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应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振相关损耗的影响
1
作者
蔡纯
刘旭
+3 位作者
肖金标
丁东
张明德
孙小菡
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期1837-1841,共5页
采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(...
采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(PolarizationModeDispersion,PMD)·研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的·因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响·
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关键词
InP/InGaAsP
偏振相关损耗
应力
差分群时延
多量子阱
stokes模型
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职称材料
题名
应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振相关损耗的影响
1
作者
蔡纯
刘旭
肖金标
丁东
张明德
孙小菡
机构
东南大学电子工程系光子学与光通信研究室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第12期1837-1841,共5页
基金
"十五"863高技术研究发展计划(2002AA31230)资助
文摘
采用Agilent81910A光子全参量测试仪,首次实验研究了InP/In1-xGaxAs1-yPy-MQW(Multiple-Quantum-Well,MQW)材料与衬底间因应力而产生的M-Z型光调制器的PDL影响以及由此引起的由差分群时延(DifferentialGroupDelay,DGD)表征的偏振模色散(PolarizationModeDispersion,PMD)·研究结果表明,半导体MQW光调制器的PDL与DGD是一致的·因此在半导体光器件的制作过程中,应尽可能地减小衬底与波导芯层之间的因残存应力的存在造成对光器件的高速性能的不利影响·
关键词
InP/InGaAsP
偏振相关损耗
应力
差分群时延
多量子阱
stokes模型
Keywords
InP/InGaAsP
Polarization-dependent loss （PDL）
Stress
Differential group delay （DGD）Multiple quantum well（MQW）
stokes
model
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
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题名
作者
出处
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被引量
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1
应力对M-Z型InP/InGaAsP-EAM偏振相关损耗的影响
蔡纯
刘旭
肖金标
丁东
张明德
孙小菡
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
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