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SiGe HBT单粒子瞬态TCAD仿真研究
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作者 陈寿面 孙亚宾 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期188-194,227,共8页
借助于TACD数值仿真,对具有交叉指状结构的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)中由重离子辐射诱导的单粒子瞬态(SET)效应展开了详细的研究。首先分析了重离子辐射诱导的电势和场强的变化,阐明了SiGe HBT中单粒子瞬态机制。然后,通过... 借助于TACD数值仿真,对具有交叉指状结构的锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT)中由重离子辐射诱导的单粒子瞬态(SET)效应展开了详细的研究。首先分析了重离子辐射诱导的电势和场强的变化,阐明了SiGe HBT中单粒子瞬态机制。然后,通过对比重离子入射至器件不同位置时各电极的瞬态电流和感生电荷的收集情况,确定了集电极/衬底(CS)结及附近区域为SiGe HBT单粒子瞬态的敏感区域。结果表明相对于集电极和衬底的电荷收集,基极和发射极收集的电荷可忽略不计。此外,各电极的瞬态电流和电荷收集还具有明显的位置依赖性。上述结果可为SiGe HBT单粒子效应的抗辐射加固提供有力的指导依据。 展开更多
关键词 锗硅异质结双极型晶体管(SiGe HBT) 空间辐射 单粒子瞬态(SET) 电荷收集 tcad仿真
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基于TCAD的绝缘体上硅器件总剂量效应仿真技术研究 被引量:3
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作者 彭超 雷志锋 +3 位作者 张战刚 何玉娟 黄云 恩云飞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第8期1755-1761,共7页
绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真... 绝缘体上硅(Silicon-on-Insulator,SOI)器件的全介质隔离结构改善了其抗单粒子效应性能,但也使其对总剂量效应更加敏感.为了评估SOI器件的总剂量效应敏感性,本文提出了一种基于TCAD(Technology Computer Aided Design)的总剂量效应仿真技术.通过对SOI器件三维结构进行建模,利用TCAD内置的辐射模型开展瞬态仿真,模拟氧化层中辐射感应电荷的产生、输运和俘获过程,从而分别评估绝缘埋层(Buried Oxide,BOX)和浅沟槽隔离(Shallow Trench Isolation,STI)氧化层中辐射感应陷阱电荷对器件电学性能的影响.基于该仿真技术,本文分别研究了不同偏置、沟道长度、体区掺杂浓度以及STI形貌对SOI MOSFET器件总剂量辐射效应的影响.仿真结果表明高浓度的体区掺杂、较小的STI凹槽深度和更陡峭的STI侧壁将有助于改善SOI器件的抗总剂量效应性能. 展开更多
关键词 绝缘体上硅 总剂量效应 浅沟槽隔离 tcad仿真
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含有超晶格电子势垒的In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器暗电流仿真和验证(英文) 被引量:1
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作者 李庆法 李雪 +4 位作者 唐恒敬 邓双燕 曹高奇 邵秀梅 龚海梅 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期662-666,共5页
为了获得In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SR... 为了获得In_(0.83)Ga_(0.17)As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不含有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SRH复合,从而降低器件的暗电流,仿真结果与实验结果吻合.在此基础上,分析了势垒位置和周期变化对暗电流的影响,提出了进一步降低器件暗电流的超晶格电子势垒优化结构. 展开更多
关键词 In0.83Ga0.17As探测器 超晶格电子势垒 暗电流 tcad仿真
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SiC MOSFET器件单粒子烧毁仿真分析 被引量:1
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作者 李林欢 曹荣幸 +7 位作者 黄鑫 孟洋 刘洋 韩丹 李红霞 郑澍 曾祥华 薛玉雄 《航天器环境工程》 北大核心 2022年第4期361-367,共7页
