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一种新型的SiGe超高真空化学气相沉积系统
被引量：
8
1
作者
罗广礼
陈培毅
+2 位作者
林惠旺
刘志农
钱佩信
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000年第5期355-357,共3页
研制成功了一台超高真空化学气相沉积系统。该系统采用扁平石英管作为生长室 ,扁平石墨加热器进行加热。系统真空度用分子泵维持 ,本底真空度可达 2× 10 -6Pa。利用该系统所生长的SiGe外延层晶体质量良好 ,界面清晰平直 ;
关键词
超高真空化学气相沉积
sige
低温外延
在线阅读
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职称材料
题名
一种新型的SiGe超高真空化学气相沉积系统
被引量：
8
1
作者
罗广礼
陈培毅
林惠旺
刘志农
钱佩信
机构
清华大学微电子研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000年第5期355-357,共3页
文摘
研制成功了一台超高真空化学气相沉积系统。该系统采用扁平石英管作为生长室 ,扁平石墨加热器进行加热。系统真空度用分子泵维持 ,本底真空度可达 2× 10 -6Pa。利用该系统所生长的SiGe外延层晶体质量良好 ,界面清晰平直 ;
关键词
超高真空化学气相沉积
sige
低温外延
Keywords
uhvcvd
,
sige
,
low temperature epitaxy
分类号
TB753 [一般工业技术—真空技术]
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型的SiGe超高真空化学气相沉积系统
罗广礼
陈培毅
林惠旺
刘志农
钱佩信
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000
8
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