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题名分析TFT亮态漏电流影响因素的测试方法
被引量：1
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作者
侯清娜
张新宇
王峥
林鸿涛
冯兰
刘冬
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机构
北京京东方显示技术有限公司
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出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期628-633,共6页
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基金
京东发研发基金项目
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文摘
对于薄膜晶体管液晶显示器来说,TFT的特性对产品的品质有很大的影响,而其亮态漏电流Ioff的影响尤为重要。为改善器件性能,需要深入分析TFT亮态漏电流的影响因素。本文在实验基础上提出一种测试方法,首先使用BM PR(Black Matrix Photo Resist)对TFT沟道的不同位置进行遮挡;再对遮挡样品进行TFT特性测试。进而能模拟出实际工作中的TFT亮态漏电流,可以更加简便有效地优化TFT下方的栅极金属线宽,同时降低亮态漏电流。最后制作了54.6cm(21.5in)改善样品,通过新测试方法分析,将栅极金属线加宽约1.5μm,改善后样品的亮态漏电流从14.08pA降至约9.50pA。所以,使用新的测试方法无需将样品制作到模组后再进行品质评价,简单有效并降低了产品制造成本。
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关键词
薄膜晶体管液晶显示
tft测试方法
亮态漏电流
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Keywords
thin-film transistor liquid crystal display
test method for thin-film-transistor
photo off-leakage current
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分类号
TN141
[电子电信—物理电子学]
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