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二甲基二氯化锡前驱体CVD制备SnO2∶F薄膜及其性能研究
被引量：
1
1
作者
陈峰
张振华
+2 位作者
赵会峰
鲍思权
姜宏
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第24期6-10,15,共6页
采用二甲基二氯化锡(DMTC)为新前驱体,通过常压CVD法在硼硅玻璃基板上制备SnO_2∶F透明导电薄膜,研究了DMTC、TFA和H_2O的含量对薄膜结构及光电性能的影响,研究表明当F/Sn物质的量比为1∶1、H2O/Sn物质的量比为3∶2时,制备出可见光透过...
采用二甲基二氯化锡(DMTC)为新前驱体,通过常压CVD法在硼硅玻璃基板上制备SnO_2∶F透明导电薄膜,研究了DMTC、TFA和H_2O的含量对薄膜结构及光电性能的影响,研究表明当F/Sn物质的量比为1∶1、H2O/Sn物质的量比为3∶2时,制备出可见光透过率84.17%、方块电阻9.2Ω/□且结晶性能良好的多晶SnO_2薄膜。通过与单丁基三氯化锡(MBTC)为前驱体所制备薄膜的性能进行比较,结果表明,两种前驱体所制备薄膜均具有四方金红石结构,利用DMTC不仅可以制备出与MBTC性能相近的薄膜,同时薄膜表面更加均匀。
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关键词
二甲基二氯化锡
化学气相沉积法
sno2∶f薄膜
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职称材料
退火处理对SnO2：F薄膜光电性能的影响
被引量：
4
2
作者
李铭
高倩
+2 位作者
刘涌
宋晨路
韩高荣
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期132-135,共4页
SnO2∶F薄膜作为low-e玻璃的表面功能层材料,广泛应用于节能镀膜玻璃。Low-e玻璃在后期退火(深加工)后,其性能的变化已经引起了学术研究和实际应用方面的的关注。我们对于用化学气相沉积法在玻璃表面沉积的约250nm厚的SnO2∶F薄膜进行...
SnO2∶F薄膜作为low-e玻璃的表面功能层材料,广泛应用于节能镀膜玻璃。Low-e玻璃在后期退火(深加工)后,其性能的变化已经引起了学术研究和实际应用方面的的关注。我们对于用化学气相沉积法在玻璃表面沉积的约250nm厚的SnO2∶F薄膜进行不同的退火处理。并通过一系列的研究,结果发现,薄膜的结构、组成、电学、光学性能在氮气和空气两种不同的退火气氛下会有显著的变化。SnO2∶F薄膜的Low-e性能经过空气中高温退火后下降明显。通过计算对比退火后SnO2∶F薄膜的晶格常数和晶胞尺寸,提出了一种对于薄膜Low-e性能下降的合理解释。
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关键词
LOW-E
sno2∶f薄膜
退火
常压化学气相沉积
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职称材料
题名
二甲基二氯化锡前驱体CVD制备SnO2∶F薄膜及其性能研究
被引量：
1
1
作者
陈峰
张振华
赵会峰
鲍思权
姜宏
机构
海南大学
海南中航特玻材料有限公司
海南中航特玻科技有限公司
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第24期6-10,15,共6页
基金
国家科技支撑计划课题项目(2013BAJ15B04)
海南省重大科技项目(ZDZX2013002-2)
文摘
采用二甲基二氯化锡(DMTC)为新前驱体,通过常压CVD法在硼硅玻璃基板上制备SnO_2∶F透明导电薄膜,研究了DMTC、TFA和H_2O的含量对薄膜结构及光电性能的影响,研究表明当F/Sn物质的量比为1∶1、H2O/Sn物质的量比为3∶2时,制备出可见光透过率84.17%、方块电阻9.2Ω/□且结晶性能良好的多晶SnO_2薄膜。通过与单丁基三氯化锡(MBTC)为前驱体所制备薄膜的性能进行比较,结果表明,两种前驱体所制备薄膜均具有四方金红石结构,利用DMTC不仅可以制备出与MBTC性能相近的薄膜,同时薄膜表面更加均匀。
关键词
二甲基二氯化锡
化学气相沉积法
sno2∶f薄膜
Keywords
dimethyltin dichloride
chemical vapor deposition
f
doped
sno
2
thin
f
ilm
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
退火处理对SnO2：F薄膜光电性能的影响
被引量：
4
2
作者
李铭
高倩
刘涌
宋晨路
韩高荣
机构
浙江大学材料科学与工程学系
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期132-135,共4页
基金
国家科技支撑计划资助项目(2011BAE14B02)
文摘
SnO2∶F薄膜作为low-e玻璃的表面功能层材料,广泛应用于节能镀膜玻璃。Low-e玻璃在后期退火(深加工)后,其性能的变化已经引起了学术研究和实际应用方面的的关注。我们对于用化学气相沉积法在玻璃表面沉积的约250nm厚的SnO2∶F薄膜进行不同的退火处理。并通过一系列的研究,结果发现,薄膜的结构、组成、电学、光学性能在氮气和空气两种不同的退火气氛下会有显著的变化。SnO2∶F薄膜的Low-e性能经过空气中高温退火后下降明显。通过计算对比退火后SnO2∶F薄膜的晶格常数和晶胞尺寸,提出了一种对于薄膜Low-e性能下降的合理解释。
关键词
LOW-E
sno2∶f薄膜
退火
常压化学气相沉积
Keywords
low-emissivity
sno
2
：
f
thin
f
ilm
anneal
APCVD
分类号
O484.4 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
二甲基二氯化锡前驱体CVD制备SnO2∶F薄膜及其性能研究
陈峰
张振华
赵会峰
鲍思权
姜宏
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
退火处理对SnO2：F薄膜光电性能的影响
李铭
高倩
刘涌
宋晨路
韩高荣
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2012
4
在线阅读
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职称材料
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