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绿色荧光粉NaCaPO4:Tb^3+的制备与发光特性 被引量:22
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作者 杨志平 王少丽 +3 位作者 杨广伟 田晶 李盼来 李旭 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期81-84,共4页
采用高温固相法合成了适用于UVLED芯片激发的NaCaPO4∶Tb3+绿色荧光粉并对其发光性质进行了研究。该荧光粉的发射峰位于418,440,492,545,586,622nm,分别对应Tb3+的5D3→7F5、5D3→7F4、5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3能级跃迁... 采用高温固相法合成了适用于UVLED芯片激发的NaCaPO4∶Tb3+绿色荧光粉并对其发光性质进行了研究。该荧光粉的发射峰位于418,440,492,545,586,622nm,分别对应Tb3+的5D3→7F5、5D3→7F4、5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4、5D4→7F3能级跃迁。其中位于492,545nm的发射峰最强,样品发射很好的绿光。主要激发峰位于380~400nm之间,属于4f→4f电子跃迁吸收,与UVLED芯片的发射相匹配。考察了Tb3+掺杂浓度和Li+,Na+和K+作为电荷补偿剂对样品发光性能的影响:Tb3+的最佳掺杂浓度为10%,以Li+的补偿效果最好。NaCaPO4∶Tb3+是一种适用于白光LED的绿色荧光材料。 展开更多
关键词 发光 荧光粉 NaCaPO4:Tb^3+ 白光LED
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KBaPO_4:Tb^(3+)材料制备及其发光特性 被引量:9
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作者 王志军 李盼来 +1 位作者 杨志平 郭庆林 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期503-507,共5页
采用高温固相法合成了KBaPO4:Tb3+绿色发光荧光粉,并研究了材料的发光性质.KBaPO4:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于437、490、545、586和622 nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为545 nm;监测545 nm发射峰,所得... 采用高温固相法合成了KBaPO4:Tb3+绿色发光荧光粉,并研究了材料的发光性质.KBaPO4:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于437、490、545、586和622 nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为545 nm;监测545 nm发射峰,所得激发光谱由4f 7-5d1的宽带吸收(200~330 nm)和4f-4f电子吸收(330~400 nm)组成,主峰为380 nm.研究了Tb3+掺杂浓度,电荷补偿剂Li+、Na+、K+和Cl-,及敏化剂Ce3+对KBaPO4:Tb3+材料发射强度的影响.结果显示,调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂或敏化剂均可在很大程度上提高材料的发射强度.上述结果表明KBaPO4:Tb3+材料是一种很好的近紫外光激发型高效绿色发光荧光粉. 展开更多
关键词 白光LED KBaPO4:Tb^3+ 发光特性
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Ce^(3+)-Tb^(3+)共掺杂黄磷炉渣微晶玻璃的发光与能量传递 被引量:3
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作者 吴玮强 李文斌 +3 位作者 黄小凤 龙雨欣 邓凯沣 王宇 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期1103-1110,共8页
