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题名一种无回跳特性TVS的快速建模方法及验证
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作者
韩昌霖
吴建飞
郑亦菲
陈乐东
丁浩
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机构
国防科技大学电子科学学院
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出处
《现代电子技术》
北大核心
2024年第3期130-136,共7页
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基金
上海航天科技创新基金:中国航天科技集团有限公司第八研究院产学研合作基金(SAST2021-069)。
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文摘
瞬态抑制二极管是一种常见的电磁防护器件,在静电防护、浪涌防护、强电磁脉冲防护中有着广泛应用,其瞬态行为对于指导电磁防护设计具有重要意义,但市面上一般没有现成可用的模型。文中基于ADS软件建立一种无回跳特性TVS的仿真模型,使用复杂度较低的TVS模型框架。在建模过程中,分析了模型参数对于精度的影响,并利用S参数测试方法和TLP测试方法获取实测数据,最终构建了两款TVS的完整仿真模型。模型验证结果表明,该模型仿真与实测数据在TVS未工作、即将工作和进入工作状态时都较为一致,仿真与实测误差最大不超过10%,说明其精度足够支撑TVS瞬态仿真。所建立的模型可直接用于TVS的瞬态仿真,该方法也可用于其他无回跳特性TVS的模型构建,为电磁防护设计提供支持。
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关键词
电磁防护
无回跳特性
仿真模型
TVS
瞬态响应
tlp测试
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Keywords
electromagnetic protection
non⁃snapback characteristic
simulation model
TVS
transient response
tlp test
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分类号
TN03-34
[电子电信—物理电子学]
TM743
[电气工程—电力系统及自动化]
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题名保护环版图结构对ESD防护器件耐压能力的影响
被引量：5
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作者
刘畅
黄鲁
张峰
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机构
中国科学技术大学电子科学与技术系
中国科学院自动化研究所国家专用集成电路设计工程技术研究中心
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第3期205-209,共5页
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文摘
基于华润上华0.5μm双极-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS-SCR)结构器件,并利用传输线脉冲(TLP)测试比较静电放电(ESD)防护器件的耐压能力。以LDMOS-SCR结构为基础,按照16指、8指、4指和2指设置保护环,形成4种不同类型的版图结构。通过器件的直流仿真分析多指器件的开启情况,利用传输线脉冲测试对比不同保护环版图结构的耐压能力。仿真和测试结果表明,改进后的3类版图结构相对于普遍通用的第一类版图结构,二次击穿电流都有所提升,其中每8指设置一个保护环的版图结构二次击穿电流提升了76.36%,其单位面积的鲁棒性能也最好,为相应工艺设计最高耐压值的ESD防护器件提供了参考结构和方法。
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关键词
静电放电(ESD)
版图
保护环
多指器件非均匀开启
传输线脉冲(tlp)测试
耐压能力
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Keywords
electrostatic discharge（ESD）
layout
guard ring
non-uniform turn-on of multifinger device
transmission line pulse（tlp） testing
voltage-tolerance capacity
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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题名基于RC触发NMOS器件的ESD电路设计
被引量：4
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作者
李志国
余天宇
张颖
孙磊
潘亮
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机构
北京中电华大电子设计有限责任公司
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第8期579-583,共5页
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文摘
研究了基于电阻(R)电容(C)触发n型金属氧化物半导体(NMOS)器件的静电放电(ESD)电路参数与结构的设计,讨论了电阻电容触发结构对ESD性能的提升作用,研究了不同RC值对ESD性能的影响以及反相器结构带来的ESD性能差异,并讨论了在特定应用中沟道放电器件的优势。通过一系列ESD测试电路的测试和分析,发现电阻电容触发结构可以明显提高ESD电路的保护能力,其中RC值10 ns设计的栅耦合NMOS(GCNMOS)电路具有最高的单位面积ESD保护能力,达到0.62 mA/μm2。另外对于要求触发电压特别低的应用场合,RC值1μs设计的GCNMOS电路将是最好的选择,ESD能力可以达到0.47 mA/μm2,而触发电压只有3 V。
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关键词
互补型金属氧化物半导体(CMOS)工艺
电阻电容触发NMOS
静电放电(ESD)电路
传输线脉冲(tlp)测试
热效应
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Keywords
CMOS process
RC triggered NMOS
ESD circuit
transmission line pusle （tlp）test
thermal effect
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分类号
TN432
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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