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SiGe HBT器件低温S参数计算方法
1
作者
魏正华
叶小兰
《核电子学与探测技术》
CAS
北大核心
2023年第5期992-999,共8页
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件的S参数是用于射频前端电路匹配设计的关键参数,提出一种测量SiGe HBT器件在多个不同温度下的S参数获取该器件低温S参数的计算方法。首先建立SiGe HBT器件在已知直流偏置下的T型小信号电路模型,...
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件的S参数是用于射频前端电路匹配设计的关键参数,提出一种测量SiGe HBT器件在多个不同温度下的S参数获取该器件低温S参数的计算方法。首先建立SiGe HBT器件在已知直流偏置下的T型小信号电路模型,然后采用常温下测量的器件S参数提取模型中与温度相关性极小的非本征部分元件值作为常量,再测量多个不同温度下的器件S参数构建器件所有本征部分元件参数与温度的近似线性表达式,逐个计算指定低温下所有本征部分元件参数,最后在已知全部参数的T型小信号模型中计算SiGe HBT器件在该低温下的S参数。实验显示该方法计算的低温S参数与测试值有良好的一致性。理论上该计算方法适用的最低温度达到-73℃。
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关键词
锗硅异质结双极晶体管
S参数
低温
t型小信号电路模型
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职称材料
题名
SiGe HBT器件低温S参数计算方法
1
作者
魏正华
叶小兰
机构
长沙民政职业技术学院电子信息工程学院
长沙环境保护职业技术学院环境监测系
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
北大核心
2023年第5期992-999,共8页
基金
湖南省教育厅科学研究项目“基于Mesh通信的智慧环境监测系统的研究与应用”(23B1108)
湖南省教育厅科学研究项目“宽阻带高抑制小型腔体滤波器的研究与实践”(22C1436)
长沙民政职业技术学院校级自科研究项目(23mypy08)。
文摘
针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)器件的S参数是用于射频前端电路匹配设计的关键参数,提出一种测量SiGe HBT器件在多个不同温度下的S参数获取该器件低温S参数的计算方法。首先建立SiGe HBT器件在已知直流偏置下的T型小信号电路模型,然后采用常温下测量的器件S参数提取模型中与温度相关性极小的非本征部分元件值作为常量,再测量多个不同温度下的器件S参数构建器件所有本征部分元件参数与温度的近似线性表达式,逐个计算指定低温下所有本征部分元件参数,最后在已知全部参数的T型小信号模型中计算SiGe HBT器件在该低温下的S参数。实验显示该方法计算的低温S参数与测试值有良好的一致性。理论上该计算方法适用的最低温度达到-73℃。
关键词
锗硅异质结双极晶体管
S参数
低温
t型小信号电路模型
Keywords
SiGe HB
t
S parame
t
ers
low
t
empera
t
ure
t
-
t
ype small signal circui
t
model
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiGe HBT器件低温S参数计算方法
魏正华
叶小兰
《核电子学与探测技术》
CAS
北大核心
2023
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