以黄磷炉渣为原料,采用高温熔融法制备Ce^(3+)-Tb^(3+)共掺杂黄磷炉渣发光微晶玻璃,通过差热分析(DTA)、X射线衍射(XRD)、稳态/瞬态荧光(FLS)、CIE色度等探究不同的Tb^(3+)掺杂量对微晶玻璃析出晶相、发光性能和样品色度的影响。结果表... 以黄磷炉渣为原料,采用高温熔融法制备Ce^(3+)-Tb^(3+)共掺杂黄磷炉渣发光微晶玻璃,通过差热分析(DTA)、X射线衍射(XRD)、稳态/瞬态荧光(FLS)、CIE色度等探究不同的Tb^(3+)掺杂量对微晶玻璃析出晶相、发光性能和样品色度的影响。结果表明,Ce^(3+)和Tb^(3+)的引入,微晶玻璃主晶相为硅灰石,在310 nm波长激发下,随着Tb^(3+)掺杂量增加,位于380 nm处Ce^(3+)的特征发射峰减小,543 nm处Tb^(3+)的特征发射峰增强,证实Ce^(3+)和Tb^(3+)之间存在能量传递,能量传递效率达到24.55%。此外,通过调整Tb^(3+)掺杂量,微晶玻璃发光颜色可由蓝光调至绿光,从而实现发光颜色的可控化。 展开更多
关键词 黄磷炉渣 发光 Ce^(3+) Tb^(3+) 能量传递
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Sr_3B_2O_6∶Tb^(3+),Li^+绿色荧光粉的发光特性(英文) 被引量:7
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作者 杨志平 赵方亮 +2 位作者 李小宁 赵金鑫 路亚娟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期941-944,共4页
用高温固相法合成了Sr3B2O6∶Tb3+,Li+绿色荧光粉,并研究粉体的发光性质。发射光谱由位于黄绿区的4个主要荧光发射峰组成,峰值分别位于495,548,598,625nm,对应了Tb3+的5D4→7F6,5D4→7F5,5D4→7F4和5D4→7F3特征跃迁发射,548nm的发射最... 用高温固相法合成了Sr3B2O6∶Tb3+,Li+绿色荧光粉,并研究粉体的发光性质。发射光谱由位于黄绿区的4个主要荧光发射峰组成,峰值分别位于495,548,598,625nm,对应了Tb3+的5D4→7F6,5D4→7F5,5D4→7F4和5D4→7F3特征跃迁发射,548nm的发射最强。激发光谱表现从200~400nm的宽带,可以被近紫外光辐射二极管(near-ultraviolet light-emitting diodes,UVLED)管芯产生的350~410nm辐射有效激发。研究了Tb3+掺杂和电荷补偿剂对样品发光亮度的影响。Sr3B2O6∶Tb3+,Li+是一种适用于白光LED的绿色荧光粉。 展开更多
关键词 Sr382O6:Tb^3+ Li^+ 发光
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杂质Mn^(4+)发光中心相关的Mg_(7)Ga_(2)GeO_(12)∶Tb^(3+)多色荧光粉发光性能 被引量:2
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作者 张浩祺 丁庆阳 +3 位作者 陈发艺 缪煜清 禹德朝 张大伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期1114-1122,共9页
高性能稀土掺杂多色荧光材料的研发是发展先进荧光防伪技术的必要基础。本文通过高温固相法制备了一系列Tb^(3+)掺杂Mg_(7)Ga_(2)GeO_(12)荧光粉,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和能量色散X射线光谱(EDS)对荧光粉的物相、颗粒... 高性能稀土掺杂多色荧光材料的研发是发展先进荧光防伪技术的必要基础。本文通过高温固相法制备了一系列Tb^(3+)掺杂Mg_(7)Ga_(2)GeO_(12)荧光粉,并利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和能量色散X射线光谱(EDS)对荧光粉的物相、颗粒尺寸与微观形貌、元素分布进行了系统表征,证实制得了结晶度良好的无规则微米级纯相荧光粉。在紫外377 nm激发下,Mg_(7)Ga_(2)GeO_(12)∶Tb^(3+)样品产生高效的Tb^(3+)蓝绿光特征发射,并具有20%Tb^(3+)最佳掺杂浓度,但同时还可发射峰值位于660 nm红光,其并不对应于Tb^(3+)离子的任何辐射跃迁。经电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)和稳态/瞬态光谱分析,以及结合文献调研,证实红光~660 nm源于Mn^(4+)^(2)Eg→^(4)A_(2g)电子跃迁发射,Mn杂质元素来自于原材料。综合Tb^(3+)离子和Mn^(4+)杂质离子荧光性能,Mg_(7)Ga_(2)GeO_(12)∶Tb^(3+)样品具有200~420 nm范围内激发波长依赖的发光可调谐特性,可实现青、绿、黄、白、红等可视化多色显示效果,有望应用于多色荧光防伪与调控技术。 展开更多
