
作者 付永升 任海鹏 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第7期2774-2785,I0021,共13页
为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybr... 为提高碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbide metal oxide semiconductor filed effect transistor,SiC-MOSFET)与硅基绝缘栅极双极晶体管(silicon insulated gate bipolar transistor,Si-IGBT)并联混合开关(SiC/Si hybrid switch,SiC/Si HyS)的可靠性与适用性,该文提出一种可变驱动电压的SiC/Si HyS栅极驱动电路结构,采用一路脉冲宽度调制(pulse width modulation,PWM)控制信号和一个驱动芯片产生不同电压幅值的栅极控制信号,分别控制SiC/Si HyS中的SiC-MOSFET和Si-IGBT。相比于传统采用2个独立驱动电路的SiC/Si HyS驱动结构,该驱动电路大幅度降低SiC/Si HyS栅极驱动电路的复杂度,降低SiC-MOSFET关断过程中Si-IGBT误导通的可能性,提升混合开关的工作可靠性。该文首先分析所设计驱动电路工作原理,给出驱动电压调节方法;其次,建立耦合电容端电压纹波和系统启动时电容端电压暂态数学模型,通过仿真和实验验证模型准确性;搭建2 kW的SiC/Si混合开关Buck电路,验证该文所提混合开关驱动电路可行性,从SiC/Si HyS功率器件关断损耗、驱动电路功率损耗、成本以及体积4个方面分析所提驱动结构的优势。 展开更多
关键词 宽禁带半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 硅基绝缘栅极双极晶体管 混合开关 门极驱动 耦合
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窄脉冲激光器驱动电路延时反馈控制研究
10
作者 王婷 魏明 宋巍 《激光杂志》 北大核心 2024年第12期40-44,共5页
在窄脉冲激光器驱动电路中,收发天线以双极化模式运作,受到非理想因素影响,使源信号的极化方向容易在信号传输过程中部分转移到其他极化方向上,导致出现极化干扰,引入非期望的干扰信号,降低控制过程的稳定性。为此,提出一种窄脉冲激光... 在窄脉冲激光器驱动电路中,收发天线以双极化模式运作,受到非理想因素影响,使源信号的极化方向容易在信号传输过程中部分转移到其他极化方向上,导致出现极化干扰,引入非期望的干扰信号,降低控制过程的稳定性。为此,提出一种窄脉冲激光器驱动电路延时反馈控制方法。通过交叉极化隔离度描述信号功率与交叉极化干扰之比,量化干扰大小,采用盲源分离法还原源信号,利用峭度函数确定最佳步长,从多个独立分量中提取非零峭度的信号作为源信号,实现干扰信号的抑制。在窄脉冲激光器驱动电路中组建离散正交虚拟电路,计算实际电压电流正交的虚拟分量并展开反馈,实现窄脉冲激光器驱动电路延时反馈控制。实验结果表明,所提方法具有良好的稳定性,可以获取更加满意的窄脉冲激光器驱动电路延时反馈控制结果。 展开更多
关键词 窄脉冲激光器 驱动 延时反馈控制 代价函数 最优步长
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高精度固态调制器绝缘栅双极晶体管驱动电路 被引量:1
11
作者 石秀倩 何大勇 +3 位作者 李飞 甘楠 牟雅洁 李京祎 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第6期120-128,共9页
加法器式固态调制器是一种使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)控制储能电容放电来产生脉冲高压的装置,相比传输线型调制器,具有模块化、稳定性好、寿命长等优势。但IGBT的正常工作需要利用栅极驱动电路将控制信号进行放大才能实现,驱动电路的... 加法器式固态调制器是一种使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)控制储能电容放电来产生脉冲高压的装置,相比传输线型调制器,具有模块化、稳定性好、寿命长等优势。但IGBT的正常工作需要利用栅极驱动电路将控制信号进行放大才能实现,驱动电路的性能直接影响IGBT的开关特性,最终影响脉冲电压质量,尤其是驱动电路的导通抖动指标,这是影响脉冲电压精度的关键因素之一。根据加法器式固态调制器中IGBT的工作特性,以提高脉冲电压精度为目标,对驱动电路进行研究。分析了开关抖动对输出电压精度的影响,介绍了设计原理,研制了驱动电路板,并利用放电模块对其工作性能进行了实验测试。测试结果表明,该款驱动电路的导通抖动为300 ps,相比1 ns的商用驱动电路抖动压缩至1/3,在1 kV充电电压下,放电模块在0.5Ω的负载上放电,形成上升时间为500 ns、导通抖动峰、峰值在5 ns以下的脉冲电压,当发生退饱和故障时,驱动电路能够在4μs时间内关断IGBT,该款驱动电路满足高精度固态调制器的工作要求。 展开更多
