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惰气熔融–红外吸收/热导法同时测定氮化硅中的低氧高氮 被引量：1
1
作者 王琳 王楠 +1 位作者 任士远 张彬彬 《中国陶瓷》 北大核心 2025年第1期20-25,共6页
氮化硅是性能优异的陶瓷材料,在航空航天、国防军工等方面有着重要的作用。氮化硅中的杂质元素氧与主元素氮对其制备工艺及高纯化发展至关重要。通过对称样量、脱气功率、分析功率、氧的开始基线时间、助熔剂种类及比例、坩埚选择等因... 氮化硅是性能优异的陶瓷材料,在航空航天、国防军工等方面有着重要的作用。氮化硅中的杂质元素氧与主元素氮对其制备工艺及高纯化发展至关重要。通过对称样量、脱气功率、分析功率、氧的开始基线时间、助熔剂种类及比例、坩埚选择等因素的探究,建立了惰气熔融–红外吸收/热导法同时测定氮化硅中的低氧高氮,并通过标准物质验证了方法的准确性、精密度与回收率。结果表明,当称样量为0.0700 g、脱气功率为5000 W、分析功率为5500 W、氧的开始基线时间为1 s、助熔剂为0.60 g镍囊、坩埚为石墨套坩埚时,可以得到稳定、准确的测试结果。以此实验条件使用标准物质建立了标准曲线,并进行了加标回收实验和精密度实验,氧、氮标准曲线线性相关系数分别为0.999922、0.999990,加标回收率为96.9%~102.7%,88.2%~97.7%,氧的RSD(n=7)分别为1.99%、0.45%、氮的RSD(n=7)分别为0.63%、0.79%。方法的检出限分别为0.000306%、0.00864%,定量限为0.000102%、0.00881%。该方法可用于快速、准确、同时检测氮化硅中的低氧高氮。 展开更多
关键词 氮化硅 氧 氮 惰气熔融–红外吸收/热导法
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宽禁带半导体X射线探测器研究进展
2
作者 吴璇 高润龙 +3 位作者 刘志宇 钟向丽 刘林月 欧阳晓平 《发光学报》 北大核心 2025年第5期794-812,共19页
高性能半导体X射线探测器应具备低检测限、低暗电流、高灵敏度、快速响应、强抗辐照性能等特点。碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓和氧化锌等宽禁带半导体因具有宽禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强、高饱和载流子漂移速度、大离位能... 高性能半导体X射线探测器应具备低检测限、低暗电流、高灵敏度、快速响应、强抗辐照性能等特点。碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓和氧化锌等宽禁带半导体因具有宽禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强、高饱和载流子漂移速度、大离位能等特性,在X射线探测中展现出优异性能,符合高性能半导体X射线探测器的特点要求,成为极具前景的X射线探测器。本文介绍了碳化硅、氮化镓、金刚石、氧化镓和氧化锌等宽禁带半导体材料特性、制备技术和X射线探测器研究的最新进展,为医学成像、工业检测和太空探索等未来研究方向和潜在应用提供了参考。 展开更多
关键词 宽禁带 半导体 X射线探测器 碳化硅 氮化镓 金刚石
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氮化硅结合碳化硅匣钵在合成锂离子三元正极材料上的应用
3
作者 王建波 郑翰 +1 位作者 相宇博 曹会彦 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2024年第12期25-30,共6页