关键词 荧光粉 可调谐激发 多色发光 荧光防伪 Tb^(3+)离子
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NaBaPO_4:Tb^(3+)绿色荧光粉制备及其发光特性 被引量:6
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作者 王志军 杨志平 +1 位作者 郭庆林 李盼来 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第12期3317-3321,共5页
采用高温固相法合成了NaBaPO4:Tb3+绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质.NaBaPO4:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于437、490、543、587和624nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为543nm;监测543nm发射峰,所得激发光... 采用高温固相法合成了NaBaPO4:Tb3+绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质.NaBaPO4:Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于437、490、543、587和624nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为543nm;监测543nm发射峰,所得激发光谱由4f75d1宽带吸收(200-330nm)和4f-4f电子吸收(330-400nm)组成,主峰为380nm.研究了Tb3+掺杂浓度,电荷补偿剂Li+、Na+、K+和Cl-,及敏化剂Ce3+对NaBaPO4:Tb3+材料发射强度的影响.结果显示:调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂或敏化剂均可以在很大程度上提高材料的发射强度. 展开更多
关键词 发光特性 NaBaPO4:Tb3+ 绿色荧光粉
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KCaPO_4∶Tb^(3+)绿色荧光粉的发光特性 被引量:3
7
作者 王志军 李盼来 +1 位作者 杨志平 郭庆林 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第5期884-887,共4页
采用高温固相法合成了KCaPO4∶Tb3+绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质。KCaPO4∶Tb3+材料呈多峰发射,发射峰为437、490、545、587和623nm,分别对应Tb3+的5 D3→7F4和5 D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为545nm;监测545nm发射峰,所得激发... 采用高温固相法合成了KCaPO4∶Tb3+绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质。KCaPO4∶Tb3+材料呈多峰发射,发射峰为437、490、545、587和623nm,分别对应Tb3+的5 D3→7F4和5 D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为545nm;监测545nm发射峰,所得激发光谱由4f75d1宽带吸收(200~330nm)和4f-4f电子吸收(330~400nm)组成,主峰为380nm。研究了Tb3+掺杂浓度,电荷补偿剂Li+、Na+、K+和Cl-,及敏化剂Ce3+对KCaPO4∶Tb3+材料发光强度的影响,结果显示,调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂或敏化剂均能较大程度地提高材料的发光强度。 展开更多