关键词 固态调制器 脉冲压精度 绝缘栅双极晶体管 栅极驱动 导通抖动
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一种无桥高增益单级LED驱动电路及其混合控制策略 被引量:2
12
作者 刘光清 林维明 陈欣玮 《电机与控制学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第1期105-119,共15页
中小功率的LED驱动电源中,传统两级LED驱动电源存在体积大、成本高以及传统Boost PFC电路在低压输入时导通损耗大等问题。为此提出一种由无桥二次型Boost PFC电路和DC-DC LLC电路集成的无桥高增益单级LED驱动电路,实现了高电压增益、功... 中小功率的LED驱动电源中,传统两级LED驱动电源存在体积大、成本高以及传统Boost PFC电路在低压输入时导通损耗大等问题。为此提出一种由无桥二次型Boost PFC电路和DC-DC LLC电路集成的无桥高增益单级LED驱动电路,实现了高电压增益、功率开关器件软开关、一套控制电路和高电路转换效率。针对单级电路在电网输入电压变化引起直流母线电压变动范围大等问题,设计一种适用于所提电路的APWM-PFM混合控制策略,并对混合控制原理和控制过程进行详细分析。最后设计一台200 W的实验样机,在输入电压80~120 Vrms范围内,占空比最大为0.5,最大电压增益为6.7,直流母线电压基于网侧特性和LLC电路特性设计在700 V以内,样机的功率因数值均高于0.990,THD均低于15%。在满载条件下,110 Vrms输入时,样机效率为93.20%,相比于传统无桥PFC,电压增益提高了2.21倍,实现了高电压增益和软开关,有效提升了在低压输入条件下的电路转换效率。仿真和实验结果验证了所提出电路和控制方法的有效性。 展开更多
关键词 LED驱动 功率因数校正 高增益Boost与LLC集成 混合控制策略 软开关
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亚纳秒级上升沿窄脉冲驱动电路与模拟仿真
13
作者 李益 温文龙 +3 位作者 王谦豪 李强龙 赵华龙 李峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第10期126-143,共18页
针对半导体激光二极管(LD)驱动电路中存在的上升沿缓慢问题,设计了一种具有亚纳秒上升沿的窄脉冲电路。从理论方面分析了回路中电感、电容等参数对输出激光脉冲上升沿的影响,驱动电路以内置驱动的GaN集成模块作为主开关进行电路的合理... 针对半导体激光二极管(LD)驱动电路中存在的上升沿缓慢问题,设计了一种具有亚纳秒上升沿的窄脉冲电路。从理论方面分析了回路中电感、电容等参数对输出激光脉冲上升沿的影响,驱动电路以内置驱动的GaN集成模块作为主开关进行电路的合理设计驱动半导体激光二极管;利用现场可编程门阵列作为控制核心设计时序信号,实现LD脉宽和重频的精确调节;以ADN8831驱动热电制冷器(TEC)实现LD精确恒温控制。通过模拟仿真和实验验证,获得了亚纳秒级的脉冲前沿,脉冲宽度5 ns至15 ns可调,重复频率1 kHz至10 kHz可调,LD的温度设定为25℃至26℃,12 h功率稳定性RMS测试值为0.51%。 展开更多
关键词 亚纳秒上升沿 窄脉宽 FPGA 驱动 恒温控制
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压电喷油器执行器驱动控制电路改进设计
14
作者 刘楠 刘振明 童大鹏 《国防科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期219-226,共8页
针对自行研制的压电喷油器和执行器,通过设计压电执行器两端电压补偿控制策略,采取六阶段电路驱动控制方法,实现了压电喷油器内部执行器两端驱动电压的闭环补偿控制和基于三角波形驱动电流的充放电过程,提高了电路能量利用率,降低了电... 针对自行研制的压电喷油器和执行器,通过设计压电执行器两端电压补偿控制策略,采取六阶段电路驱动控制方法,实现了压电喷油器内部执行器两端驱动电压的闭环补偿控制和基于三角波形驱动电流的充放电过程,提高了电路能量利用率,降低了电路峰值电流。同时对驱动电路进行试验。试验表明,改进驱动控制方式后,电路充电时间缩短了0.06 ms,放电时间略微缩短了0.01 ms,满足执行器达到最大位移的最小脉宽缩短到0.3 ms,峰值电流降低了3 A,由此表明电路响应速度和安全性得到了进一步提高。 展开更多
