TiO2电容-压敏陶瓷制备工艺研究进展

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作者 孟凡明 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A02期570-572,共3页

TiO2电容-压敏陶瓷非线性伏安特性和介电性能优良，具有吸收高频噪声和过电压保护的功能。综述了TiO2电容-压敏陶瓷的粉体制备、成型、烧结工艺、烧成制度以及烧结气氛等工艺过程的研究现状，并对其进行了展望。

关键词 tio2电容-压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 介电常数 工艺

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Bi_2O_3掺杂对Nb_2O_5-TiO_2电容-压敏双功能陶瓷的影响 被引量：1

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作者 胡连峰 唐超群 +3 位作者 周文斌 薛霞 黄金球 马新国 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期877-879,共3页

研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度,相对介电常数,非线性,压敏电压的影响。实验发现,烧结温度为1200℃,Bi2O3掺杂量为0.2%时,非线性系数α高达6.6148;Bi2O3掺杂量为1.0%时,相对介电常数εr高达1.3733×... 研究了Bi2O3掺杂对Nb2O5-TiO2电容压敏双功能陶瓷材料的烧结温度,相对介电常数,非线性,压敏电压的影响。实验发现,烧结温度为1200℃,Bi2O3掺杂量为0.2%时,非线性系数α高达6.6148;Bi2O3掺杂量为1.0%时,相对介电常数εr高达1.3733×104。烧结温度在1450℃时,压敏电压最低,Eb=1.979 V.mm-1。 展开更多

关键词 tio2 Bi2O3掺杂 电容-压敏 非线性

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SrTiO_3系电容-压敏复合功能陶瓷的研究进展

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作者 徐庆 陈文 +1 位作者 周静 崔万秋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期38-39,43,共3页

介绍了SrTiO_3系电容-压敏复合功能陶瓷的制备方法及其复合功能效应的机理,综述了当前有关研究的进展,评述了晶粒特性和晶界特性对复合功能效应的影响。

关键词 电容-压敏 复合功能陶瓷 半导体陶瓷

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退火对TiO2-Ta2O5-CaCO3陶瓷结构及压敏性能的影响

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作者 康昆勇 朱刚 徐开蒙 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第4期694-699,共6页

本文研究了退火对TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷的压敏性能的影响,采用球磨-成型-烧结的传统方法制备TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷,并将TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷在不同温度下退火,用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压EB,采用XRD... 本文研究了退火对TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷的压敏性能的影响,采用球磨-成型-烧结的传统方法制备TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷,并将TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷在不同温度下退火,用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压EB,采用XRD、SEM和STEM分析微观结构。结果表明,适宜温度下退火适当时间,可使晶粒适当长大,并使晶粒粒度分布均匀,减少气孔和提高致密度。退火过程中,半径较大的受主离子获得动能进一步向晶界偏析,增大晶界受主态密度,从而提高非线性系数α。晶粒适当长大,晶界数量和晶界总面积减小,有助于减小压敏电压;提高致密度可减小电阻率,从而进一步减小压敏电压。当掺杂浓度为0.20mol%,烧结温度为1350℃,700℃退火3 h的TiO2-Ta2O5-CaCO3压敏陶瓷获得最高的非线性系数和较低的压敏电压(α=8.6,EB=22.5 V·mm-1),优于没有退火样品。 展开更多

关键词 tio2压敏陶瓷 非线性系数 压敏电压 退火

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(Sr,Ca)TiO_3电容-压敏复合功能陶瓷材料的制备和性质研究 被引量：2

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作者 陈小喜 黄新堂 +1 位作者 刘立民 刘武 《华中师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2000年第4期403-407,共5页

SrTiO_3基电容－压敏复合功能陶瓷材料具有优良性能．本文通过草酸盐化学共沉淀法制备（Sr，Ca）TiO3陶瓷的超微细粉末;对不同烧成温度、中温氧化温度和氧化时间及不同烧成气氛对材料的介电性能的影响作了综合讨论与分析．

关键词 电容--压敏复合功能陶瓷 (Sr CA)tio2 压敏电压 非线性系数 石墨还原 制备 性质

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利用正交设计制备SrTiO_3-PbTiO_3-Bi_2O_3·3TiO_2基高压陶瓷电容器材料 被引量：1