介绍了氮化硅结合碳化硅匣钵在合成高镍三元正极材料NCM811材料服役78次的使用效果、下线原因、理化指标变化、抗侵蚀情况。结果表明:(1)氮化硅结合碳化硅匣钵在NCM811辊道中循环服役78次后,因侧壁裂纹的产生及伸展导致其下线;(2)氮化... 介绍了氮化硅结合碳化硅匣钵在合成高镍三元正极材料NCM811材料服役78次的使用效果、下线原因、理化指标变化、抗侵蚀情况。结果表明:(1)氮化硅结合碳化硅匣钵在NCM811辊道中循环服役78次后,因侧壁裂纹的产生及伸展导致其下线;(2)氮化硅结合碳化硅匣钵在服役过程中展示出良好的抗侵蚀性,表面生成连续、稳定的反应层使得该材质匣钵不会出现掉皮、掉渣现象;(3)反应产物主要为Li4SiO4,反应层厚度为500~700μm,TOF-SIMS检测结果表明Li元素主要富集在距离表面200μm以内区域。 展开更多
关键词 氮化硅结合碳化硅 匣钵 三元正极材料 抗侵蚀性 TOF-SIMS
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4H-SiC衬底上生长参数对AlGaN基深紫外多量子阱受激辐射特性的影响
4
作者 张睿洁 郭亚楠 +4 位作者 吴涵 刘志彬 闫建昌 李晋闽 王军喜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第6期894-904,共11页
SiC衬底是制备高性能AlGaN基深紫外激光器的良好候选衬底。采用金属有机化学气相沉积方法在4H-SiC衬底上生长了深紫外AlGaN/AlN多量子阱结构(MQWs),系统研讨了MQWs生长参数对深紫外激光结构自发辐射和受激辐射特性的影响规律。综合分析M... SiC衬底是制备高性能AlGaN基深紫外激光器的良好候选衬底。采用金属有机化学气相沉积方法在4H-SiC衬底上生长了深紫外AlGaN/AlN多量子阱结构(MQWs),系统研讨了MQWs生长参数对深紫外激光结构自发辐射和受激辐射特性的影响规律。综合分析MQWs的表面形貌和发光性能后发现,随着NH_(3)流量增加和生长温度升高,MQWs表面粗糙度降低,内量子效率提升。经优化,MQWs的内量子效率达到74.1%,室温下的激射阈值光功率密度和线宽分别为1.03 MW/cm~2和1.82 nm,发光波长为248.8 nm。这主要归因于高的NH3流量和生长温度抑制了有源区中的碳杂质并入,载流子辐射复合效率和材料增益增加;同时生长速率降低,改善了MQWs结构的表面形貌,降低了界面散射损耗。采用干法刻蚀和湿法腐蚀的复合工艺制备了光滑陡直的谐振腔,激光器的腔面损耗降低,阈值光功率密度和线宽进一步降低至889 kW/cm~2和1.39 nm。 展开更多
关键词 ALGAN SIC 光泵浦激光器 Ⅴ/Ⅲ比 生长温度
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预氧化对焦炉用氮化物结合碳化硅材料抗氧化性的影响 被引量：1
5
作者 孟红涛 马龙斌 刘鑫 《耐火材料》 CAS 北大核心 2024年第3期242-245,250,共5页
为改善焦炉用碳化硅材料的抗氧化性,以碳化硅颗粒(2.5~1.43、1.43~0.5、0.5~0.088 mm)及细粉(≤0.088 mm)、单质硅粉(≤0.088 mm)、氧化铝微粉(≤0.044 mm)、SiO_(2)微粉(≤1μm)为原料,木质素为结合剂,于1420℃保温10 h氮化烧成SiAlON-... 为改善焦炉用碳化硅材料的抗氧化性,以碳化硅颗粒(2.5~1.43、1.43~0.5、0.5~0.088 mm)及细粉(≤0.088 mm)、单质硅粉(≤0.088 mm)、氧化铝微粉(≤0.044 mm)、SiO_(2)微粉(≤1μm)为原料,木质素为结合剂,于1420℃保温10 h氮化烧成SiAlON-SiC、Si_(2)N_(2)O-SiC和Si_(3)N_(4)-SiC耐火材料试样,再分别经650、850、1050、1250℃保温5 h预氧化。研究预氧化对氮化后试样抗氧化性的影响。结果表明:1)在较低温度(≤850℃)下,Si_(3)N_(4)-SiC材料的抗氧化性优于SiAlON-SiC与Si_(2)N_(2)O-SiC材料的,在850~1250℃时,SiAlON-SiC材料的抗氧化性最好。2)3种氮化后试样中,经1250℃预氧化后SiAlON-SiC试样的显气孔率最低,为2.4%,抗氧化性最优,因为氧化后试样表面形成了氧化层,可以降低显气孔率从而提高抗氧化性。3)在焦炉换热器方面,850℃以下区域选择氮化硅结合碳化硅材料,850℃以上区域选择赛隆结合碳化硅材料;在焦炉脱硝管方面,选择赛隆结合碳化硅材料更为合适。 展开更多
