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Al质量分数对磁控溅射Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜结构和摩擦学性能的影响 被引量:1
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作者 张世玺 蔡海潮 +2 位作者 薛玉君 畅为航 田昌龄 《河南科技大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2021年第4期1-6,M0002,共7页
针对TiAlN薄膜耐磨性不够优异的问题,研究了Al质量分数对Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜结构和摩擦学性能的影响。采用磁控溅射沉积技术制备了4种不同Al质量分数的Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD),对薄膜... 针对TiAlN薄膜耐磨性不够优异的问题,研究了Al质量分数对Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜结构和摩擦学性能的影响。采用磁控溅射沉积技术制备了4种不同Al质量分数的Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜。利用扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)及X射线衍射仪(XRD),对薄膜的微观形貌、元素成分与晶体结构进行了表征。采用纳米压痕仪测试薄膜的硬度和弹性模量,用摩擦磨损试验机和白光干涉三维形貌仪测试薄膜的摩擦磨损性能。研究结果表明:随着Al质量分数在一定范围内的增加,薄膜从沿c-TiN(111)晶面生长逐渐转向h-AlN(200)晶面择优取向,Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜疏松结构得到了改善,柱状结晶发生细化,表面形貌更加致密。同时,Ti_(1-x)Al_(x)N薄膜的硬度和弹性模量得到提高,磨损机理由严重的磨粒磨损、黏着磨损转变为轻微的磨粒磨损,平均体积磨损率降低。Ti_(0.67)Al_(0.33)N薄膜的综合性能最优,硬度和弹性模量分别为14.059 GPa和203.37 GPa,摩擦因数最低为0.182,平均体积磨损率为1.321×10^(-8)mm^(3)/(N·m),呈现出较好的摩擦学性能。 展开更多
关键词 al质量分数 磁控溅射 ti_(1-x)al_(x)n薄膜 摩擦学性能
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基于智能感知的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性能研究
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作者 王雪文 白海庭 +5 位作者 赵彦博 张圆梦 彭超 高洁 戴扬 赵武 《西北大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期191-197,共7页
基于Ⅲ-V族半导体的产品已经广泛应用于移动设备、无线网络、卫星通信和光电子技术领域,其中,新型的Ⅲ-V族半导体铟铝氮(In_(x)Al_(1-x)N(x=0~1))因为具有临界击穿电压高、导热系数高、能抵抗强辐射以及化学性质稳定等优点而成为感知器... 基于Ⅲ-V族半导体的产品已经广泛应用于移动设备、无线网络、卫星通信和光电子技术领域,其中,新型的Ⅲ-V族半导体铟铝氮(In_(x)Al_(1-x)N(x=0~1))因为具有临界击穿电压高、导热系数高、能抵抗强辐射以及化学性质稳定等优点而成为感知器件的研究热点。该文首先采用磁控溅射技术以金属In、金属Al和陶瓷Si 3N 4为靶材制备出Si掺杂和纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜。在衬底温度600℃、压强0.6pa、Ar∶N 2流量比为20∶10、金属铟靶材和铝靶材的溅射功率分别为70W和300W、氮化硅的靶材附加功率分别为0W,20W,40W和60W条件下制备出薄膜,研究了所制备薄膜的电性能、拉曼光谱、光致发光(PL)光谱。测试结果表明:为氮化硅靶材附加40W功率时,掺杂Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的载流子浓度比纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜提高了两个数量级;硅掺杂的In_(x)Al_(1-x)N薄膜测得的拉曼光谱中,E2(HI)和Al(LO)模式峰都发生了右方移动,这表明了样品的缺陷增加,应力随之增强;PL光谱测试显示In_(x)Al_(1-x)N的发光峰较高,且薄膜随着Si含量的增加,可能导致薄膜缺陷增加。其次,研究了所制备薄膜的气体敏感性,测试表明,掺Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性优于纯In_(x)Al_(1-x)N薄膜,且细颗粒的掺Si的In_(x)Al_(1-x)N薄膜的气敏性高于大颗粒,证明小颗粒的表面活性大,易吸附气体使得响应灵敏度高,为气敏传感器的开发和信息领域的潜在应用打下基础。 展开更多
关键词 硅掺杂 In_(x)al_(1-x)n薄膜 磁控溅射 气敏性能
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Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)固溶体热学、电学和力学性质的理论研究