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作者 黄建洧 张其土 顾玉艳 《中国陶瓷》 CAS CSCD 2002年第3期17-19,共3页

本文利用正交试验研究了添加剂及烧结温度对SrTio3-PbTiO3-Bi2 O3·3Tio3基高压瓷介电容器材料介电性能的影响。正交试验的结果表明 :最佳添加量分别是CaTio3为 2 .0 %、MnO2 为 0 .0 2 %、Nb2 O5为 0 .1 %、SiO2 为 0 .1 % ,烧结... 本文利用正交试验研究了添加剂及烧结温度对SrTio3-PbTiO3-Bi2 O3·3Tio3基高压瓷介电容器材料介电性能的影响。正交试验的结果表明 :最佳添加量分别是CaTio3为 2 .0 %、MnO2 为 0 .0 2 %、Nb2 O5为 0 .1 %、SiO2 为 0 .1 % ,烧结温度为 1 2 2 0℃ ,材料的介电性能为 :εr=1 740、tgδ =6× 1 0 4 、Eb =1 1 .1kv/mm。 展开更多

关键词 正交设计 制备 Srtio3-Pbtio3-Bi2O3·3tio2基 高压陶瓷电容器 添加剂

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Ge掺杂对TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷结构及性能的影响

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作者 康昆勇 徐开蒙 +2 位作者 刘灿 杨晓琴 郑志锋 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期447-452,共6页

TiO_2压敏电阻是一种典型的非线性电流-电压电子器件,本文研究了Ge掺杂对TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷的非线性系数α和压敏电压EB的影响。采用传统的球磨-成型-烧结方法成功制备Ge掺杂TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷,用压敏直流参数仪... TiO_2压敏电阻是一种典型的非线性电流-电压电子器件,本文研究了Ge掺杂对TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷的非线性系数α和压敏电压EB的影响。采用传统的球磨-成型-烧结方法成功制备Ge掺杂TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷,用压敏直流参数仪测试样品的非线性系数α、压敏电压EB和漏电流JL等电学性质,并根据相关公式计算样品平均势垒高度。XRD、XPS、SEM和STEM分析表明,Ge掺杂显著改变TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷微结构,提高非线性系数α和减小压敏电压EB。当施主Nb_2O_5和受主CaCO_3掺杂浓度分别为0.5mol%时,掺杂1.0mol%Ge的压敏陶瓷获得了最高的非线性系数和较低的压敏电压(α=10.6,EB=8.7 V/mm),明显优于不掺杂Ge的TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3压敏陶瓷。此外,Ge熔点较低,作为烧结助剂可以降低陶瓷的烧结温度,TiO_2-Nb_2O_5-CaCO_3-Ge压敏陶瓷最佳烧结温度是1300℃。 展开更多

关键词 tio2压敏陶瓷 非线性系数 压敏电压 Ge

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烧结温度对TiO_2压敏陶瓷性能的影响 被引量：7

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作者 陈海芳 甘国友 +1 位作者 严继康 张小文 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期135-136,142,共3页

Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结... Ti O2压敏陶瓷是一种新型的半导体双功能元件,具有压敏电压低、非线性系数大、介电常数高等许多突出的优点,广泛用于中低压领域中作为过电压保护和浪涌吸收元件。主要研究了烧结温度对Ti O2压敏陶瓷电性能的影响。研究中发现,随着烧结温度的升高,Ti O2压敏陶瓷有压敏电压降低、非线性系数升高的趋势。在1400℃烧结时显示出较低的压敏电压V1mA=5.12V·mm-1,较好的非线性系数a=5.2,和较高的介电常数εr=3.7×104。 展开更多

关键词 二氧化钛 压敏陶瓷 烧结温度 tio2压敏陶瓷 陶瓷性能 非线性系数 压敏电压 介电常数 过电压保护 功能元件

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烧结温度对TiO2压敏陶瓷结构和性能的影响 被引量：9

9

作者 严继康 甘国友 +2 位作者 陈海芳 张小文 孙加林 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第3期332-334,共3页