关键词 白光LED KCaPO4∶Tb3+ 发光特性
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ZrO2:Tb^3+纳米晶的离子交换法制备及其发光特性 被引量:5
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作者 莎仁 李霞 王喜贵 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第5期844-848,共5页
以强碱性阴离子交换树脂为交换介质,采用离子交换法制备了稀土Tb3+离子掺杂的ZrO2∶Tb3+纳米晶。通过XRD,TG-DSC,TEM,HRTEM等手段分析了样品制备过程的物相变化及晶粒形貌,用荧光光度计研究了样品的三维荧光光谱、激发光谱和发射光谱。... 以强碱性阴离子交换树脂为交换介质,采用离子交换法制备了稀土Tb3+离子掺杂的ZrO2∶Tb3+纳米晶。通过XRD,TG-DSC,TEM,HRTEM等手段分析了样品制备过程的物相变化及晶粒形貌,用荧光光度计研究了样品的三维荧光光谱、激发光谱和发射光谱。结果表明:前驱沉淀物经800℃焙烧处理2 h,制备出近方型形貌,颗粒分散性好、尺寸约为40 nm的四方相ZrO2∶Tb3+纳米晶,当焙烧温度升高到900℃以上时样品出现了少量单斜晶相,而经800℃焙烧处理的纯ZrO2是以四方相和单斜相同时存在,说明稀土Tb3+离子的掺杂对ZrO2基质的四方晶相起到稳定作用。由ZrO2∶Tb3+的等角三维荧光光谱图显示Tb3+在ZrO2基质中的最佳激发波长为290 nm;在290 nm波长光的激发下观察到纳米ZrO2中Tb3+的发射峰位于491,545,582 nm分别对应于Tb3+的5D4→7F6、5D4→7F5、5D4→7F4能级跃迁,以491,545 nm的发射峰最强,其中经800℃焙烧处理的样品其5D4→7F6跃迁发射与5D4→7F5跃迁发射强度几乎相同,说明该法制备的纳米ZrO2∶Tb3+中5D4→7F6跃迁发射增强,使Tb3+发光的蓝色成分增加了。 展开更多
关键词 ZrO2∶Tb3+纳米晶 离子交换法 发光特性
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LiCaPO_4∶Tb^(3+)材料的制备及其发光特性 被引量:2
9
作者 李盼来 郭树青 +2 位作者 王志军 杨志平 郭庆林 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期1576-1580,共5页
采用高温固相法合成了LiCaPO4∶Tb3+绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质。LiCaPO4∶Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于437 nm、491 nm、545 nm、587 nm和625 nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为545 nm;监测545 n... 采用高温固相法合成了LiCaPO4∶Tb3+绿色荧光粉,并研究了材料的发光性质。LiCaPO4∶Tb3+材料呈多峰发射,发射峰位于437 nm、491 nm、545 nm、587 nm和625 nm,分别对应Tb3+的5D3→7F4和5D4→7FJ=6,5,4,3跃迁发射,主峰为545 nm;监测545 nm发射峰,所得激发光谱由4f75d1宽带吸收(200~330 nm)和4f-4f电子吸收(330~400nm)组成,主峰为380 nm。研究了Tb3+掺杂浓度,电荷补偿剂Li+、Na+、K+和Cl-及敏化剂Ce3+对LiCaPO4∶Tb3+材料发射强度的影响,发现调节激活剂浓度、添加电荷补偿剂或敏化剂均可提高材料的发射强度。 展开更多
关键词 白光LED LiCaPO4∶Tb3+ 发光特性
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Dy^(3+)掺杂SrAl_(2)O_(4)∶Tb 3+余辉发光荧光粉余辉性能优化
10
作者 舒建 李胜男 +1 位作者 姜义 贾振国 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第4期652-662,共11页