关键词 喷油器 执行器 驱动 驱动控制策略
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基于WMS的可调谐半导体激光器驱动与温控电路设计
15
作者 彭燕 矫雷子 +2 位作者 郑培超 董大明 邢振 《激光杂志》 CAS 北大核心 2024年第7期29-35,共7页
针对可调谐半导体激光器工作时,其工作电流和工作温度的波动导致激光器的输出的波长和功率不能保持恒定的问题,设计了一套基于STM32F407为主控芯片联合FPGA的半导体激光器小型化驱动与温控电路。通过与上位机交互,系统可实现激光器驱动... 针对可调谐半导体激光器工作时,其工作电流和工作温度的波动导致激光器的输出的波长和功率不能保持恒定的问题,设计了一套基于STM32F407为主控芯片联合FPGA的半导体激光器小型化驱动与温控电路。通过与上位机交互,系统可实现激光器驱动电流和工作温度的连续可调,使半导体激光器的输出光的波长在最佳的范围内。经过测试,系统的驱动模块电流稳定度为0.075%,电流的实际值与理论值之间的相对误差平均值为0.538%;温度电路的稳定度在0.03℃,完全满足实际应用需求。 展开更多
关键词 FPGA STM32F407 激光器驱动 可调谐半导体激光器
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用于TDLAS气体检测的DFB激光器驱动电路设计 被引量:4
16
作者 徐鹏飞 李炜楠 +1 位作者 陈红岩 叶有祥 《现代电子技术》 北大核心 2024年第2期89-94,共6页
分布反馈(DFB)激光器作为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)技术的常用光源之一,在实际应用中应当同时对驱动电流和温度进行控制,以减小出光质量对气体浓度检测结果的影响。为了解决上述问题,文中设计一种高精度激光器驱动电路。由STM32F... 分布反馈(DFB)激光器作为可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)技术的常用光源之一,在实际应用中应当同时对驱动电流和温度进行控制,以减小出光质量对气体浓度检测结果的影响。为了解决上述问题,文中设计一种高精度激光器驱动电路。由STM32F103RCT6控制AD9834和DAC8560分别产生正弦波和锯齿波信号,对两个信号输入至OP27GS构成的信号叠加电路进行叠加后,输出至由OP27GS、AD8065和IRF520场效应管组成的具有限流功能的压控恒流源电路,将电压信号转变为激光器的驱动电流;同时采用MAX1978温控芯片对激光器进行温度控制。实际测试结果表明,压控恒流源输出电流的最大误差为0.1%,DFB激光器的温度稳定度为0.072%,温度控制精度优于0.01℃。使用3000 ppm的甲烷标准气体进行吸收测试,通过示波器检测光电探测器和锁相放大器的输出波形,可得到稳定的吸收峰和二次谐波,说明所设计电路满足TDLAS检测技术对于DFB激光器驱动的要求。 展开更多
关键词 气体检测 TDLAS DFB激光器 驱动 压控恒流源 温度控制
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一种新型两开关无电解电容LED驱动电路
17
作者 张经纬 林国庆 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第4期260-269,共10页
LED驱动电源通常需要大电解电容来减少低频电流纹波,电解电容的短寿命是制约LED驱动电源寿命的重要因素,消除电解电容是LED驱动电源长寿命的关键。为此,提出了一种基于反激变换器的两开关无电解电容LED驱动电路拓扑,将辅助功率平衡电路... LED驱动电源通常需要大电解电容来减少低频电流纹波,电解电容的短寿命是制约LED驱动电源寿命的重要因素,消除电解电容是LED驱动电源长寿命的关键。为此,提出了一种基于反激变换器的两开关无电解电容LED驱动电路拓扑,将辅助功率平衡电路与反激变换器集成,通过2个开关管实现瞬时输入功率与输出功率的平衡,消除电解电容,抑制输出电流低频纹波,实现高功率因数。详细分析了该拓扑的工作原理,并提出了一种适用于该电路拓扑的控制策略。最后搭建了1台30 W的原理样机,实验结果验证了该拓扑的可行性。 展开更多
关键词 LED驱动 功率因数校正 低频纹波抑制