关键词 焦炉 碳化硅 氮化烧结 抗氧化性
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电石炉取样条件下氮化硅陶瓷穿透器受力特性有限元模拟
6
作者 赵晴 潘江如 +2 位作者 毛昀 徐媛媛 郭鸿鑫 《硅酸盐通报》 CAS 北大核心 2024年第3期1078-1086,共9页
为研究高温情况下力学性能对氮化硅陶瓷穿透器形变量的影响,本文对电石取料现场所用穿透器使用SolidWorks软件进行建模,在Ansys软件的Workbench模块进行耦合和仿真模拟,分析氮化硅陶瓷穿透器在不同力学性能下的变形情况。结果表明,25℃... 为研究高温情况下力学性能对氮化硅陶瓷穿透器形变量的影响,本文对电石取料现场所用穿透器使用SolidWorks软件进行建模,在Ansys软件的Workbench模块进行耦合和仿真模拟,分析氮化硅陶瓷穿透器在不同力学性能下的变形情况。结果表明,25℃时氮化硅陶瓷穿透器最高形变量为3.12 mm,变化率为0.7%。随着温度升高,氮化硅陶瓷穿透器形变量呈降低趋势,1 800℃时最高形变量为2.95 mm,变化率为0.6%。数值模拟结果表明使用氮化硅陶瓷作为穿透器是可行的,可完成电石炉取料作业。 展开更多
关键词 氮化硅陶瓷 熔融态电石 力学性能 SolidWorks建模 嵌入式分析
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电子封装陶瓷基片材料的研究进展 被引量：42
7
作者 李婷婷 彭超群 +2 位作者 王日初 王小锋 刘兵 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1365-1374,共10页
总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,论述Al2O3、AlN、BeO、SiC和Si3N4陶瓷基片材料的特点及其研究现状,其中AlN陶瓷基片的综合性能最好。分析轧膜、流延和凝胶注模薄片陶瓷成型工艺的优缺点,其中水基凝胶注模成型工艺适用性较... 总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,论述Al2O3、AlN、BeO、SiC和Si3N4陶瓷基片材料的特点及其研究现状,其中AlN陶瓷基片的综合性能最好。分析轧膜、流延和凝胶注模薄片陶瓷成型工艺的优缺点,其中水基凝胶注模成型工艺适用性较强;指出陶瓷基片材料和薄片陶瓷成型工艺的发展趋势。 展开更多
关键词 电子封装材料 AL2O3陶瓷 ALN陶瓷 BeO陶瓷 SIC陶瓷 SI3N4陶瓷 流延成型 凝胶注模成型
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混杂填料填充导热硅橡胶性能研究 被引量：34
8
作者 周文英 齐暑华 +3 位作者 涂春潮 王彩凤 袁江龙 郭建 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第8期15-19,共5页
以甲基乙烯基硅橡胶为基胶,选用不同粒径氮化硅粒子和碳化硅晶须为填料制备了导热硅橡胶。研究表明:大小粒子以最佳比例进行混合填充时橡胶可获较高热导率,并采用Hasselman模型和等效粒径概念来研究混合粒子体系的热导率;将碳化硅晶须... 以甲基乙烯基硅橡胶为基胶,选用不同粒径氮化硅粒子和碳化硅晶须为填料制备了导热硅橡胶。研究表明:大小粒子以最佳比例进行混合填充时橡胶可获较高热导率,并采用Hasselman模型和等效粒径概念来研究混合粒子体系的热导率;将碳化硅晶须和氮化硅粒子并用,在较低用量下体系呈现较高热导率。此外,随混合填料用量增加橡胶热膨胀系数降低,热稳定性提高。 展开更多
关键词 硅橡胶 氮化硅 碳化硅晶须 热导率 热膨胀系数
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氮化物结合碳化硅耐火材料的研究现状 被引量：18
