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Ta_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷半导化的影响
被引量：
4
1
作者
孟凡明
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005年第5期554-556,共3页
研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T ...
研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T a2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。
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关键词
tio2基压敏陶瓷
压敏
电压
非线性系数
电容量
晶粒电阻
半导化
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职称材料
(Sr^(2+),Bi^(3+),Si^(4+),Ta^(5+))掺杂的TiO_2压敏陶瓷中Ta^(5+)的研究
被引量：
9
2
作者
孟凡明
胡素梅
+1 位作者
傅刚
周方桥
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期96-98,共3页
研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2...
研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2× 1 0 5)及较小非线性系数 (α =2 .6 )。考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求 ,Ta2 O5最佳掺杂量在 0 .0 85mol%与 0 .1mol%之间。
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关键词
tio2基压敏陶瓷
压敏
电压
非线性系数
介电常数
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职称材料
题名
Ta_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷半导化的影响
被引量：
4
1
作者
孟凡明
机构
安徽大学信息材料与器件重点实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005年第5期554-556,共3页
基金
安徽省教育厅科研基金资助项目(2005KJ224)
安徽大学教学研究基金资助项目(X200521)
安徽大学信息材料与器件重点实验室基金资助项目
文摘
研究T a2O5对(S r,B i,S i,T a)掺杂的T iO2基压敏陶瓷半导化的影响,发现随着T a2O5增加,晶粒电阻呈现“U”字型变化规律,按照配方T iO2+0.3%(S rCO3+B i2O3+S iO2)+0.1%T a2O5(摩尔分数)配制的样品的晶粒电阻最小,这表明适当增加施主T a2O5的含量有助于材料晶粒的半导化。
关键词
tio2基压敏陶瓷
压敏
电压
非线性系数
电容量
晶粒电阻
半导化
Keywords
tio
2
-based varistor
breakdown voltage
nonlinear exponent
electric capacity
grain resistance
semi- conductivity
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
(Sr^(2+),Bi^(3+),Si^(4+),Ta^(5+))掺杂的TiO_2压敏陶瓷中Ta^(5+)的研究
被引量：
9
2
作者
孟凡明
胡素梅
傅刚
周方桥
机构
安徽大学物理与材料科学学院
茂名学院技术物理系
广州大学固体物理与材料研究实验室
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第1期96-98,共3页
文摘
研究Ta2 O5对 (Sr,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2 基压敏陶瓷压敏特性及电容特性的影响 ,发现按配方TiO2+0 .3%(SrCO3+Bi2 O3+SiO2 ) +0 .1 %Ta2 O5配制的样品具有最低压敏电压 (E1 0mA =1 .2V·mm- 1 )、最大相对介电常数 (εra=2 .0 0 2× 1 0 5)及较小非线性系数 (α =2 .6 )。考虑到材料的低压敏电压和大介电常数的要求 ,Ta2 O5最佳掺杂量在 0 .0 85mol%与 0 .1mol%之间。
关键词
tio2基压敏陶瓷
压敏
电压
非线性系数
介电常数
Keywords
tio
_
2
-based varistor
breakdown voltage
nonlinear exponent
dielectric constant
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
TN379 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ta_2O_5对TiO_2基压敏陶瓷半导化的影响
孟凡明
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2005
4
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职称材料
2
(Sr^(2+),Bi^(3+),Si^(4+),Ta^(5+))掺杂的TiO_2压敏陶瓷中Ta^(5+)的研究
孟凡明
胡素梅
傅刚
周方桥
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2005
9
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职称材料
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