通过高温固相法在空气气氛下合成了SrAl_(2)O_(4)∶x%Tb^(3+)(SAO∶Tb,x=0.3,0.5,1.0,2.0,3.0)、SrAl_(2)O_(4)∶1.0%Tb^(3+),y%Dy^(3+)(SAO∶Tb/Dy,y=0,0.5,1.0,3.0,5.0)系列余辉发光材料。XRD图谱和SEM照片显示已经获得纯相系列样品。... 通过高温固相法在空气气氛下合成了SrAl_(2)O_(4)∶x%Tb^(3+)(SAO∶Tb,x=0.3,0.5,1.0,2.0,3.0)、SrAl_(2)O_(4)∶1.0%Tb^(3+),y%Dy^(3+)(SAO∶Tb/Dy,y=0,0.5,1.0,3.0,5.0)系列余辉发光材料。XRD图谱和SEM照片显示已经获得纯相系列样品。SAO∶Tb的激发光谱、发射光谱及余辉衰减曲线证明当Tb^(3+)掺杂浓度为x=1.0时余辉性能最佳。在SrAl_(2)O_(4)∶1.0%Tb^(3+)基础上进行了Dy^(3+)共掺杂实验,样品具有更好的余辉性能。SAO∶Tb/Dy系列样品的激发和发射光谱强度变化说明在此材料中可能存在能量传递(ET)过程。余辉衰减曲线进一步验证了Dy^(3+)共掺杂后,材料的陷阱数目增多。对比共掺杂Dy^(3+)的热释发光曲线强度进一步说明了材料中陷阱数目由于Dy^(3+)的掺入而增加,同时,共掺Dy^(3+)后,陷阱1和陷阱2的能级差缩小,从而更易释放更多电子。通过对灯具表面温度分析,结合热释发光曲线,Dy^(3+)掺入后,SAO∶Tb荧光粉陷阱2的电子释放温度由117℃减小到97℃,使其所有被俘获的电子均能依靠吸收灯具热量释放,从而将部分热辐射转换为可见光,因此,SAO∶Tb/Dy荧光粉不仅在制备方面可脱离还原气氛,在降低照明能耗、减小灯源热辐射方面也有潜在应用价值。 展开更多
关键词 荧光粉 光致发光 Tb^(3+)掺杂 Dy^(3+)掺杂 长余辉 余辉机理模型
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原子层沉积Al_(2)O_(3)钝化对InAs/InGaAsSbⅡ类超晶格发光特性的影响 被引量:1
11
作者 项超 王登魁 +5 位作者 方铉 房丹 闫昊 李金华 王晓华 杜鹏 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期85-93,共9页
提出一种基于干法刻蚀与原子层沉积相结合的钝化方法,采用干法刻蚀去除InAs/InGaAsSb超晶格表面及端面固有的氧化层,利用原子层沉积Al_(2)O_(3)薄膜钝化刻蚀表面,对钝化前后光致发光光谱的表征研究其发光性能与长期稳定性。处理后超晶格... 提出一种基于干法刻蚀与原子层沉积相结合的钝化方法,采用干法刻蚀去除InAs/InGaAsSb超晶格表面及端面固有的氧化层,利用原子层沉积Al_(2)O_(3)薄膜钝化刻蚀表面,对钝化前后光致发光光谱的表征研究其发光性能与长期稳定性。处理后超晶格的As 3d谱中As-O键相关的峰消失表明其表面的氧化物被有效去除。样品的发光强度与激发光功率之间的拟合系数α从1.17减小为1.02,表明激子主导的发光占比增加。连续五天的红外光谱测试发现,处理后样品发光强度降低为原来的89%,而未处理样品的发光强度降低为原来的76%,表明处理后超晶格表现出更好发光稳定性。本研究为提升InAs/InGaAsSb超晶格性能、促进其光电探测领域的应用提供参考。 展开更多
关键词 InAs/InGaAsSb超晶格 钝化 Al_(2)O_(3) 原子层沉积 发光特性
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Gd^(3+)/Ce^(3+)对Tb^(3+)掺杂氟氧化物玻璃发光敏化作用的影响
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作者 刘瑞旺 王宏杰 +3 位作者 符博 贾亚男 周建欣 魏晋 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第4期1335-1340,共6页