9
作者 乐红志 彭达岩 文洪杰 《耐火材料》 CAS 北大核心 2004年第6期435-438,共4页
分别概述了以氮化硅、赛隆和氧氮化硅作为结合相 的SiC材料的结构特点、理化性能、生产工艺和应用情况,详细 介绍了国内这3种材料的研究现状,并对今后氮化物结合SiC 材料的研究内容提出了自己的观点。
关键词 碳化硅耐火材料 氮化硅 氮化物 理化性能 赛隆 国内 应用情况 研究现状
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宽禁带功率半导体器件技术 被引量：23
10
作者 张波 邓小川 +1 位作者 陈万军 李肇基 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期618-623,共6页
碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。... 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表。与常规半导体硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,宽禁带半导体具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,是大功率、高温、高频、抗辐照应用场合下极为理想的半导体材料。该文总结了宽禁带SiC和GaN功率半导体器件研发的最新进展,包括各种功率二极管和功率晶体管。同时对宽禁带SiC和GaN功率半导体器件发展所面临的市场和技术挑战进行了分析与概述,并对其发展前景进行了展望。 展开更多
关键词 氮化镓 功率器件 碳化硅 宽禁带半导体
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碳热还原法制备氮化硅粉体的反应过程分析 被引量：20
11
作者 李虹 黄莉萍 蒋薪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期241-246,共6页
对以碳热还原法制备氮化硅粉体的ＳｉＯ２－Ｃ－Ｎ２系统进行化学反应热力学和动力学的分析，从而发现在氮气氛不足的条件下，这一系统的反应产物将由氮化硅变为碳化硅；在氮气充足的情况下，随着温度的升高，生成物中碳化硅的量也会逐... 对以碳热还原法制备氮化硅粉体的ＳｉＯ２－Ｃ－Ｎ２系统进行化学反应热力学和动力学的分析，从而发现在氮气氛不足的条件下，这一系统的反应产物将由氮化硅变为碳化硅；在氮气充足的情况下，随着温度的升高，生成物中碳化硅的量也会逐步增加．这一分析结果通过实验得到了验证． 展开更多
关键词 碳热还原 碳化硅 粉体 氮化硅陶瓷
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多孔氮化硅/碳化硅复合材料制备的反应机理分析 被引量：8
12
作者 张雯 王红洁 +1 位作者 金志浩 白玉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期1215-1221,共7页
为了探索碳热还原法制备多孔氮化硅/碳化硅(Si3N4/SiC)复合陶瓷材料在高温阶段的反应机理,采用固化的酚醛树脂为碳源,通过热解产生具有反应性的碳,使之在1300-1780℃等不同温度下与表面包裹的氮化硅粉反应,氩气为保护气氛.通过对试样的... 为了探索碳热还原法制备多孔氮化硅/碳化硅(Si3N4/SiC)复合陶瓷材料在高温阶段的反应机理,采用固化的酚醛树脂为碳源,通过热解产生具有反应性的碳,使之在1300-1780℃等不同温度下与表面包裹的氮化硅粉反应,氩气为保护气氛.通过对试样的XRD、TEM分析和显微结构观察,结合反应的热力学和动力学结果计算推测,树脂裂解碳与Si3N4反应生成SiC的机理主要为Si3N4分解生成Si(l)与C进一步发生的液-固反应,和Si(l)与反应过程中的中间产物CO(g)之间发生的液-气反应.其他还包括C与Si3N4间直接进行的固-固反应;C与Si3N4表面的SiO2间的气-固反应以及由SiO(g)、Si(g)参与的气-固反应.树脂裂解碳与Si3N4从1400℃左右开始发生反应形成SiC,温度升高对SiC层的生长有促进,保温时间的延长对SiC层的生长厚度影响较大. 展开更多
