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TSV结构的几种SPICE模型仿真 被引量:4
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作者 庞诚 王志 于大全 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第10期770-775,共6页
硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同... 硅通孔(TSV)结构是2.5D/3D系统级封装(SiP)的关键电学互连单元,对TSV结构的准确建模是保证电学仿真精确程度的重要因素。基于传输线理论,对TSV结构进行了电气描述,提取结构中集总参数元件,并针对这些集总参数元件进行组合,得到几种不同的SPICE模型。对上述SPICE模型进行S参数仿真,作为比较,建立TSV结构的全波模型并通过有限元方法计算得到S参数。仿真结果表明,TSV结构主体主导了整个TSV结构的电性能,当信号频率在10 GHz以下时,由各个SPICE模型仿真得到的S参数和由有限元方法计算所得结果差别较小。对SPICE模型中的TSV与硅衬底间电容C TSV不同的处理方式对仿真结果影响明显。 展开更多
关键词 硅通孔(TSV) spice模型 全波模型 有限元方法 S参数
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基于PSPICE建模仿真方法研究传输线网络时域响应 被引量:2
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作者 杨清熙 王庆国 +2 位作者 周星 赵敏 刘加凯 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期417-422,共6页
为研究注入式电磁脉冲对端接负载的传输线网络的耦合规律,以典型的环形网络和树形网络为研究对象,基于PSPICE建模仿真方法,研究方波脉冲在传输线网络中的时域响应.对端接电阻负载的同轴线网络瞬态响应的实验结果、BLT方程求解结果、PSP... 为研究注入式电磁脉冲对端接负载的传输线网络的耦合规律,以典型的环形网络和树形网络为研究对象,基于PSPICE建模仿真方法,研究方波脉冲在传输线网络中的时域响应.对端接电阻负载的同轴线网络瞬态响应的实验结果、BLT方程求解结果、PSPICE仿真结果进行了对比分析,表明了PSPICE方法与BLT方程求解结果及实验结果具有很好的一致性.针对BLT方程方法在求解电容、电感负载及非线性负载上存在计算复杂、较难求解的问题,利用PSPICE建模仿真方法对端接电容负载的环形同轴线网络、端接瞬态抑制二极管的树形同轴线网络和多芯线缆网络的方波脉冲瞬态响应进行了仿真,与实验结果具有较好的一致性.这些结果验证了PSPICE建模仿真方法在解决电磁脉冲对端接线性、频变及非线性负载的传输线网络时域响应的有效性. 展开更多
关键词 Pspice 传输线网络 电磁脉冲 BLT方程 非线性负载
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基于SPICE的电路仿真系统接口程序设计 被引量:2
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作者 郝永生 韩路杰 +1 位作者 王广龙 谢建华 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第12期253-255,共3页
基于SPICE仿真引擎,提出利用VC语言编写接口程序实现电路分级仿真的方法,实现SPICE文件与数学运算程序包之间的数据传递,解决电路仿真系统仿真时钟不同步、特殊时间点仿真不收敛、数字器件不是单入单出,以及在SPICE仿真数字器件时没有... 基于SPICE仿真引擎,提出利用VC语言编写接口程序实现电路分级仿真的方法,实现SPICE文件与数学运算程序包之间的数据传递,解决电路仿真系统仿真时钟不同步、特殊时间点仿真不收敛、数字器件不是单入单出,以及在SPICE仿真数字器件时没有可用模型等问题。实例验证了该方法的正确性和可行性。 展开更多
关键词 电路仿真 spice仿真引擎 数学运算程序包 接口程序
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适于SPICE仿真、拓扑不变的数字电路模型 被引量:2
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作者 林波涛 丘水生 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 1995年第8期141-146,共6页
本文提出了适于SPICE程序仿真、拓扑不变的组合逻辑电路模型。采用这种模型,SPICE程序就可以直接分析组合逻辑电路,甚至模糊逻辑电路。这种方法扩展了SPICE程序的使用范围。
关键词 组合逻辑 计算机仿真 数字电路 spice程序
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基于PSPICE6.3的电路仿真分析
5
作者 王朱劳 于大元 《现代电子技术》 2004年第11期77-79,共3页
介绍了 PSPICE 6.3的运行环境 ,仿真分析功能。
关键词 Pspice 电路 仿真分析 快速傅里叶变换 spice
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CMOS离子敏场效应管SPICE模型 被引量:1