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一种实现能量重复利用的SiC MOSFET谐振驱动电路
18
作者 周琦 张宸宇 +1 位作者 刘瑞煌 喻建瑜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第11期981-987,共7页
针对传统SiC MOSFET驱动电路的驱动电阻导致损耗较高的问题,提出了一种SiC MOSFET谐振驱动电路。详细分析了提出的谐振驱动电路的工作原理,通过控制驱动电路中各开关管的通断,使电感与SiC MOSFET的输入电容产生谐振,从而重复利用输入电... 针对传统SiC MOSFET驱动电路的驱动电阻导致损耗较高的问题,提出了一种SiC MOSFET谐振驱动电路。详细分析了提出的谐振驱动电路的工作原理,通过控制驱动电路中各开关管的通断,使电感与SiC MOSFET的输入电容产生谐振,从而重复利用输入电容中的能量,减小了驱动损耗。相较于传统驱动电路,该谐振驱动电路的驱动损耗主要包括新增开关管及其续流二极管导通时的导通损耗和SiC MOSFET内阻所产生的损耗,而非驱动电阻导致的损耗。搭建仿真模型和实验平台,对提出的谐振驱动电路在高频和不同占空比下的驱动性能进行验证,结果表明提出的谐振驱动电路具有良好的驱动性能,能够在高频工作条件下保证SiC MOSFET的通断。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 驱动 谐振 开关损耗 寄生
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具有负压关断的MOSFET栅极快速驱动电路设计
19
作者 殷亚昆 段章超 +2 位作者 王永刚 姜松 李孜 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期124-130,共7页
设计了一款用于全固态Marx发生器的半导体开关驱动电路。该驱动电路输出侧采用储能电容与P-N双MOSFET管结构,可完成对固态Marx脉冲发生器功率回路开关管快速同步的导通关断控制,并具有死区时间调节与负压关断功能。此外,该驱动电路配合... 设计了一款用于全固态Marx发生器的半导体开关驱动电路。该驱动电路输出侧采用储能电容与P-N双MOSFET管结构,可完成对固态Marx脉冲发生器功率回路开关管快速同步的导通关断控制,并具有死区时间调节与负压关断功能。此外,该驱动电路配合串芯磁环二次侧反向接线方案,可实现用同一信号对功率回路充、放电两路开关管的控制。实验证明,采用该款驱动电路的半桥型全固态Marx脉冲发生器可稳定输出幅值24 kV的脉冲方波,输出脉宽可在300 ns~10μs之间自由调节,上升沿和下降沿均在40 ns以内。 展开更多
关键词 固态Marx驱动 负压偏置 快速导通 纳秒脉冲
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一种SiC MOSFET有源串扰抑制驱动电路
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作者 熊泰来 杨亚兰 +4 位作者 徐卫刚 毕悦 林轩 曹太强 阳小明 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第12期1135-1143,共9页
在SiC MOSFET为主开关管的半桥电路中,寄生参数会导致串扰问题,影响电路的工作安全。为了抑制串扰,提出了一种有源串扰抑制驱动电路。在传统无源驱动电路的基础上,增加了辅助MOSFET和快恢复二极管对正向串扰和负向串扰进行抑制,并增加... 在SiC MOSFET为主开关管的半桥电路中,寄生参数会导致串扰问题,影响电路的工作安全。为了抑制串扰,提出了一种有源串扰抑制驱动电路。在传统无源驱动电路的基础上,增加了辅助MOSFET和快恢复二极管对正向串扰和负向串扰进行抑制,并增加电容来产生负压,加速SiC MOSFET关断。在LTspice软件中进行仿真分析,并搭建实验测试平台进行验证。实验结果表明,在200 V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的49.1%和61.4%,在400 V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的50.4%和57.7%,在600 V母线电压下正、负向串扰分别降低为原来的66.7%和62.8%。与传统无源驱动电路相比,提出的有源串扰抑制驱动电路能够在不同电压工况下有效抑制串扰尖峰电压。 展开更多
关键词 SiC MOSFET 寄生参数 半桥 有源驱动 串扰抑制 负压关断
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