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浮区法生长Tm^(3+):CaYAlO_4晶体的研究
被引量：
1
1
作者
王皖燕
严秀莉
+3 位作者
周健飞
牛小娟
王晓明
吴星
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期92-,共1页
CaYAlO4是一种ABCO4型化合物 (A =Ba、Sr或Ca ,B =Y或稀土元素 ,C =Ga或Al) ,具有K2 NiF4型四方结构 ,可作为一种优良的激光基质材料。近年来 ,向该晶体中掺入不同的稀土离子 ,研究这些掺质晶体的性能已成为一个热点。特别值得注意的是 ...
CaYAlO4是一种ABCO4型化合物 (A =Ba、Sr或Ca ,B =Y或稀土元素 ,C =Ga或Al) ,具有K2 NiF4型四方结构 ,可作为一种优良的激光基质材料。近年来 ,向该晶体中掺入不同的稀土离子 ,研究这些掺质晶体的性能已成为一个热点。特别值得注意的是 ,根据文献的报道 ,当掺Tm3 +浓度为lat.%时 ,CaYAlO4多晶样品在 36 0～ 46 0nm处有很强的发射 ,这一现象表明Tm3 +:CaYAlO4晶体有可能产生蓝光和紫光。因此 ,对该晶体的研究具有重要的意义。本文采用光加热浮区法生长了不同掺质浓度的Tm3 +:CaYAlO4晶体。实验表明 ,该晶体的生长受到生长气氛、转速、拉速、籽晶方向及功率控制程序等多种因素的影响 ,很难得到高质量的晶体。本文对这些影响因素分别进行了微观或宏观上的分析 ,找到了该晶体的最佳生长条件。由于该晶体极易沿 [0 0 1 ]方向开裂 ,因而掺Tm3 +量很难提高 ,而本文所生长晶体的最高掺质量达 7at.% ,远大于国外报道的数值 ( 2at.% )。所生长晶体的典型尺寸为 5mm× 5mm×30mm。观察发现 ,在所生长的Tm3 +:CaYAlO4晶体中 ,主要存在 2种缺陷 :包裹体和裂纹。其中 ,包裹体又分为气泡和第二相。本文分析了这些缺陷的产生原因 ,并提出了减少或消除这些缺陷的方法。此外 ,本文还对该晶体进行了化学分析 ,测定了其透过?
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关键词
Tm^(
3
+):
cayalo
_
4
晶体
浮区法
激光
晶体
缺陷
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职称材料
ZnWO_4:Tm^(3+)单晶的上转换研究
被引量：
1
2
作者
徐东勇
杨永刚
+1 位作者
邹玉林
臧竞存
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期188-,共1页
上转换发光的本质是一种反斯托克斯发光。由于可以用低能量的长波长光激发获得能量较高的短波长光 ,因此作为紧凑高效短波长的固体激光器的工作物质 ,上转换材料的前景十分看好。在实验室中用丘克拉斯基法成功地生长出了质量较好的单晶 ...
上转换发光的本质是一种反斯托克斯发光。由于可以用低能量的长波长光激发获得能量较高的短波长光 ,因此作为紧凑高效短波长的固体激光器的工作物质 ,上转换材料的前景十分看好。在实验室中用丘克拉斯基法成功地生长出了质量较好的单晶 ,名义掺杂浓度分别为 0 .2 %、0 .5 %和 1 .0 % (摩尔比 )。对样品进行了系统的光谱测试。从吸收谱可以看出 :样品的吸收峰位于 80 7nm( 3 H63 H4)左右 ,且谱线较宽。与吸收峰长位于 75 0nm ,谱线线宽Δλ =4nm的YAG :Tm3 +单晶相比 ,可以看出 :ZnWO4:Tm3 +更适合于激光二极管泵浦。值得注意的是基底在40 0nm左右的光吸收较强 ,退火可以在一定程度上消除基底的影响。对样品的荧光强度测试表明 :在 80 7nmLD泵浦下 ,样品主要有三个上转换荧光峰 ,分别位于 40 5、486和 6 95nm左右 ,其中以 6 95nm的峰为最强。荧光强度受出入射方向影响较大 ,在a轴方向接受时光的强度为最大 ,而且受激发方向影响较小。还测定了样品的荧光 ( 6 95nm)强度与激发功率之间的关系—线性关系。
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关键词
ZnWO_
4
:Tm^(
3
+)
引上法
晶体
生长
上转换发光
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职称材料
题名
浮区法生长Tm^(3+):CaYAlO_4晶体的研究
被引量：
1
1
作者
王皖燕
严秀莉
周健飞
