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静电键合力引起硅微结构畸变的研究被引量：4: 1; 作者任建军陶盛沈绍群《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 1997年第1期17-20,共4页; 硅微机械力敏器件在封装时往往采用硅—玻璃静电键合的方法。但在静电键合时静电力也往往作用于不需要键合的结构部分。并可能引起这些结构的畸变，造成器件特性劣化或破坏。本文分析了静电力的这些影响。; 关键词硅微结构静电键合传感器力敏器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种硅芯片/玻璃环静电键合的简易装置被引量：2: 2; 作者王权丁建宁 +1 位作者王文襄杨平《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期214-216,221,共4页; 随着微机电系统(MEMS)技术的发展,促进了半导体硅压阻式压力传感器低成本和集成化,使其得到了广泛应用;在压阻式压力传感器无应力封装工艺中,硅芯片/PYREX7740玻璃环静电键合起着重要的作用。本文论述了静电键合基本原理,以此研制了适... 展开更多; 关键词压阻式压力传感器硅芯片 PYREX7740 静电键合简易装置; 在线阅读下载PDF 职称材料

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