应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁(SEB)风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施,文章利用半导体工艺器件仿真(TCAD)对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析,发现粒子入射最敏感位置时器件发生... 应用于航天器的宽禁带半导体功率器件会受到空间带电粒子的影响而存在单粒子烧毁(SEB)风险。为研究单粒子烧毁的机理及防护措施,文章利用半导体工艺器件仿真(TCAD)对SiC MOSFET器件进行了SEB仿真分析,发现粒子入射最敏感位置时器件发生SEB的阈值电压在500 V。同时,通过仿真获得器件微观电参数分布特性,分析认为器件发生SEB的机理是寄生晶体管的正反馈作用导致缓冲层和基区的电场强度(5.4 MV/cm和4.2 MV/cm)超过SiC材料击穿场强(3 MV/cm)。此外,针对仿真揭示的器件SEB薄弱区域,提出将P+源区的深度向下延伸至Pbase基区底部的工艺加固思路,并通过仿真验证表明该措施使器件发生SEB的阈值电压提高到近550 V。以上模拟结果可为该类器件的抗SEB设计提供技术支持。 展开更多
关键词 SiC金属氧化物半导体场效应晶体管 单粒子烧毁 器件模型 tcad仿真
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基于微纳科研平台工艺验证的微米级标准CMOS关键工艺仿真
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作者 王峥杰 徐丽萍 +4 位作者 凌天宇 瞿敏妮 权雪玲 乌李瑛 程秀兰 《电子与封装》 2023年第7期64-70,共7页
基于微纳科研平台工艺验证的微米级CMOS标准工艺,采用TCAD仿真了场注入、沟道调节注入、衬底偏置电压以及接触金属类型对MOSFET器件性能的影响,进而对CMOS工艺中的器件关键工艺进行优化设计,为科研平台微纳工艺流片提供指导。仿真结果表... 基于微纳科研平台工艺验证的微米级CMOS标准工艺,采用TCAD仿真了场注入、沟道调节注入、衬底偏置电压以及接触金属类型对MOSFET器件性能的影响,进而对CMOS工艺中的器件关键工艺进行优化设计,为科研平台微纳工艺流片提供指导。仿真结果表明,N+场注入能量大于60 keV时对PMOS的阈值电压影响显著,P+场注入能量在30~50 keV时对NMOS阈值电压影响显著;PMOS沟道调节的剂量影响器件的电流开关比和亚阈值摆幅,其剂量不应超过2.1×10^(12)cm^(-2);场注入剂量在1013cm^(-2)时,硅局部氧化(LOCOS)隔离特性达到最优,此时LOCOS的击穿电压为32.5 V;当钛夹层的厚度为120 nm时,可将铝与衬底接触电阻的数量级从10^(2)降低至10^(1)。 展开更多
关键词 CMOS工艺 半导体器件 tcad仿真
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铁电场效应晶体管及其反相器的TCAD模拟研究
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作者 王冬 毛燕湖 +2 位作者 燕少安 肖永光 唐明华 《湘潭大学学报(自然科学版)》 CAS 2019年第4期66-75,共10页
以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor,FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射和非挥发性等优点,在航空航天以及民用消费电子中都有广阔的应用前景.但是,对于由FeFET构成的同时具有逻... 以铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor,FeFET)为存储单元的铁电存储器具有低功耗、高密度、高速度、抗辐射和非挥发性等优点,在航空航天以及民用消费电子中都有广阔的应用前景.但是,对于由FeFET构成的同时具有逻辑功能与存储功能的门电路(Ferroelectric Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,FeCMOS),目前的研究工作还相对较少.用FeCMOS作为铁电存储器的外围读写电路,理论上可以大大增强其抗辐射能力.因此,该文以金属-铁电层-绝缘层-半导体(Metal gate-Ferroelectric layer-Insulation layer-Semiconductor,MFIS)结构的FeFET为研究对象,利用TCAD(Technology Computer Aided Design)软件中的器件电学性能仿真模块,在不同器件参数下对FeFET及其构成的FeCMOS反相器进行了细致的电学性能模拟仿真. 展开更多
关键词 FEFET FeCMOS 反相器 电学性能 tcad仿真
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下一代CMOS纳米线:从原子级到电路级仿真
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作者 Udita Kapoor Sean CKelly +9 位作者 Mark Townsend Derek Kimpton Eric Guichard 欧阳文捷 Sebastien Martini Thierry Poiroux Oliver Rozeau James Charles Daniel Lemus Tillmann Kubis 《中国集成电路》 2021年第9期37-41,共5页
本文介绍了一个基于纳米线的环形振荡器电路的完整仿真流程,其中的有源器件运用了原子级器件模拟器对其进行了仿真。该仿真的结果已被证明适合于专门为纳米线/GAA环栅场效应晶体管(FET)制定的有源器件SPICE紧凑模型。最后,本文中把有源... 本文介绍了一个基于纳米线的环形振荡器电路的完整仿真流程,其中的有源器件运用了原子级器件模拟器对其进行了仿真。该仿真的结果已被证明适合于专门为纳米线/GAA环栅场效应晶体管(FET)制定的有源器件SPICE紧凑模型。最后,本文中把有源器件纳入SPICE网表,其中包括了后端电阻和电容寄生电阻。 展开更多