研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷显微结构、晶界势垒结构和电学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)测试了不同烧结温度对TiO2陶瓷的显微结构;根据热电子发射理论,采用电学性能数据计算了不同烧结温度的晶界势垒结构;讨论了显微结构和势垒结构... 研究了烧结温度对TiO2压敏陶瓷显微结构、晶界势垒结构和电学性能的影响。采用扫描电镜(SEM)测试了不同烧结温度对TiO2陶瓷的显微结构;根据热电子发射理论,采用电学性能数据计算了不同烧结温度的晶界势垒结构;讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。实验结果表明:烧结温度必须高于致密化的初始温度,但烧结温度过高会形成大量氧空位而在晶粒中形成气孔,影响显微结构的均匀性和致密性,较适合的烧结温度为1 350℃。随烧结温度的增加,TiO2压敏陶瓷的晶粒尺寸长大,Nb5+的固溶度增加,势垒高度与势垒宽度增加,压敏电压降低,而非线性系数和介电常数增加。 展开更多

关键词 tio2 压敏陶瓷 烧结温度 显微结构 势垒结构

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(Sr^(2+),Bi^(3+),Si^(4+),Ta^(5+))掺杂的TiO_2压敏陶瓷中Ta^(5+)的研究 被引量：9

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作者 孟凡明 胡素梅 +1 位作者 傅刚 周方桥 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期96-98,共3页

研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2... 研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2× 1 0 5)及较小非线性系数 (α =2 .6 )。考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求 ,Ta2 O5最佳掺杂量在 0 .0 85mol%与 0 .1mol%之间。 展开更多

关键词 tio2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 介电常数

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(La，Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的研究 被引量：7

11

作者 严继康 甘国友 +2 位作者 陈海芳 张小文 孙加林 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2008年第1期67-70,共4页

研究了(La,Nb)掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的转变及其对压敏性能的影响。采用实验方法研究了La2O3和Nb2O5的掺杂量及烧结温度对TiO2压敏陶瓷的压敏电压和非线性系数的影响。采用SEM、EPMA和XRD测试了TiO2陶瓷的显微结构、化学组成和物相... 研究了(La,Nb)掺杂TiO2压敏陶瓷中第二相的转变及其对压敏性能的影响。采用实验方法研究了La2O3和Nb2O5的掺杂量及烧结温度对TiO2压敏陶瓷的压敏电压和非线性系数的影响。采用SEM、EPMA和XRD测试了TiO2陶瓷的显微结构、化学组成和物相。研究结果表明,(La,Nb)掺杂TiO2压敏陶瓷中存在第二相,随着烧结温度的增加,第二相会从LaNbO4向LaNbTiO6转变。根据La2O3-TiO2、La2O3-Nb2O5和Nb2O5-TiO2的二元相图,绘出了La2O3-Nb2O5-TiO2三元相图,在三元相图基础上初步估算了在不同烧结温度TiO2压敏陶瓷中第二相的相对含量。第二相LaNbTiO6的析出,导致钛空位(V″Ti″)浓度增大,而使压敏电压和非线性系数增加。 展开更多

关键词 tio2 压敏陶瓷 第二相 LaNbO4 LaNbtio6

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(La、Nb)共掺杂TiO_2压敏陶瓷第二相形成机理 被引量：5

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作者 严继康 甘国友 +1 位作者 杜景红 易健宏 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2011年第5期779-783,787,共6页

研究了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理。以锐钛矿TiO2、Nb2O5和La2O3氧化物粉体为原料,采用传统固相烧结工艺制备了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷,采用SEM、EDS、XRD、AFM和TEM检测了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷样品的显微... 研究了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理。以锐钛矿TiO2、Nb2O5和La2O3氧化物粉体为原料,采用传统固相烧结工艺制备了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷,采用SEM、EDS、XRD、AFM和TEM检测了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷样品的显微结构、化学组成、物相组成、热蚀沟和显微形貌;通过点缺陷热力学分析、晶界能和材料结构检测分析讨论了(La、Nb)共掺杂TiO2压敏陶瓷第二相的形成机理。研究结果表明,第二相的形成起源于掺杂La3+和Nb5+在晶界的偏析,偏析驱动力为弹性应变能。偏析离子在高能量晶粒表面或晶界面成核,并逐渐长大形成第二相。第二相主要在能量较高的晶面上生长,这有利于使整个材料体系的能量最低。 展开更多

关键词 tio2 陶瓷材料 压敏电阻 偏析

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Y系掺杂的TiO_2压敏陶瓷性能研究 被引量：7

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作者 季惠明 孙清池 王丹阳 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2002年第5期58-61,共4页