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作者 刘肃 韩富强 于峰崎 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第10期16-18,22,共4页
完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程... 完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。 展开更多
关键词 离子敏场效应晶体管 器件模型 通用电路模拟程序
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功率VDMOS器件的新型SPICE模型
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作者 朱荣霞 黄栋 +3 位作者 马德军 王锦春 孙伟锋 张春伟 《东南大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第3期478-482,共5页
为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体... 为解决垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS器件)模型精确度差的问题,建立了一套新的VDMOS模型.与其他模型相比,该模型在VDMOS器件源极、漏极、栅极3个外部节点的基础上,又增加了4个内部节点,从而将VDMOS器件视为1个N沟道金属氧化物半导体(NMOS)与4个电阻的串联.采用表面势建模的原理计算了积累区的电阻,并对寄生结型场效应晶体管(JFET)耗尽及夹断2种状态进行分析,计算出寄生JFET区的电阻.分别考虑VDMOS器件外延层区与衬底区的电流路径,建立了这2个区域的电阻模型.模型仿真值与器件测试值的比较结果表明,该模型能够准确拟合VDMOS器件线性区、饱和区及准饱和区的电学特性. 展开更多
关键词 VDMOS spice模型 内部节点 准饱和效应
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包含SiC/SiO2界面电荷的SiC MOSFET的SPICE模型 被引量:6
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作者 周郁明 蒋保国 +2 位作者 刘航志 陈兆权 王兵 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2019年第19期5604-5612,共9页
建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三... 建立碳化硅(silicon carbide,SiC)金属–氧化物–半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductorfield-effect transistor, MOSFET)的通用模拟电路仿真器(simulation program with integrated circuit emphasis,SPICE)模型。模型采用三段电流表达式分别描述SiC MOSFET工作在截止区、线性区和饱和区,引入SiCMOSFET的漏极和源极之间的泄漏电流及栅极氧化层的泄漏电流,并采用包含SiC/SiO2界面电荷的迁移率模型描述沟道载流子在不同温度范围内的行为表现,建立电–热网络模型模拟SiC MOSFET在开关状态和高电应力下的自热效应。开关电路和短路实验验证了所建立的SiC MOSFET的SPICE模型的准确性。应用所建立的SPICE模型讨论不同密度的SiC/SiO2界面电荷对SiC MOSFET的开关特性及短路失效的影响。结果表明,高密度的界面电荷一方面能够延迟SiCMOSFET的导通并增加通态电阻,导致SiCMOSFET的开关损耗增加,另一方面能够降低SiCMOSFET在短路环境下的饱和电流,并延迟SiC MOSFET的失效。 展开更多
关键词 通用模拟电路仿真器模型 碳化硅金属–氧化物–半导体场效应晶体管 界面电荷 迁移率 泄漏电流 失效
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二极管器件SPICE电路模型对锥形离子通道I-V特性曲线的模拟 被引量:1
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作者 江嘉乔 鲁冰新 +1 位作者 肖天亮 翟锦 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期121-131,共11页
离子整流性是纳米离子通道的一个重要特征,具有整流性的离子通道体系也被称为纳米流体二极管.本文比较了离子通道的泊松-能斯特-普朗克(PNP)方程组模型和固体半导体的扩散-漂移模型,提出可以使用二极管器件的仿真电路模拟器(SPICE)电路... 离子整流性是纳米离子通道的一个重要特征,具有整流性的离子通道体系也被称为纳米流体二极管.本文比较了离子通道的泊松-能斯特-普朗克(PNP)方程组模型和固体半导体的扩散-漂移模型,提出可以使用二极管器件的仿真电路模拟器(SPICE)电路模型对离子通道体系的电流-电压(I-V)曲线进行模拟.以锥形离子通道的PNP数值模型的计算结果为基础,通过对这一体系进行讨论,给出一个锥形离子通道的SPICE电路模型,它可以较好地模拟I-V特性曲线.离子通道SPICE电路模型的建立可用于研究纳米流体二极管作为一个器件在电路中的应用. 展开更多