关键词 tcad仿真 原子器件仿真 SPICE仿真 硅纳米线FET
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AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测
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作者 叶宇帆 张贺秋 +4 位作者 夏晓川 郭文平 黄慧诗 梁晓华 梁红伟 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期412-417,共6页
采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaN HEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基MOSFET.T... 采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaN HEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基MOSFET.TCAD的仿真结果通过与测试结果的比较进行了修正.通过Multisim仿真结果与搭建的AlGaN/GaN HEMT共源共栅放大电路的测试结果对放大电路的放大特性进行了验证.以此为基础,利用TCAD模拟改变了结构参数的器件特性并采用改进了结构参数的AlGaN/GaN HEMT设计共源共栅放大电路.仿真结果表明,该放大电路在低频和室温下的电压放大能力可达6 200倍. 展开更多
关键词 AlGaN/GaN HEMT tcad仿真 放大增益 小信号模型
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高k栅介质增强型β-Ga_(2)O_(3) VDMOS器件的单粒子栅穿效应研究 被引量:1
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作者 王韬 张黎莉 +2 位作者 段鑫沛 殷亚楠 周昕杰 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期6-12,共7页
以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线... 以增强型β-Ga_(2)O_(3)VDMOS器件作为研究对象,利用TCAD选择不同的栅介质材料作为研究变量,观察不同器件的单粒子栅穿效应敏感性。高k介质材料Al_(2)O_(3)和HfO_(2)栅介质器件在源漏电压200 V、栅源电压-10 V的偏置条件下能有效抵御线性能量转移为98 MeV·cm^(2)/mg的重离子攻击,SiO_(2)栅介质器件则发生了单粒子栅穿效应(Single event gate rupture,SEGR)。采用HfO_(2)作为栅介质时源漏电流和栅源电流分别下降92%和94%,峰值电场从1.5×10^(7)V/cm下降至2×10^(5)V/cm,避免了SEGR的发生。SEGR发生的原因是沟道处累积了大量的空穴,栅介质中的临界电场超过临界值导致了击穿,而高k栅介质可以有效降低器件敏感区域的碰撞发生率,抑制器件内电子空穴对的进一步生成,降低空穴累积的概率。 展开更多
关键词 氧化镓 单粒子栅穿 tcad仿真 VDMOS器件
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增强型Cascode结构GaN HEMT器件中子辐照效应研究
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作者 周炜翔 曹荣幸 +6 位作者 胡迪科 王义元 许灏炀 杨学林 陆雨鑫 王玉才 薛玉雄 《航天器环境工程》 CSCD 2024年第5期617-624,共8页
为探究增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件的中子辐照效应及机理,首先利用归一化能量为1 MeV、注量为1×10^(14) n/cm^(2)的中子源开展辐照效应试验,并对辐照前/后器件的电学特性进行测试,结果表明,经过中子辐照后,器件的阈... 为探究增强型共源共栅(Cascode)结构GaN HEMT器件的中子辐照效应及机理,首先利用归一化能量为1 MeV、注量为1×10^(14) n/cm^(2)的中子源开展辐照效应试验,并对辐照前/后器件的电学特性进行测试,结果表明,经过中子辐照后,器件的阈值电压发生明显的负向漂移,且跨导峰值减小。后续又分别对器件中级联的增强型Si MOSFET和耗尽型GaN HEMT开展Geant4能量沉积仿真和TCAD辐照损伤仿真,结果表明,增强型Si MOSFET的能损和电学性能退化较为严重。其原因是:中子辐照对器件造成位移损伤,且产生的次级重核对器件造成电离损伤,引起Si/SiO_(2)交界处电场强度上升及内部载流子浓度降低,从而导致阈值电压负漂及饱和漏极电流下降。研究结果可为增强型Cascode结构GaN HEMT器件在辐射环境下的应用提供理论参考。 展开更多
关键词 中子辐照 共源共栅结构 GaN HEMT器件 电学性能 Geant4仿真 tcad仿真
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1700 V精细沟槽栅IGBT器件设计
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作者 郑婷婷 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第4期310-315,329,共7页