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作者 邓斐然 徐敏 +6 位作者 苗峰 黄毅 冯世全 宋明泽 肖晨达 林园园 李慧敏 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第3期477-484,492,共9页
采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过投影缀加波(PAW)和广义梯度近似(GGA)系统地研究了Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)的结构、能量、声子性质、电子性质和弹性性质。对MAX相Ti_(3)AlC_(2)晶体中A位置的Al元素用Zn元素进行替... 采用第一性原理的密度泛函理论平面波赝势法,通过投影缀加波(PAW)和广义梯度近似(GGA)系统地研究了Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)的结构、能量、声子性质、电子性质和弹性性质。对MAX相Ti_(3)AlC_(2)晶体中A位置的Al元素用Zn元素进行替换掺杂,构建出Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)(x=0,0.25,0.5,0.75,1)固溶体结构模型。计算分析表明:在所研究的掺杂浓度范围内Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)均是热力学、动力学和力学稳定的脆性材料;此外,Ti_(3)(Zn_(x)Al_(1-x))C_(2)(x=0,0.25,0.5,0.75,1)均呈现金属性,在费米能级处的电子态密度主要贡献来自Ti-3d态,同时具有离子键、共价键和金属键的综合性质。随着Zn原子掺杂浓度的增加,在一定程度上其导电性和塑性均增强。 展开更多
关键词 ti_(3)(Zn_(x)al_(1-x))C_(2) MAx 低维晶态材料 第一性原理 电子性质 弹性性质 声子性质
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Al_(x)Ga_(1-x)N氮化物结构和热力学性质的第一性原理研究 被引量:1
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作者 李鹏涛 王鑫 +1 位作者 罗贤 陈建新 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第12期2212-2218,共7页
为了掌握Ⅲ族氮化物微观结构对热力学性能的影响规律,进而为超高功率器件的设计提供数据支持,本文借助第一性原理计算软件CASTEP,对半导体Al_(x)Ga_(1-x)N不同合金结构及其热性能进行了系统研究。结构优化和数据分析后发现,Al_(x)Ga_(1-... 为了掌握Ⅲ族氮化物微观结构对热力学性能的影响规律,进而为超高功率器件的设计提供数据支持,本文借助第一性原理计算软件CASTEP,对半导体Al_(x)Ga_(1-x)N不同合金结构及其热性能进行了系统研究。结构优化和数据分析后发现,Al_(x)Ga_(1-x)N的晶格常数、平均键长和晶格热容值随Al组分值x(原子数分数)增大而线性减小。热力学性质计算结果表明,在GaN中引入Al组分会在频率带隙中引入杂质模,随着Al组分浓度的增加杂质模变宽并进入低频段,在低频段顶部频率随Al组分增大而线性升高,在12.5%以上低频段顶部频率均大于(1/2)A1(LO)。温度从300 K到700 K变化时,合金热容随温度变化关系结果证明,在确定温度时,Al_(x)Ga_(1-x)N合金热容随Al组分增大而线性减小。本文的研究为以Al_(x)Ga_(1-x)N为代表的Ⅲ族氮化物半导体高功率器件设计提供了一定的设计参考。 展开更多
关键词 Ⅲ族氮化物 高功率器件 色散关系 热力学性质 第一性原理 密度泛函理论 al_(x)Ga_(1-x)n
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Li_(1-x)Bi_(4+x)Ti_(4)O_(15)薄膜制备与表征 被引量:1
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作者 孟靖华 杨丽清 焦斌权 《无机盐工业》 CAS 北大核心 2018年第9期34-37,共4页
在LiNO_3/SiO_2/Si基板上制备了Li_(1-x)Bi_(4+x)Ti_4O_(15)系列薄膜(x=0.3、0.4、0.5、0.6),并系统分析了这些薄膜的微观结构以及铁电、介电及漏电等电学特性。研究结果表明,在氮气气氛中以600℃持温30 min制备的单一相薄膜中Li0.5Bi4.... 在LiNO_3/SiO_2/Si基板上制备了Li_(1-x)Bi_(4+x)Ti_4O_(15)系列薄膜(x=0.3、0.4、0.5、0.6),并系统分析了这些薄膜的微观结构以及铁电、介电及漏电等电学特性。研究结果表明,在氮气气氛中以600℃持温30 min制备的单一相薄膜中Li0.5Bi4.5Ti4O15薄膜的结晶效果最好,且在其表面可成长出独立晶粒分布状态;x为0.5时薄膜的剩余极化强度2Pr=53.5μC/cm2、矫顽场2Ec=144.2 k V/cm,此时薄膜的铁电性能相对最佳;该系列薄膜的介电常数介于37~100,介电损失相对偏高,介于0.7~1.0;所有薄膜的漏电流均随外加电压的增加而逐渐增大,其中Li0.5Bi4.5Ti4O15薄膜漏电流最小,外加电压为10 V时其值约为3.88×10-6A。 展开更多
关键词 铋层状钙钛矿结构 Li_(1-x)Bi_(4+x)ti_(4)O_(15)薄膜 铁电特性 介电特性 漏电流
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Sm_(x)Sr_(1-x)Al_(x)Ti_(1-x)O_(3)陶瓷的结构及微波介电性能研究