本文采用高温熔融法制备了Gd/Tb、Gd/Ce、Gd/Ce/Tb掺杂的SiO_(2)-B_(2)O_(3)-BaF_(2)组分氟氧化物玻璃,通过测试X射线衍射光谱确定了其物相,通过测试其不同波段激发下的荧光光谱研究了不同Gd_(2)O_(3)掺量下Tb^(3+)的发光性能,并确定了G... 本文采用高温熔融法制备了Gd/Tb、Gd/Ce、Gd/Ce/Tb掺杂的SiO_(2)-B_(2)O_(3)-BaF_(2)组分氟氧化物玻璃,通过测试X射线衍射光谱确定了其物相,通过测试其不同波段激发下的荧光光谱研究了不同Gd_(2)O_(3)掺量下Tb^(3+)的发光性能,并确定了Gd_(2)O_(3)更精确的最佳掺量范围。此外,文中通过改变气氛制备了Gd/Ce/Tb共掺杂氟氧化物玻璃,对比研究了Gd^(3+)和Ce^(3+)对Tb^(3+)的敏化作用。结果表明,本文所制备的氟氧化物玻璃都呈稳定的玻璃态;Gd^(3+)和Ce^(3+)对Tb^(3+)的发光都具有敏化作用,且Gd_(2)O_(3)掺量为7%(摩尔分数,下同)时敏化效果相较于其他掺量最为显著,超出7%则造成猝灭;Ce_(2)O_(3)掺入玻璃后以Ce^(3+)和Ce^(4+)两种价态共存,在还原气氛下掺入相较于空气气氛下掺入更容易保持Ce^(3+)状态,而且Ce^(3+)对Tb^(3+)的发光具有敏化作用,Ce^(4+)会抑制Tb^(3+)的发光。 展开更多
关键词 Tb^(3+)发光特性 Gd/Ce/Tb共掺 Ce^(3+)/Ce^(4+)价态 氟氧化物玻璃 能量传递
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Sr_(6)Lu_(2)Al_(4)O_(15):Tb^(3+)荧光粉的发光特性 被引量:3
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作者 李敏 孙晓园 +5 位作者 范小暄 刘椿淼 娄文静 田宛鹭 李昊翔 骆永石 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期1940-1949,共10页
采用高温固相法制备了颜色可调的Sr_(6)Lu_(2-2x)Al_(4)O_(15)∶xTb^(3+)荧光粉,并研究了其晶体结构、发光特性和浓度猝灭机理。研究了Tb^(3+)浓度对样品发光性质的影响。在紫外光激发下,当x=0.01时,Tb^(3+)的5D3-7F6跃迁强度最强,峰值... 采用高温固相法制备了颜色可调的Sr_(6)Lu_(2-2x)Al_(4)O_(15)∶xTb^(3+)荧光粉,并研究了其晶体结构、发光特性和浓度猝灭机理。研究了Tb^(3+)浓度对样品发光性质的影响。在紫外光激发下,当x=0.01时,Tb^(3+)的5D3-7F6跃迁强度最强,峰值位于381nm;当x=0.15时,Tb^(3+)的5D4-7F5跃迁强度最强,峰值位于545nm。随着Tb^(3+)掺杂浓度的升高,样品的发光颜色从蓝光变为黄绿光。分析了Sr_(6)Lu_(2-2x)Al_(4)O_(15)∶xTb^(3+)荧光粉的浓度猝灭机理。测量了荧光粉的荧光寿命、热稳定性、量子效率。结果表明,Sr_(6)Lu_(2-2x)Al_(4)O_(15)∶xTb^(3+)是一种新型的发光颜色可调的荧光粉。 展开更多
关键词 荧光粉 光致发光 颜色可调 Tb^(3+)掺杂
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Y_2O_2S纳米晶中Tb^(3+)发光的浓度猝灭 被引量:12
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作者 李丹 吕少哲 +4 位作者 王海宇 陈宝玖 鄂书林 张家骅 黄世华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期227-231,共5页
制备了Tb^(3+ )浓度不同而粒径相同的一系列纳米晶Y2 O2 S。由于表面态对发光的猝灭作用 ,Tb3 + 离子5D3发光的寿命与体材料比较明显缩短。研究了5D3和5D4 能级发光的浓度猝灭 ,发光强度与浓度的关系以及发光的衰减曲线都表明 :5D3的浓... 制备了Tb^(3+ )浓度不同而粒径相同的一系列纳米晶Y2 O2 S。由于表面态对发光的猝灭作用 ,Tb3 + 离子5D3发光的寿命与体材料比较明显缩短。研究了5D3和5D4 能级发光的浓度猝灭 ,发光强度与浓度的关系以及发光的衰减曲线都表明 :5D3的浓度猝灭是电偶极 电偶极相互作用引起的 ,而5D4 的浓度猝灭是交换相互作用引起的。 展开更多
关键词 能量传递 Y2O2S:Tb^3+ 纳米晶 浓度猝灭 TB^3+ 发光
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CaMoO4∶Tb^3+发光材料的制备和发光性质的研究 被引量:9
15
作者 王喜贵 薄素玲 +1 位作者 娜米拉 齐霞 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期22-25,共4页