牛小娟
王晓明
吴星
机构
中国科学院物理研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期92-,共1页
基金
中国科学院物理研究所所长基金的资助项目
文摘
CaYAlO4是一种ABCO4型化合物 (A =Ba、Sr或Ca ,B =Y或稀土元素 ,C =Ga或Al) ,具有K2 NiF4型四方结构 ,可作为一种优良的激光基质材料。近年来 ,向该晶体中掺入不同的稀土离子 ,研究这些掺质晶体的性能已成为一个热点。特别值得注意的是 ,根据文献的报道 ,当掺Tm3 +浓度为lat.%时 ,CaYAlO4多晶样品在 36 0～ 46 0nm处有很强的发射 ,这一现象表明Tm3 +:CaYAlO4晶体有可能产生蓝光和紫光。因此 ,对该晶体的研究具有重要的意义。本文采用光加热浮区法生长了不同掺质浓度的Tm3 +:CaYAlO4晶体。实验表明 ,该晶体的生长受到生长气氛、转速、拉速、籽晶方向及功率控制程序等多种因素的影响 ,很难得到高质量的晶体。本文对这些影响因素分别进行了微观或宏观上的分析 ,找到了该晶体的最佳生长条件。由于该晶体极易沿 [0 0 1 ]方向开裂 ,因而掺Tm3 +量很难提高 ,而本文所生长晶体的最高掺质量达 7at.% ,远大于国外报道的数值 ( 2at.% )。所生长晶体的典型尺寸为 5mm× 5mm×30mm。观察发现 ,在所生长的Tm3 +:CaYAlO4晶体中 ,主要存在 2种缺陷 :包裹体和裂纹。其中 ,包裹体又分为气泡和第二相。本文分析了这些缺陷的产生原因 ,并提出了减少或消除这些缺陷的方法。此外 ,本文还对该晶体进行了化学分析 ,测定了其透过?
关键词
Tm^(
3
+):
cayalo
_
4
晶体
浮区法
激光
晶体
缺陷
Keywords
Tm
3
+ :
cayalo
4
crystal
floating zone method
laser crystal
defect
分类号
O78 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
ZnWO_4:Tm^(3+)单晶的上转换研究
被引量：
1
2
作者
徐东勇
杨永刚
邹玉林
臧竞存
机构
北京工业大学材料科学与工程学院
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第S1期188-,共1页
文摘
上转换发光的本质是一种反斯托克斯发光。由于可以用低能量的长波长光激发获得能量较高的短波长光 ,因此作为紧凑高效短波长的固体激光器的工作物质 ,上转换材料的前景十分看好。在实验室中用丘克拉斯基法成功地生长出了质量较好的单晶 ,名义掺杂浓度分别为 0 .2 %、0 .5 %和 1 .0 % (摩尔比 )。对样品进行了系统的光谱测试。从吸收谱可以看出 :样品的吸收峰位于 80 7nm( 3 H63 H4)左右 ,且谱线较宽。与吸收峰长位于 75 0nm ,谱线线宽Δλ =4nm的YAG :Tm3 +单晶相比 ,可以看出 :ZnWO4:Tm3 +更适合于激光二极管泵浦。值得注意的是基底在40 0nm左右的光吸收较强 ,退火可以在一定程度上消除基底的影响。对样品的荧光强度测试表明 :在 80 7nmLD泵浦下 ,样品主要有三个上转换荧光峰 ,分别位于 40 5、486和 6 95nm左右 ,其中以 6 95nm的峰为最强。荧光强度受出入射方向影响较大 ,在a轴方向接受时光的强度为最大 ,而且受激发方向影响较小。还测定了样品的荧光 ( 6 95nm)强度与激发功率之间的关系—线性关系。
关键词
ZnWO_
4
:Tm^(
3
+)
引上法
晶体
生长
上转换发光
Keywords
ZnWO
4
:Tm
3
+
crystal pulling
upconversion
分类号
O73 [理学—晶体学]
在线阅读
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
浮区法生长Tm^(3+):CaYAlO_4晶体的研究
王皖燕
严秀莉
周健飞
牛小娟
王晓明
吴星
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
ZnWO_4:Tm^(3+)单晶的上转换研究
徐东勇
杨永刚
邹玉林
臧竞存
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
在线阅读
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职称材料
已选择
0
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