关键词 离子通道 整流性 纳米流体二极管 泊松-能斯特-普朗克方程 仿真电路模拟器电路模型
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高速SERDES的多板传输技术与SI仿真 被引量:12
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作者 曹跃胜 胡军 刘烨铭 《计算机工程与科学》 CSCD 2008年第8期139-143,共5页
随着SERDES传输速率达到10Gbps,高速PCB上的信号传输尤其是多板间传输,已经成为高速设计的实现难点。高速PCB及其要素的设计、分析、仿真,以及高速传输链路的设计优化,是多板SERDES传输实现更高速率的关键。本文对高速串行SERDES的原理... 随着SERDES传输速率达到10Gbps,高速PCB上的信号传输尤其是多板间传输,已经成为高速设计的实现难点。高速PCB及其要素的设计、分析、仿真,以及高速传输链路的设计优化,是多板SERDES传输实现更高速率的关键。本文对高速串行SERDES的原理和架构进行了深入分析,研究了多板传输中影响信号完整性(SI)的关键因素和建模优化方法;最后,针对实验电路板建立了多板仿真模型,对实际的SERDES差分网络进行了仿真分析。 展开更多
关键词 传输线 特性阻抗 信号完整性 连接器 过孔 高速串行传输 IBIS spice 多板分析 电路仿真
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氧化钒热敏薄膜非致冷红外探测器的等效模型 被引量:3
11
作者 黎文模 陈向东 段晓峰 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2006年第9期49-51,54,共4页
建立了氧化钒热敏薄膜微测辐射热计的PSPICE模型,结合一个具体的CMOS读出电路给出探测器的等效电路模型,分析了探测器的电学和噪声特性,根据等效模型基于微测辐射热计电阻Ro和读出电路MOS沟道宽度2个设计参数对噪声等效温差(NETD)... 建立了氧化钒热敏薄膜微测辐射热计的PSPICE模型,结合一个具体的CMOS读出电路给出探测器的等效电路模型,分析了探测器的电学和噪声特性,根据等效模型基于微测辐射热计电阻Ro和读出电路MOS沟道宽度2个设计参数对噪声等效温差(NETD)进行了优化,优化数据表明:参数Ro取值为2~11kΩ,W取值为0、1~1.0μm时,得到的NETD值为0、1334~0.1885K。 展开更多
关键词 氧化钒 红外探测器 集成电路专用个人仿真程序 噪声等效温差 优化设计
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基于断言的模拟矢量自动生成方法 被引量:4
12
作者 李暾 郭阳 李思昆 《软件学报》 EI CSCD 北大核心 2004年第10期1441-1450,共10页
VLSI模拟验证的一个关键问题是需要大量的模拟矢量来验证各种可能情况下设计的正确性.采用断言作为模拟验证的功能模型,提出和实现了一种基于断言的模拟矢量自动生成方法.针对要触发的断言,首先对设计进行化简,通过决策图模型将初始输... VLSI模拟验证的一个关键问题是需要大量的模拟矢量来验证各种可能情况下设计的正确性.采用断言作为模拟验证的功能模型,提出和实现了一种基于断言的模拟矢量自动生成方法.针对要触发的断言,首先对设计进行化简,通过决策图模型将初始输入传播到断言,并将传播过程和断言条件一起转化成CLP约束,最后求解CLP约束生成模拟矢量.该方法的优势在于运用了字级(word-level)约束求解技术,能统一处理控制电路和数据通路间的数据传播,求解效率高;基于功能模型的模拟矢量生成技术,模拟矢量生成目标更明确;与动态加速技术相结合,使搜索过程效率更高;设计化简技术的运用使搜索过程计算复杂度只与断言有关.实验结果表明,该方法能快速找到并定位设计中的错误,生成模拟矢量效率更高. 展开更多
关键词 VLSI 断言 模拟矢量自动生成
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基于UML的模拟电路仿真系统的设计 被引量:1
13
作者 胡继承 王抒雁 《计算机应用研究》 CSCD 北大核心 2004年第11期198-200,共3页
模拟电路仿真程序对集成电路设计和电路性能评价具有十分重要的意义。近年来,面向对象技术已成为软件设计的主流思想,以电路仿真系统为背景,给出了一种基于UML的面向对象的分析与设计方法,清楚有效地进行系统建模。这种方法在模拟电路... 模拟电路仿真程序对集成电路设计和电路性能评价具有十分重要的意义。近年来,面向对象技术已成为软件设计的主流思想,以电路仿真系统为背景,给出了一种基于UML的面向对象的分析与设计方法,清楚有效地进行系统建模。这种方法在模拟电路仿真系统SPICE的开发过程中被证明是提高软件开发质量和效率的有效途径。 展开更多
关键词 UML 建模 模拟电路仿真系统(spice) 电路仿真
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基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型 被引量:1
14
作者 葛晨 李胜 +2 位作者 张弛 刘斯扬 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第5期1227-1233,共7页