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作者 冯恒恒 杨启航 +3 位作者 余涛 李冬梅 王志建 余洪滔 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2022年第3期28-33,共6页
采用传统固相法制备了Sm_(x)Sr_(1-x)Al_(x)Ti_(1-x)O_(3)(0≤x≤0.4)陶瓷,所得陶瓷样品均为单相结构。X射线衍射精修数据证实了Sm_(2)O_(3)和Al_(2)O_(3)的掺入有效地增大了A位和B位阳离子与氧离子之间的键价值,拉曼图谱显示随着共掺... 采用传统固相法制备了Sm_(x)Sr_(1-x)Al_(x)Ti_(1-x)O_(3)(0≤x≤0.4)陶瓷,所得陶瓷样品均为单相结构。X射线衍射精修数据证实了Sm_(2)O_(3)和Al_(2)O_(3)的掺入有效地增大了A位和B位阳离子与氧离子之间的键价值,拉曼图谱显示随着共掺量增加,TO_(2)、A_(1g)振动模式增强,A位和B位离子有序度增大。另外Sm_(2)O_(3)和Al_(2)O_(3)优化了陶瓷的微观形貌。结合键价理论和拉曼分析了随x变化[TiO_(6)]八面体等结构演变对其微波介电性能的影响,陶瓷样品的介电常数逐渐下降,品质因子增加,其频率温度系数向正方向漂移。 展开更多
关键词 Sm_(x)Sr_(1-x)al_(x)ti_(1-x)O_(3) 晶体结构 介电性能
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Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合催化剂的脱硝性能及抗硫活性
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作者 谭义凤 张婷 +2 位作者 张云飞 孙琦 田蒙奎 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期56-61,共6页
采用共沉淀法制备Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合氧化物,浸渍负载质量分数10%的CuO_(x)和FeO_(y)活性组分,制备一系列Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x) Sn_(x)O_(2)催化剂。探究不同Ti/Sn和Cu/Fe(物质的量比)对Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)催化剂... 采用共沉淀法制备Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合氧化物,浸渍负载质量分数10%的CuO_(x)和FeO_(y)活性组分,制备一系列Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x) Sn_(x)O_(2)催化剂。探究不同Ti/Sn和Cu/Fe(物质的量比)对Cu_(m)-Fe_(n)/Ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)催化剂的NH_(3)-SCR反应活性的影响。研究结果表明,Ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)载体可促进活性组分CuO_(x)和FeO_(y)的相互作用。当Cu/Fe为3∶1时,在300℃下NO_(x)的转化率达到91.3%;向反应体系通入286 mg/m^(3) SO_(2)反应3 h后,NO_(x)的转化率仅下降2.6%。X射线光电子能谱(XPS)、程序升温还原(H_(2)-TPR)、程序升温脱附(NH_(3)-TPD和NO_(x)-TPD)的表征表明,CuO_(x)和FeO_(y)之间存在相互作用,与单一的Cu/Ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)和Fe/Ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)对比,复合催化剂表面吸附氧浓度相对增加15%~33%,总酸量增大56%,从而提高了催化剂脱硝活性。 展开更多
关键词 nH_(3)-SCR ti_(1-x)Sn_(x)O_(2)复合氧化物 Cu_(m)-Fe_(n)/ti_(0.67)Sn_(0.33)O_(2)复合脱硝催化剂 抗硫活性
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高温扩散工艺制备带隙可调的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜
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作者 谭黎 张俊 +3 位作者 张敏 赵荣力 邓朝勇 崔瑞瑞 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2023年第2期281-288,共8页
