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T-ZnO晶须增强环氧树脂复合材料的抗静电性 被引量:14
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作者 陈尔凡 周本廉 《塑料工业》 CAS CSCD 北大核心 2003年第10期40-42,共3页
研究了T ZnO晶须增强环氧树脂复合材料的抗静电性。结果表明 :具有半导体性的T ZnO晶须在复合材料中 ,相互搭接形成导电通路 ,以价带传导方式传导电荷 ,而起抗静电作用 ,使环氧树脂材料的体积电阻率降低了 8个数量级 ,用比表面因子修正... 研究了T ZnO晶须增强环氧树脂复合材料的抗静电性。结果表明 :具有半导体性的T ZnO晶须在复合材料中 ,相互搭接形成导电通路 ,以价带传导方式传导电荷 ,而起抗静电作用 ,使环氧树脂材料的体积电阻率降低了 8个数量级 ,用比表面因子修正了网络形成临界体积分数模型。T ZnO晶须的网络形成临界体积分数 ( 0 0 5 7)是球形粒子的网络形成临界体积分数 ( 0 3 8)的 1/10。 展开更多
关键词 t—zno晶须增强 环氧树脂 复合材料 抗静电性 四脚状氧化锌晶须 临界体积分数
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