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题名小尺寸栅极HEMT器件结温测量
被引量：1
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作者
高立
廖之恒
李世伟
郭春生
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机构
中国电子技术标准化研究院
北京工业大学微电子学院
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出处
《半导体技术》
CSCD
北大核心
2017年第11期833-837,843,共6页
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基金
核心电子器件评价和检测技术资助项目(2012ZX01022002)
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文摘
用现有的红外法测量的GaN基HEMT器件结温,比实际最高温度点的温度低。而用喇曼法测量结温对设备要求高且不易于操作。针对现有技术对GaN基HEMT器件结温的测量存在一定困难的问题,设计了一款HEMT器件匹配电路。利用红外热像仪测量HEMT器件的结温升高,并结合物理数值模拟仿真,提出一种小尺寸栅极结温升高测量方法。结果表明,建立正确的仿真模型,可以得到不同栅极长度范围内的温度。通过这种方法可以测量出更接近实际的结温,为之后研究加载功率与壳温对Al GaN/GaN HEMT器件热阻的影响奠定了理论基础,并且为实际工作中热特性研究提供了参考依据。
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关键词
GaN基HEMT器件
结温
红外法
防自激电路
Sentaurus
tcad软件模拟
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Keywords
GaN-based HEMT device
junction temperature
infrared method
anti-self-excitation circuit
Sentaurus tcad software simulation
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分类号
TN386
[电子电信—物理电子学]
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