用共沉淀法制备了样品CaMoO_4:Tb^(3+)的前驱物,经TG-DTA测试表明:样品在850℃时有能量吸收峰,即达到样品反应的活化点。XRD谱图分析显示,焙烧后样品CaMoO_4:Tb^(3+)为CaMoO_4的白钨矿结构,但峰位发生了右移,说明晶体内部产生了微小的... 用共沉淀法制备了样品CaMoO_4:Tb^(3+)的前驱物,经TG-DTA测试表明:样品在850℃时有能量吸收峰,即达到样品反应的活化点。XRD谱图分析显示,焙烧后样品CaMoO_4:Tb^(3+)为CaMoO_4的白钨矿结构,但峰位发生了右移,说明晶体内部产生了微小的晶体缺陷,推测该缺陷可能是由晶胞内2个Tb^(3+)取代了3个Ca^(2+)形成空穴而引发的。通过对激发谱图的测试发现,此种缺陷结构有利于使MoO_4^(2-)发射特征峰(488 nm)的能量有效地传递给Tb^(3+),使Tb^(3+)的4f电子发生跃迁,特别使Tb^(3+)的~7F_6→~5D_4(488 nm)电子跃迁大大加强,因而在样品CaMoO_4:Tb^(3+)的发射谱图(λ_(ex)=488 nm)中,自激活荧光体MoO_4^(2-)的发射强度被大大减弱,而Tb^(3+)的~5D_4→~7F_5(544 nm)跃迁的绿光发光强度被大大增强,使该材料成为有潜在应用价值的发光材料。 展开更多
关键词 CaMoO_4 TB^3+ 发光性质
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Gd_2O_3:Eu^(3+)溶胶-凝胶薄膜发光特性研究 被引量:12
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作者 顾牡 邱隆清 +2 位作者 刘小林 张睿 徐昕 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1190-1194,共5页
以无机稀土氧化物为原料制备了Gd2O3:Eu3+溶胶-凝胶薄膜,通过对不同Eu3+离子掺杂浓度、不同烧结温度薄膜发光强度的研究,得出Gd2O3薄膜中Eu3+离子的最佳掺杂浓度为10%、最佳热处理工艺为800℃下烧结2h;由薄膜和粉末激发谱的比较发现:薄... 以无机稀土氧化物为原料制备了Gd2O3:Eu3+溶胶-凝胶薄膜,通过对不同Eu3+离子掺杂浓度、不同烧结温度薄膜发光强度的研究,得出Gd2O3薄膜中Eu3+离子的最佳掺杂浓度为10%、最佳热处理工艺为800℃下烧结2h;由薄膜和粉末激发谱的比较发现:薄膜中存在着比粉末更有效的能量传递,从而更有利于高能射线激发发光;首次观察到薄膜经过1000℃烧结2h后发光消失,并通过SEM和XRD的实验分析对这一现象进行了解释。 展开更多
关键词 Gd2O3:Eu^3+薄膜 溶胶-凝胶法 发光特性 X射线成像 溶胶-凝胶薄膜 EU^3+离子 GD2O3 发光强度 特性研究 最佳掺杂浓度
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Ca_3La(BO_3)_3∶Tb^(3+)的合成与发光性质 被引量:5
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作者 李其华 刘利民 +4 位作者 曾立华 雷春华 曹小妹 彭夷安 廉世勋 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期183-186,共4页
高温固相反应法合成了Ca3La(BO3)3∶Tb3+光致发光材料。利用扫描电镜和激光衍射分析仪测定了样品的晶粒形貌及粒径大小分布,利用荧光分光光度计研究了Ca3La(BO3)3∶Tb3+的光致发光特性。确定了在Ca3La(BO3)3基质中Tb3+离子浓度对其发光... 高温固相反应法合成了Ca3La(BO3)3∶Tb3+光致发光材料。利用扫描电镜和激光衍射分析仪测定了样品的晶粒形貌及粒径大小分布,利用荧光分光光度计研究了Ca3La(BO3)3∶Tb3+的光致发光特性。确定了在Ca3La(BO3)3基质中Tb3+离子浓度对其发光强度的影响及其自身浓度猝灭机理;探讨了助熔剂L i2CO3、敏化剂Ce3+离子的加入对荧光粉发光强度的影响。 展开更多
关键词 Ca3La(BO3)3:Tb^3+ 发光 浓度猝灭 稀土
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稀土配合物Eu(asprin)_3phen发光特性的研究 被引量:10
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作者 沈鸿 徐征 +5 位作者 陶栋梁 杨军 陈晓红 章婷 徐怡庄 吴谨光 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期226-228,共3页