通过在TiO2 压敏陶瓷制备过程中引入Y系作为受主掺杂 ,讨论了以Y取代Bi受主掺杂对双功能TiO2 压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明 :以Y系掺杂的Ti Nb基压敏陶瓷可获得较好的低的压敏电压与高的电容双功能特性。其中 ,以Y +Cu为受主掺杂剂... 通过在TiO2 压敏陶瓷制备过程中引入Y系作为受主掺杂 ,讨论了以Y取代Bi受主掺杂对双功能TiO2 压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明 :以Y系掺杂的Ti Nb基压敏陶瓷可获得较好的低的压敏电压与高的电容双功能特性。其中 ,以Y +Cu为受主掺杂剂 ,SiO2 为烧结助剂的配方 ,在 1 30 0℃温度下烧结 ,获得压敏电压V1mA=9.4V/mm ,非线性系数α=4 .8,介电常数ε=2 1 30 0 ,介电损耗tanδ=0 .0 9较优异的压敏介电性能。 展开更多

关键词 性能 研究 tio2压敏陶瓷 Y系掺杂 Bi系掺杂 二氧化钛

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Ta_2O_5对掺杂的TiO_2压敏陶瓷电性能的影响 被引量：4

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作者 孟凡明 孙兆奇 《合肥工业大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期53-56,共4页

基于典型的陶瓷工艺制备试样,通过对样品的压敏特性、电容频谱特性的测定及势垒高度φb的计算,研究了Ta2O5对掺杂(Ba,Bi,Si,Ta)的TiO2压敏陶瓷的压敏特性及电容特性的影响。结果表明,随着Ta2O5的摩尔分数的增加,样品的压敏电压、非线性... 基于典型的陶瓷工艺制备试样,通过对样品的压敏特性、电容频谱特性的测定及势垒高度φb的计算,研究了Ta2O5对掺杂(Ba,Bi,Si,Ta)的TiO2压敏陶瓷的压敏特性及电容特性的影响。结果表明,随着Ta2O5的摩尔分数的增加,样品的压敏电压、非线性系数和视在介电常数呈现一定的变化规律,掺入摩尔分数为0.1%的Ta2O5样品显示出最低的压敏电压和最高的视在介电常数,并从理论上进行了分析。综合考虑材料的各种电性能参数,尤其是压敏电压低压化的需求,Ta2O5掺杂摩尔分数在0.1%左右为宜。 展开更多

关键词 tio2压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量

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掺杂TiO_2制备低压ZnO压敏陶瓷 被引量：2

15

作者 郭会明 梅来宝 朱凤英 《南京工业大学学报（自然科学版）》 CAS 2003年第1期59-62,共4页

主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1mA,但掺入量超过一定值后一方面会生成阻止晶粒继续生长的晶界反应层,促使压敏电压又有所升高,另一方面会... 主要研究了晶粒助长剂TiO2、烧成条件等对ZnO低压压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:TiO2的掺入能显著促进晶粒生长,降低压敏电压V1mA,但掺入量超过一定值后一方面会生成阻止晶粒继续生长的晶界反应层,促使压敏电压又有所升高,另一方面会生成钛酸铋立方相而引起富铋晶界相含量的减少,导致非线性特性下降。提高烧成温度可以促进晶粒生长,降低压敏电压,但温度过高时由于铋的挥发加剧,利用提高烧成温度降低压敏电压会引起非线性特性和漏流等性能的劣化。 展开更多

关键词 tio2 ZNO 制备 低压压敏陶瓷 压敏电压 非线性特性 二氧化钛 氧化锌陶瓷

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烧结温度对TiO_2压敏陶瓷非线性和介电性质的影响(英文) 被引量：2

16

作者 孟凡明 孙兆奇 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1149-1152,1159,共5页

基于一次烧结工艺，通过改变烧结温度，制备5种组分相同、（Sr，Bi，Si，Ta）掺杂的TiO2陶瓷试样。借助于伏安特性、介电频率特性、损耗频率特性及非线性系数的测定，研究烧结温度对TiO2基压敏陶瓷压敏和介电性质的影响。结果表明，在12... 基于一次烧结工艺，通过改变烧结温度，制备5种组分相同、（Sr，Bi，Si，Ta）掺杂的TiO2陶瓷试样。借助于伏安特性、介电频率特性、损耗频率特性及非线性系数的测定，研究烧结温度对TiO2基压敏陶瓷压敏和介电性质的影响。结果表明，在1200-1400℃范围内，随着烧结温度的降低，陶瓷的压敏电压降低、介电常数增大，同时非线性系数有所减小。兼顾陶瓷压敏和介电特性，烧结温度选择1350℃为宜。 展开更多