为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、... 为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、载流子存储层注入剂量、沟槽栅元胞结构等因素对精细沟槽栅IGBT器件性能参数的影响,确定了最优工艺参数,并对1 700 V精细沟槽栅IGBT芯片进行流片和封装。测试结果显示,相比普通沟槽栅IGBT模块,1 700 V精细沟槽栅IGBT模块在芯片面积减小34.2%的情况下,关断损耗降低了8.6%,导通压降仅升高5.5%,器件性价比得到了优化。 展开更多
关键词 精细沟槽栅结构 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) tcad仿真 元胞结构 器件性价比
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Extracting the effective mass of fewer layers 2D h-BN nanosheets using the Fowler-Nordheim tunneling model
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作者 QIN Jia-Yi LUO Man +4 位作者 CHENG Tian-Tian MENG Yu-Xin ZU Yuan-Ze WANG Xin YU Chen-Hui 《红外与毫米波学报》 CSCD 北大核心 2024年第6期744-748,共5页
Hexagonal boron nitride(h-BN)is found to have widespread application,owing to its outstanding properties,including gate dielectrics,passivation layers,and tunneling layers.The current studies on the funda⁃mental physi... Hexagonal boron nitride(h-BN)is found to have widespread application,owing to its outstanding properties,including gate dielectrics,passivation layers,and tunneling layers.The current studies on the funda⁃mental physical properties of these ultrathin h-BN films and the electron tunneling effect among them are inade⁃quate.In this work,the effective mass in h-BN was successfully determined through a combined approach of ex⁃perimental and theoretical research methods by fitting the current-voltage curves of metal/insulator/metal struc⁃tures.It was observed that within a range of 4-22 layers,the effective mass of h-BN exhibits a monotonic de⁃crease with an increase in the number of layers.The physical parameters of the Fowler-Nordheim tunneling model in the context of electron tunneling in h-BN are precisely ascertained by utilizing the extracted effective mass.Ad⁃ditionally,the impact of fixed charges at the metal/h-BN interface and various metal electrode types on FowlerNordheim tunneling within this structure is investigated utilizing this physical parameter in Sentaurus TCAD soft⁃ware.This work is informative and instructive in promoting applications in the fields of h-BN related infrared physics and technology. 展开更多
关键词 H-BN 2D layered material Fowler-Nordheim tunneling gate dielectrics tcad simulation
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基于双向可控硅的强鲁棒性静电防护器件 被引量:3
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作者 张峰 刘畅 +1 位作者 黄鲁 吴宗国 《浙江大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期1676-1680,共5页