β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝... β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)因其优异的抗击穿及带隙可调节性在现代功率器件及深紫外光电探测等领域展现出巨大的应用前景,然而传统直接生长工艺的复杂性和难度限制了其进一步的发展。因此,本文采用较为简单的高温扩散工艺在c面蓝宝石衬底上成功制备了β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)纳米薄膜。利用X射线衍射、原子力显微镜、扫描电子显微镜和紫外-可见分光光度计对其进行了表征。由于高温下蓝宝石衬底中的Al原子向Ga_(2)O_(3)层扩散,β-Ga_(2)O_(3)薄膜将转变为Al、Ga原子比例不同的β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜。实验结果显示:当退火温度从1 010℃增加到1 250℃时,薄膜中Al的平均含量从0.033增加到0.371;当退火温度从950℃增加到1 250℃时,薄膜的厚度从186 nm增加到297 nm,粗糙度从2.31 nm增加到15.10 nm;当退火温度从950℃增加到1 190℃时,薄膜的带隙从4.79 eV增加至5.96 eV。结果表明高温扩散工艺能够有效调节β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)薄膜的光学带隙,为β-(Al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3)基新型光电子器件提供了实验基础。 展开更多
关键词 β-(al_(x)Ga_(1-x))_(2)O_(3) Ga_(2)O_(3) al掺杂 半导体薄膜 高温扩散 可调带隙 磁控溅射
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PVDF对LATP基固态电解质膜界面修饰研究
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作者 李长宇 曾强 +3 位作者 肖杰 张阳杰 张政 林元华 《化工学报》 北大核心 2025年第6期2974-2982,共9页
为降低Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)(LATP)电解质膜与锂金属负极之间的界面阻抗,抑制LATP与锂金属之间的副反应以及锂枝晶的生长,提高LATP电解质膜的性能,使用PVDF对LATP基电解质膜界面进行修饰,并研究其电化学性能。将LATP陶瓷... 为降低Li_(1+x)Al_(x)Ti_(2-x)(PO_(4))_(3)(LATP)电解质膜与锂金属负极之间的界面阻抗,抑制LATP与锂金属之间的副反应以及锂枝晶的生长,提高LATP电解质膜的性能,使用PVDF对LATP基电解质膜界面进行修饰,并研究其电化学性能。将LATP陶瓷粉末与聚氧化乙烯、LIFSI混合均匀后浇筑成膜,将PVDF溶液均匀涂覆在电解质膜表面,干燥得到修饰后的电解质膜。通过电化学实验、充放电实验、表面表征等方法,研究PVDF修饰后电解质膜的性能。结果显示,PVDF影响了LATP的晶体结构,优化了锂离子迁移通道。修饰后电解质膜的室温离子电导率提升,室温下电化学窗口由3.74 V增加到4.10 V,锂离子迁移数由0.915提升到0.978,组装锂金属对称电池在0.05 m A/cm^(2)电流密度下的循环时间从45 h提升到280 h以上,有效抑制了锂枝晶的生长,提升了电解质膜与锂金属界面稳定性。在电流密度0.025、0.050、0.100、0.200 m A/cm^(2)下的极化电压分别为27、60、110、220 m V。在LFP|SSCEs-1|Li全电池中循环超过25圈后形成了良好的SEI界面。从第25圈到第100圈容量保持率为87%,库仑效率始终保持在95%以上。PVDF修饰层提升了LATP电解质膜的电化学性能以及和锂金属界面的稳定性,对全固态锂电池的应用具有积极意义。 展开更多
关键词 Li_(1+x)al_(x)ti_(2-x)(PO_(4))_(3) 固态电解质 界面 凝胶 锂金属电池 固态电池
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直接热处理法制备R-TiO_(2)晶须及其生长机制研究
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作者 郭林秀 盖建丽 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2021年第9期65-72,共8页
一维金红石型纳米二氧化钛(R-TiO_(2))由于其特殊的结构,在可再生清洁能源领域被广泛研究和应用。本文以Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体块体材料为基体,研究了Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体中的Al含量、环境因素对R-TiO_(2)纳米晶... 一维金红石型纳米二氧化钛(R-TiO_(2))由于其特殊的结构,在可再生清洁能源领域被广泛研究和应用。本文以Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体块体材料为基体,研究了Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体中的Al含量、环境因素对R-TiO_(2)纳米晶须生长的影响。表明,随Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体中的Al含量的增加,R-TiO_(2)长晶须逐渐生成,当x≥0.25时,表面排成列或扎堆生成约2μm的R-TiO_(2)长晶须;而纳米晶须随着O含量的增加生成量减少;升高温度,样品表面会生成α-Al_(2)O_(3)纳米片(x≥0.5时)。因此,Ti_(3)Si_(1-x)Al_(x)C_(2)固溶体在800℃、100 Pa条件下直接热处理成功制备出R-TiO_(2)纳米晶须,开发了一种简单且环境友好的方法。 展开更多
关键词 tiO2 ti_(3)Si_(1-x)al_(x)C_(2) al_(2)O_(3) 纳米晶须 纳米片
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