关键词 压敏陶瓷 tio2 电性能 缺陷

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TiO_2-V_2O_5陶瓷的复合特性研究 被引量：2

17

作者 肖洪地 王成建 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第2期146-148,共3页

报道了TiO2-V2O5陶瓷的制备工艺和复合功能特性的研究结果。该陶瓷使用传统的陶瓷工艺制备,并测量了其性能参数。该陶瓷具有复合功能特性,即半导体特性、介电特性和压敏特性。用TiO2-V2O5陶瓷可以制备复合功能陶瓷器件。

关键词 tio2-V2O5 陶瓷 半导体特性 介电特性 压敏特性

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Ta_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷半导化的影响 被引量：4

18

作者 孟凡明 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2005年第5期554-556,共3页

研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T ... 研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T a2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。 展开更多

关键词 tio2基压敏陶瓷 压敏电压 非线性系数 电容量 晶粒电阻 半导化

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水基凝胶注模成型工艺制备0.9Al2O3-0.1TiO2陶瓷的微波介电性能(英文) 被引量：1

19

作者 吴甲民 吕文中 +1 位作者 梁军 汪小红 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期102-106,共5页

采用水基凝胶注模成型工艺制备了0.9Al_2O_3-0.1TiO_2陶瓷.研究了烧结后的0.9Al_2O_3-0.1TiO_2陶瓷的微结构、相组成以及微波介电性能.通过采用合适的预烧温度(1200℃)和连续、缓慢的降温工艺来退火,成功消除了Al_2TiO_5第二相.和传统... 采用水基凝胶注模成型工艺制备了0.9Al_2O_3-0.1TiO_2陶瓷.研究了烧结后的0.9Al_2O_3-0.1TiO_2陶瓷的微结构、相组成以及微波介电性能.通过采用合适的预烧温度(1200℃)和连续、缓慢的降温工艺来退火,成功消除了Al_2TiO_5第二相.和传统干压法相比,用水基凝胶注模成型工艺制备的0.9Al_2O_3-0.1TiO_2陶瓷具有较大的晶粒,较少的气孔和更加均匀的微结构.因此,用水基凝胶注模成型工艺制备的0.9Al_2O_3-0.1TiO_2陶瓷拥有更好的微波介电性能:ε_r=10.71,Q×f=20421GHz,τ_f=1.3×10^(-6)/℃,而用传统干压法制备的0.9Al_2O_3-0.1TiO_2陶瓷的微波介电性能为ε_r=10.89,Q×f=11938GHz,τ_f=1.4×10^(-6)/℃. 展开更多

关键词 陶瓷 介电性能 微结构 0.9Al2O3-0.1tio2 水基凝胶注模成型工艺

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不同受主技能杂对TiO2压敏陶瓷性能的影响 被引量：3

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作者 王丹阳 季惠明 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第Z10期160-162,共3页

本研究通过在ＴｉＯ２压敏陶瓷制备过程中掺杂不同的受主杂质，讨论了采用不同受主掺杂及不同烧结温度对双功能ＴｉＯ２压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明，在１３００℃烧结温度下，以Ｂａ或Ｓｒ掺杂的较Ｐｂ掺杂的Ｔｉ－Ｎｂ－Ｂｉ系... 本研究通过在ＴｉＯ２压敏陶瓷制备过程中掺杂不同的受主杂质，讨论了采用不同受主掺杂及不同烧结温度对双功能ＴｉＯ２压敏陶瓷性能的影响。实验结果表明，在１３００℃烧结温度下，以Ｂａ或Ｓｒ掺杂的较Ｐｂ掺杂的Ｔｉ－Ｎｂ－Ｂｉ系压敏陶瓷对改善压敏性能更有利，相对而言，Ｂａ对降低压敏电压，Ｓｒ对提高非线性系数更有效。 展开更多

关键词 tio2压敏陶瓷 受主掺杂 烧结温度 性能

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