基于含时密度泛函理论,研究了硅烯量子点的等离激元激发.沿量子点所在的平面方向,体系中有两个主要的等离激元共振带.一个等离激元共振带位于2.0 e V附近,另一个等离激元共振带位于7.0 e V附近.由于离域化的π电子参与了两个等离激元共...基于含时密度泛函理论,研究了硅烯量子点的等离激元激发.沿量子点所在的平面方向,体系中有两个主要的等离激元共振带.一个等离激元共振带位于2.0 e V附近,另一个等离激元共振带位于7.0 e V附近.由于离域化的π电子参与了两个等离激元共振带的激发,沿激发方向随着矩形硅烯量子点边长的增加,体系的两个等离激元共振带都发生红移.硅烯量子点的等离激元激发还依赖于边界的构型.此外,由于六角形硅烯量子点的对称性较高,沿量子点所在平面的不同方向激发时,体系的等离激元共振模式相同.展开更多
基金supported by the National Natural Science Foundation of China(10676007)Program for New Century Excellent Talents at the University of Fujian Province,China(HX2006-103)~~
基金supported by the National Natural Science Foundation of China(21003009)Beijing Jiaotong University,China(2009JBZ019-4 and Undergraduates Innovating Experimentation Project)Key Laboratory of Photochemical Conversion and Optoelectronic Materials, Technical Institute of Physics and Chemistry,Chinese Academy of Sciences~~
文摘基于含时密度泛函理论,研究了硅烯量子点的等离激元激发.沿量子点所在的平面方向,体系中有两个主要的等离激元共振带.一个等离激元共振带位于2.0 e V附近,另一个等离激元共振带位于7.0 e V附近.由于离域化的π电子参与了两个等离激元共振带的激发,沿激发方向随着矩形硅烯量子点边长的增加,体系的两个等离激元共振带都发生红移.硅烯量子点的等离激元激发还依赖于边界的构型.此外,由于六角形硅烯量子点的对称性较高,沿量子点所在平面的不同方向激发时,体系的等离激元共振模式相同.