针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结... 针对双向可控硅(DDSCR)器件的静电放电(ESD)鲁棒性,提出在N阱中加入N+注入区(DDSCR_N+)和在N阱中加入P+注入区(DDSCR_P+)2种改进型DDSCR结构,采用华润上华0.5μm Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)工艺,分别制备传统DDSCR结构以及2种改进型DDSCR结构,通过半导体工艺及器件模拟工具(TCAD)进行仿真,分析不同结构的电流密度和ESD鲁棒性差异;流片后通过传输线脉冲测试(TLP)方法测试不同结构ESD防护器件特性.仿真和测试结果表明,改进型DDSCR_N+结构在具有和传统DDSCR器件的相同的触发和维持电压前提下,二次击穿电流比传统的DDSCR结构提高了160%,ESD鲁棒性更强,适用范围更广. 展开更多
关键词 静电放电(ESD) 双向可控硅(DDSCR) tcad仿真 传输线脉冲测试 二次击穿电流
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14 nm工艺3D FinFET器件源漏寄生电阻提取与建模
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作者 陈寿面 石艳玲 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第2期120-124,153,共6页
随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管(FinFET)源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分:由凸起源漏与接触... 随着CMOS技术进入14 nm技术结点,三维鳍型场效应晶体管(FinFET)源漏寄生电阻的提取随结构的改变而变得更为复杂,高精度寄生电阻的提取对器件建模及电路性能至关重要。根据FinFET器件结构将源漏寄生电阻分割为3部分:由凸起源漏与接触孔所引入的寄生电阻(R_(con))、狭窄鳍到宽源漏区的过渡区寄生电阻(R_(sp))以及源漏与沟道之间的寄生电阻(R_(ext))。考虑电流拥挤效应、电流展宽和栅压控制效应,分别采用平均电流长度法和微元积分法等对R_(con),R_(sp)和R_(ext)进行建模。最后,将所建模型与TCAD仿真进行对比验证,结果表明所建模型可准确反映源漏寄生电阻的变化,其中过渡区寄生电阻的相对误差小于1%。 展开更多
关键词 鳍型场效应晶体管(FinFET) 非本征寄生 源漏寄生电阻 建模 tcad仿真
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基于PDSOI单粒子翻转物理机制的SPICE模型研究 被引量:2
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作者 范紫菡 毕津顺 罗家俊 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2011年第12期40-45,共6页
通过研究半导体器件单粒子翻转的物理机制,利用Synopsys TCAD工具对基于中国科学院微电子所开发的0.35μm部分耗尽SOI器件进行单粒子翻转的模拟,讨论了器件模拟物理模型的选择,验证了理论分析的正确性,并对重离子撞击引起的瞬态电流过... 通过研究半导体器件单粒子翻转的物理机制,利用Synopsys TCAD工具对基于中国科学院微电子所开发的0.35μm部分耗尽SOI器件进行单粒子翻转的模拟,讨论了器件模拟物理模型的选择,验证了理论分析的正确性,并对重离子撞击引起的瞬态电流过程进行分析.分析表明单粒子翻转存在两个放电阶段,第一阶段过量电子漂移扩散电流组成激增电流部分;第二阶段部分耗尽SOI器件寄生三极管放电机制以及过量空穴放电机制引起的缓慢电流放电"尾部".结合激增电流的物理意义,提出合理的数学模型,推导出描述此电流的一维解析解;对于缓慢衰减的"尾部"电流,提出子电路模型,并基于SPICE三极管模型进行参数提取,着重讨论了单粒子翻转的敏感参数.最后给出了以反相器为例的SPICE模拟与TCAD模拟在瞬态电流,输出节点电荷收集,LET阈值的对比结果,验证了SPICE模型的合理性和精确性. 展开更多
关键词 深亚微米部分耗尽SOI器件 单粒子翻转 SPICE模型 三极管参数提取 tcad仿真
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应用于微波通信系统新型器件GaN HEMT研究 被引量:3
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作者 胡莎 程知群 《电子器件》 CAS 2010年第6期687-690,共4页
通过自洽求解一维泊松方程,计算了应用于微波通信系统的非故意掺杂AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的外延层结构参数对器件的二维电子气(2DEG)浓度,跨导等性能的影响。通过理论分析并结合TCAD软件最终确定AlGaN/AlN/GaNHEMT的最... 通过自洽求解一维泊松方程,计算了应用于微波通信系统的非故意掺杂AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的外延层结构参数对器件的二维电子气(2DEG)浓度,跨导等性能的影响。通过理论分析并结合TCAD软件最终确定AlGaN/AlN/GaNHEMT的最佳外延层结构。对栅长0.3μm和栅宽100μm的器件仿真结果表明,器件的最大跨导为418mS/mm,器件的最大电流密度为2300mA/mm,性能良好。 展开更多
关键词 ALGAN/ALN/GAN HEMT tcad仿真 非故意掺杂 自洽求解
