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题名Sn掺杂对In2O3热电性能的影响
被引量：2
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作者
胡阳
叶灵云
闫玉丽
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机构
河南大学物理与电子学院计算材料科学研究所
郑州成功财经学院国际经济与贸易系
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出处
《原子与分子物理学报》
CAS
北大核心
2019年第4期668-674,共7页
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基金
国家自然科学基金(U1204112,11305046)
河南省科技合作项目(182106000023)
河南省自然科学基金(182300410227)
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文摘
本文利用第一性原理结合半经典玻尔兹曼理论研究了Sn掺杂对In2O3热电特性的影响.由于一个In2O3原胞有80个原子,所以为了清楚表明Sn的掺杂浓度,我们将化学式表述为In32-xSnxO48.形成能的计算表明Sn比较容易取代In位,且Inb位比Ind位更容易被取代.且只有x=1,形成能是负值,而x=2和3的形成能是正值.电子结构的计算表明Sn掺杂对In2O3的能带结构的形状影响很小,只是费米能级向导带方向移动了,基于这一点我们预测刚性带模拟In2O3的电子热电特性和实际Sn掺杂的应该比较接近.输运性质的计算表明在价带顶或导带底附近,电子输运性质随化学势发生明显的变化,而在价带以上导带以下的一定化学势范围内,虽然S,σ/τ和n随化学势和温度变化比较大,ZeT随化学势和温度几乎没有变化,且n型和p型掺杂下的ZeT非常接近,大小在1附近.令人兴奋的是,通过将刚性带模型计算In2O3电子输运性质和实验结果对比,发现当温度为1000 K,化学势为0.6512 Ry时的实验ZT=0.28和理论0.273非常接近.而此化学势远在导带底以上,说明如果选择较低的掺杂浓度,In2O3的输运性质有望进一步提高.
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关键词
密度泛函理论
热电特性
电子结构
sn掺杂in2o3
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Keywords
Density functional
Thermoelectric properties
Seebeck coefficient
in2-xsnxo3
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分类号
O65
[理学—分析化学]
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题名铟锡氢氧化物的煅烧温度对ITO靶材结构性能的影响
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作者
张倍维
陆映东
黄作
莫斌
方志杰
黄誓成
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机构
广西晶联光电材料有限责任公司
广西科技大学电子工程学院
中南大学材料科学与工程学院
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出处
《功能材料》
北大核心
2025年第1期1209-1216,共8页
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基金
国家自然科学基金项目(12364011)
广西重点研发项目(桂科AB23026146)。
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文摘
研究发现氧化锡铟(ITO)靶材的致密度受ITO前驱粉体烧结活性影响并取决于其结构和组成。而ITO前驱粉体煅烧温度对于ITO靶材结构及其性质的影响尚未明晰。探究铟锡氢氧化物粉体的煅烧形成ITO粉体过程中,温度对于其粉体的结构以及后续制备的ITO靶材的烧结致密化的影响。XRD衍射分析表明铟锡氢氧化物的粉末煅烧温度和时间的增加均会导致ITO粉体晶粒尺寸变大;当煅烧温度为750℃时(2 h),ITO粉体有较高的比表面积,高的表面金属含量构成,制备的靶材具有高的相对密度,更低的电阻率,靶材断面结构紧凑,内部气孔相对较少。前驱粉体煅烧温度与ITO靶材的结构-性能关系,揭示了煅烧温度直接影响铟锡氢氧化物粉体的立方晶体的形成,改变了生成的ITO粉体结构(比表面积、表面元素构成、粒度等),影响成型的素胚密度,进而影响ITO靶材的烧结致密性及导电性能。
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关键词
铟锡氧化物
温度-结构-性能关系
锡(sn)掺杂氧化铟(in2o3)
ITo靶材
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Keywords
indium tin oxide
temperature-structure-performance relationship
tin(sn)doped indium oxide(In 2o 3)
ITo target
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分类号
TM283
[一般工业技术—材料科学与工程]
TB34
[一般工业技术—材料科学与工程]
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