为了满足功率电路及系统设计对p-GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件模型的需求,本文建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)模型.根据耗尽型Ga... 为了满足功率电路及系统设计对p-GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件模型的需求,本文建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)模型.根据耗尽型GaN HEMT器件和增强型p-GaN HEMT器件结构的对比,推导出p-GaN栅结构电压解析公式.考虑到p-GaN栅掺杂效应和物理机理,推导出栅电容和栅电流解析公式.同时,与基于表面势的高电子迁移率晶体管高级SPICE模型内核相结合,建立完整的增强型p-GaN HEMT功率器件的SPICE模型.将所建立的SPICE模型与实测结果进行对比验证.结果表明,所建立的模型准确实现了包括转移特性、输出特性、栅电容以及栅电流在内的p-GaN HEMT器件的电学特性.模型仿真数据与实测数据拟合度误差均小于5%.本文所提出的增强型p-GaN HEMT器件模型在进行电路设计时具有重要的应用价值. 展开更多
关键词 增强型 高级simulation program with integrated circuit emphasis模型 p-GaN栅 转移特性 输出特性 栅电容 栅电流
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EMCCD时序发生器的VHDL设计 被引量:4
15
作者 陈小明 李彬华 《计算机工程与应用》 CSCD 2012年第1期72-75,共4页
具有电子倍增功能的CCD图像传感器在微光探测与成像领域获得了极大的成功。分析了该TC285SPD EMCCD用于微光成像时的控制要求,并结合模拟前端信号处理器AD9845B的时序控制要求,采用VHDL语言进行编程,实现了对该EMCCD的驱动控制。详细介... 具有电子倍增功能的CCD图像传感器在微光探测与成像领域获得了极大的成功。分析了该TC285SPD EMCCD用于微光成像时的控制要求,并结合模拟前端信号处理器AD9845B的时序控制要求,采用VHDL语言进行编程,实现了对该EMCCD的驱动控制。详细介绍了EMCCD时序发生器的VHDL设计方法和实现过程,在QuartusII环境下给出了系统的仿真结果,并对结果进行了分析讨论。 展开更多
关键词 电子倍增电荷耦合器件(EMCCD) 成像系统 现场可编程门阵列(FPGA) 超高速集成电路硬件描述语言(VHDL)编程 仿真
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一种基于小波分析和神经网络的模拟电路故障诊断的方法研究
16
作者 杨立儒 李红波 +2 位作者 郑红岩 曾繁景 李铁峰 《计算机应用与软件》 CSCD 2011年第3期223-226,共4页
提出了一种基于小波分析和神经网络的电路故障诊断方法。首先用PSPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis,即集成电路编程仿真技术)电路仿真软件对电路进行仿真;然后对电路的输出节点电压信号进行小波分解,提取各频... 提出了一种基于小波分析和神经网络的电路故障诊断方法。首先用PSPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis,即集成电路编程仿真技术)电路仿真软件对电路进行仿真;然后对电路的输出节点电压信号进行小波分解,提取各频段的能量作为故障样本;最后利用神经网络的并行处理结构和非线性映射能力,实现故障诊断。仿真实验结果表明该方法对容差模拟电路故障定位具有较高的准确率,为模拟电路故障诊断技术开辟了一条道路,为模拟电路故障诊断技术开辟了一条道路。 展开更多
关键词 Pspice 小波分析 神经网络 故障诊断
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基于场路仿真的PCIe电磁干扰分析及优化设计 被引量:4
17
作者 杨会 宋航 肖夏 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期97-103,共7页
采用电磁仿真技术,提前评估PCB的电磁兼容设计是否合理,当对PCB进行电磁兼容测试时,减少其电磁干扰不满足GMW 3097标准的情况出现。首先对PCB进行3D电磁场仿真,再与高速串行计算机扩展总线标准模块内芯片的通用模拟电路仿真模型的电路... 采用电磁仿真技术,提前评估PCB的电磁兼容设计是否合理,当对PCB进行电磁兼容测试时,减少其电磁干扰不满足GMW 3097标准的情况出现。首先对PCB进行3D电磁场仿真,再与高速串行计算机扩展总线标准模块内芯片的通用模拟电路仿真模型的电路仿真动态链接,进行场路协同仿真。实验验证表明,该仿真方法的精度在6 dBμV之内,满足PCB加工工艺的误差和实验测试的不确定度,符合仿真精度要求。通过该仿真方法评估PCB的电磁干扰强度以及优化PCB的设计,将高速串行计算机扩展总线标准模块上的33Ω电阻替换为磁珠后,该PCB在1.6 GHz处的电磁干扰强度降低了13.4 dB。根据CISPR 25标准规定的1-m法进行测试,PCB的电磁干扰变为-3.4 dBμV,低于GMW 3097标准要求,从而验证了该措施的有效性。 展开更多
关键词 PCIe模块 共模辐射 电磁干扰 通用模拟电路仿真模型 电磁仿真
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