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叠层SOI MOSFET不同背栅偏压下的热载流子效应
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作者 汪子寒 常永伟 +3 位作者 高远 董晨华 魏星 薛忠营 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第8期665-669,675,共6页
叠层绝缘体上硅(SOI)器件通过调节背栅偏压来补偿辐照导致的阈值电压退化,对于长期工作在辐射环境中的叠层SOI器件,热载流子效应也是影响其可靠性的重要因素。因此,采用加速老化的方法研究了叠层SOI NMOSFET在不同背栅偏压下的热载流子... 叠层绝缘体上硅(SOI)器件通过调节背栅偏压来补偿辐照导致的阈值电压退化,对于长期工作在辐射环境中的叠层SOI器件,热载流子效应也是影响其可靠性的重要因素。因此,采用加速老化的方法研究了叠层SOI NMOSFET在不同背栅偏压下的热载流子效应。实验结果表明,在负背栅偏压下有更大的碰撞电离,而电应力后阈值电压的退化却随着背栅偏压的减小而减小。通过二维TCAD仿真进一步分析了不同背栅偏压下的热载流子退化机制,仿真结果表明,背栅偏压在改变碰撞电离率的同时也改变了热电子的注入位置,正背栅偏压下会有更多的热电子注入到离前栅中心近的区域,而在负背栅偏压下则是注入到离前栅中心远的区域,从而导致正背栅偏压下的阈值电压退化更严重。 展开更多
关键词 叠层绝缘体上硅(SOI) 热载流子效应 背栅偏压 tcad仿真 界面陷阱电荷
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辐射导致的三结太阳电池损伤机理及在轨退化预计 被引量:1
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作者 彭超 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第12期25-31,共7页
针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验,明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量的退化模型。基于TCAD仿真研究和验证三节太阳电池辐照后性能退化机制。结合蒙特卡洛仿真和地面辐照试验... 针对中国产典型三结太阳电池开展质子/电子辐照试验,明确了三结太阳电池的辐射损伤敏感区域并建立太阳电池电学特性随位移损伤剂量的退化模型。基于TCAD仿真研究和验证三节太阳电池辐照后性能退化机制。结合蒙特卡洛仿真和地面辐照试验,探索将等效位移损伤剂量法用于三结太阳电池的在轨退化预计,计算典型中国产三结太阳电池在GEO轨道和LEO轨道在轨性能退化。 展开更多
关键词 太阳电池 辐射效应 GAAS 空间应用 位移损伤 tcad仿真
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硅肖特基结自滤波窄带近红外光探测器的研究
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作者 刘浩 徐艳 +2 位作者 宋龙梅 夏宇 于永强 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2022年第3期342-346,共5页
窄带近红外光探测器因对特定波长有很高的灵敏度,在临床诊断、治疗设备或可穿戴的功能性监测设备等生物医学领域具有广阔的应用前景。文章基于硅基光吸收及肖特基结光生载流子收集特性的分析,首次采用Silvaco TCAD设计了光谱可调的硅/... 窄带近红外光探测器因对特定波长有很高的灵敏度,在临床诊断、治疗设备或可穿戴的功能性监测设备等生物医学领域具有广阔的应用前景。文章基于硅基光吸收及肖特基结光生载流子收集特性的分析,首次采用Silvaco TCAD设计了光谱可调的硅/石墨烯肖特基二极管窄带近红外光探测器。利用湿法转移石墨烯电极制备了硅/石墨烯肖特基二极管,光电特性表征发现,器件具有自滤光的、可见光盲的近红外窄带响应,中心波长为1010 nm,半峰宽为180 nm,成功验证了硅基肖特基窄带近红外光探测器的设计。研究结果为窄带近红外光探测器等新型光电探测器的设计提供一定的理论支持和实验参考。 展开更多
关键词 肖特基结 tcad仿真 近红外光探测器 窄带
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5 V pMOS器件的热载流子注入退化机理
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作者 杨翰琪 刘小红 +2 位作者 吕康 魏家行 孙伟锋 《电子器件》 CAS 北大核心 2018年第5期1093-1096,共4页
研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因。结合实测数据并以实际样品为模型进行了器件仿真,研究表明,快界面态会影响pMOS器件迁移率... 研究了低压pMOS器件热载流子注入HCI(Hot-Carrier Injection)退化机理,分析了不同的栅压应力下漏极饱和电流(Idsat)退化出现不同退化趋势的原因。结合实测数据并以实际样品为模型进行了器件仿真,研究表明,快界面态会影响pMOS器件迁移率,导致Idsat的降低;而电子注入会降低pMOS器件阈值电压(Vth),导致Idsat的上升。当栅压为-7.5 V时,界面态的产生是导致退化的主要因素,在栅压为-2.4 V的应力条件下,电子注入在热载流子退化中占主导作用。 展开更多
关键词 PMOS 热载流子注入 不同栅压应力 tcad仿真
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