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TiN(Ni) 对 GPS Si_3N_4 复合材料导电性能的影响 被引量:2
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作者 林广涌 饶平根 +2 位作者 王黎 严松浩 杨以文 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期5-7,10,共4页
本文研究了TiN(Ni)对GPSSi3N4复合材料导电性能的影响。实验结果表明:添加TiN粒子可显著降低Si3N4复合材料的电阻率;Ni的加入对降低Si3N4复合材料的电阻率有一定的作用。选择电阻率小于1Ω·cm... 本文研究了TiN(Ni)对GPSSi3N4复合材料导电性能的影响。实验结果表明:添加TiN粒子可显著降低Si3N4复合材料的电阻率;Ni的加入对降低Si3N4复合材料的电阻率有一定的作用。选择电阻率小于1Ω·cm的试样进行电火花加工,加工性能良好。 展开更多
关键词 氮化钛 氮化硅 导电性 复合陶瓷 GPS
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