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基于自适应局部增强的手机TFT-LCD屏Mura缺陷自动检测 被引量:11
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作者 廖苗 刘毅志 +3 位作者 欧阳军林 余建勇 肖文辉 彭理 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第6期475-482,共8页
针对手机屏幕图像整体亮度不均以及Mura缺陷对比度低等特点,提出一种基于自适应局部增强的Mura缺陷自动在线检测方法。首先对CCD相机采集的手机屏幕原始图像进行感兴趣区域提取、几何校正、滤波等预处理,获取图像中的屏幕区域,然后将屏... 针对手机屏幕图像整体亮度不均以及Mura缺陷对比度低等特点,提出一种基于自适应局部增强的Mura缺陷自动在线检测方法。首先对CCD相机采集的手机屏幕原始图像进行感兴趣区域提取、几何校正、滤波等预处理,获取图像中的屏幕区域,然后将屏幕区域划分为多个不重叠的像素块,并根据每个像素块的灰度分布特征,采用自适应局部增强算法自动识别并定位图像中的Mura区域,最后考虑到Mura缺陷大小的不确定,提出采用多层级分块的方式对屏幕区域进行检测,提高算法鲁棒性。实验结果表明,相较现有多种屏幕缺陷自动检测算法,本文方法能更准确有效地识别手机屏幕中的Mura缺陷,且覆盖率和误检率分别为91.17%和5.84%。 展开更多
关键词 tft-lcd屏 Mura 图像增强 缺陷检测
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一种基于BCD工艺的TFT-LCD行驱动电路的设计
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作者 覃正才 文博 《集成电路应用》 2017年第7期16-20,共5页
基于0.18μm BCD工艺,提出了一种新颖的电平转换电路结构,解决了BCD工艺中高压器件的栅源电压VGS的工作极限为5 V而无法承受40 V高压栅驱动信号的问题,避免高压信号导致器件栅击穿损毁。采用此电平转换电路,设计了270通道的TFT-LCD屏的... 基于0.18μm BCD工艺,提出了一种新颖的电平转换电路结构,解决了BCD工艺中高压器件的栅源电压VGS的工作极限为5 V而无法承受40 V高压栅驱动信号的问题,避免高压信号导致器件栅击穿损毁。采用此电平转换电路,设计了270通道的TFT-LCD屏的行扫描电路。在HHNEC 0.18μm BCD工艺平台上完成芯片试制,芯片功能正确,验证了提出的电平转换电路结构的可行性。 展开更多
关键词 集成电路设计 行扫描电路 tft-lcd屏 电平转换电路 BCD工艺 栅击穿
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低温多晶硅新技术
3
《液晶与显示》 CAS CSCD 2002年第6期444-444,共1页
关键词 激光退火 多晶硅迁移率 芯片 低温多晶硅 新技术 tft-lcd屏
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温度系数可调的基准电压产生电路研究与设计 被引量:3
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作者 习江艳 魏廷存 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期574-578,共5页
由于TFT~LCD显示屏的物理特性随温度而发生变化,驱动电路必须提供具有相同温度特性的驱动电压,以补偿显示屏的温度特性,进而提高显示画质。文章研究并设计了一种用于TFT—LCD彩屏手机驱动芯片的基准电压产生电路,其输出电压的绝对... 由于TFT~LCD显示屏的物理特性随温度而发生变化,驱动电路必须提供具有相同温度特性的驱动电压,以补偿显示屏的温度特性,进而提高显示画质。文章研究并设计了一种用于TFT—LCD彩屏手机驱动芯片的基准电压产生电路,其输出电压的绝对值与温度系数可编程调节,从而可实现与液晶显示屏的温度特性相匹配。介绍了该电路的各子模块电路,包括偏置电路、带隙基准电路和输出电压调节电路,详细分析了带隙基准电路所产生的基准电压的温度系数及其调节原理。用Hspice对采用0.25μmCMOS工艺设计的电路进行了仿真。仿真结果表明,基准电压的温度系数可从-1.24~1.13mV/℃变化,输出电压的绝对值可从1.8~2.1V调节,最大可提供负载电流40mA。 展开更多
关键词 tft-lcd 温度系数可调 带隙基准 电压调节
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