将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu^(3+)的位于594nm(~5D_... 将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu^(3+)的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu^(3+)位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。 展开更多
关键词 稀土配合物 Eu〔asprin)3phen 发光特性 电致发光
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ZrO_2中Eu^(3+)的发光特性 被引量:12
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作者 刘晃清 秦伟平 张继森 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期19-22,共4页
研究了掺1mol%Eu3+的ZrO2纳米材料随退火温度变化的发光性质,得到退火温度为600和800℃的样品中Eu3+的5D0→7F2发射在604nm处,我们认为7F2能级受到较强的晶场影响而发生能级劈裂,劈裂成4个子能级,出现两种发射,在文章中为604和612nm的... 研究了掺1mol%Eu3+的ZrO2纳米材料随退火温度变化的发光性质,得到退火温度为600和800℃的样品中Eu3+的5D0→7F2发射在604nm处,我们认为7F2能级受到较强的晶场影响而发生能级劈裂,劈裂成4个子能级,出现两种发射,在文章中为604和612nm的两种发射,这两种发射所占的分支比不同,前一种发射所占的分支比较大,而后一种发射所占的分支比较小,因而,604nm的发射占优势。研究了ZrO2纳米材料中掺杂浓度变化时Eu3+的发光性质,得到掺杂浓度为3mol%的样品的发射与众不同,它只有597nm处的1个宽带发射。 展开更多
关键词 EU^3+ 分支比 能级 晶场 发光性质 发射 ZRO2 掺杂浓度 发光特性 宽带
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Ce^(3+)激活的LiSrBO_3材料发光特性及晶体学格位研究 被引量:7
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作者 李盼来 王志军 +2 位作者 王颖 杨志平 郭庆林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第8期1487-1491,共5页
采用固相法制备了蓝白色LiSrBO3∶Ce3+材料.测得LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱为一个主峰位于436 nm的非对称单峰宽谱;监测436 nm发射峰时所得材料的激发光谱为一个主峰位于369 nm的宽谱.利用Van Uitert公式计算了Ce3+取代LiSrBO3中Sr时... 采用固相法制备了蓝白色LiSrBO3∶Ce3+材料.测得LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱为一个主峰位于436 nm的非对称单峰宽谱;监测436 nm发射峰时所得材料的激发光谱为一个主峰位于369 nm的宽谱.利用Van Uitert公式计算了Ce3+取代LiSrBO3中Sr时所占晶体学格位,得出433 nm发射带归属于九配位的Ce3+发射,469 nm发射带起源于八配位的Ce3+发射.研究了Ce3+浓度对LiSrBO3∶Ce3+材料发光强度的影响,研究结果显示,随着Ce3+浓度的增大,发光强度呈现先增大后减小的趋势,在Ce3+摩尔分数为3%时到达峰值,根据Dexter理论,其浓度猝灭机理为电偶极-偶极相互作用.引入Li+,Na+和K+作为电荷补偿剂时发现,LiSrBO3∶Ce3+材料的发射光谱强度均得到了明显的增强.利用InGaN管芯(370 nm)激发LiSrBO3∶Ce3+材料时,获得了很好的蓝白光发射,色坐标为(x=0.289,y=0.293). 展开更多
关键词 白光LED LiSrBO3∶Ce3+ 晶体学格位 发光特性
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