关键词 反应机理 多孔陶瓷 氮化硅 碳化硅
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氮化硅结合碳化硅窑具材料的研制 被引量：13
13
作者 王立军 高积强 +1 位作者 王永兰 金志浩 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期4-6,27,共4页
本文研究了最终氮化温度以及硅加入量对氮化硅反应结合碳化硅对材料性能的影响.通过X射线衍射仪对材料进行物相分析,发现反应温度对材料的机械性能起着重要的作用.若温度过低则反应不完全,而温度过高则生成大量β—Si_3N_4,导致强度降低... 本文研究了最终氮化温度以及硅加入量对氮化硅反应结合碳化硅对材料性能的影响.通过X射线衍射仪对材料进行物相分析,发现反应温度对材料的机械性能起着重要的作用.若温度过低则反应不完全,而温度过高则生成大量β—Si_3N_4,导致强度降低.实验结果还表明,随着硅加入量的增加。 展开更多
关键词 耐火材料 碳化硅 氮化硅 窑具
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氧氮化硅结合碳化硅窑具材料研究 被引量：9
14
作者 李柳生 陈冬梅 邱杰 《耐火材料》 CAS 北大核心 1999年第3期123-126,共4页
利用热力学分析了氧氮化硅结合相的生成机理。探讨了硅粉加入量对氧氮化硅生成量、材料的各项理化性能以及抗氧化性能的影响。结果表明：氧氮化硅的含量随Ｓｉ含量的增加而增加。
关键词 氧氮化硅 碳化硅 窑具 材料 耐火材料
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Si_3N_4/纳米SiC复相陶瓷的研究 被引量：13
15
作者 张伟儒 顾培芷 王长文 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 1998年第1期4-9,共6页
采用纳米ＳｉＣ粉体制备了Ｓｉ３Ｎ４／纳米ＳｉＣｐ复相陶瓷。研究了制备工艺、纳米ＳｉＣ含量对材料性能及显微结构的影响，并对材料显微结构特点与强韧化机制进行了分析讨论。结果表明：添加２０ｖｏｌ％＜１００ｎｍ的ＳｉＣ粉体时... 采用纳米ＳｉＣ粉体制备了Ｓｉ３Ｎ４／纳米ＳｉＣｐ复相陶瓷。研究了制备工艺、纳米ＳｉＣ含量对材料性能及显微结构的影响，并对材料显微结构特点与强韧化机制进行了分析讨论。结果表明：添加２０ｖｏｌ％＜１００ｎｍ的ＳｉＣ粉体时，复相陶瓷的室温抗弯强度达８５６ＭＰａ，当添加１０ｖｏｌ％上述ＳｉＣ粉体时，复相陶瓷的增韧效果最佳，断裂韧性达８．２７ＭＰａｍ１／２，比基体材料提高了２３％。 展开更多
关键词 氮化硅 碳化硅 陶瓷 复合陶瓷 纳米级
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氮化硅-氧氮化硅复合粉对Al2O3-SiC-C铁沟料性能的影响 被引量：7
16
作者 王玉龙 王玺堂 +3 位作者 王周福 刘浩 马妍 朱万政 《耐火材料》 CAS 北大核心 2019年第6期419-422,共4页
为了进一步提高Al 2O3-SiC-C出铁沟浇注料的性能并降低其生产成本,在其中加入质量分数分别为0、2%、4%、6%、8%的氮化硅-氧氮化硅复合粉等量替代其中的碳化硅粉,加水搅拌均匀后,检测料浆的流动性,再经浇注成型、养护、烘干、不同温度(80... 为了进一步提高Al 2O3-SiC-C出铁沟浇注料的性能并降低其生产成本,在其中加入质量分数分别为0、2%、4%、6%、8%的氮化硅-氧氮化硅复合粉等量替代其中的碳化硅粉,加水搅拌均匀后,检测料浆的流动性,再经浇注成型、养护、烘干、不同温度(800、1100和1450℃)热处理等程序制成浇注料试样,然后检测浇注料试样的线变化率、显气孔率、体积密度、常温抗折强度、热态抗折强度和抗渣性,并采用XRD分析浇注料试样的物相组成。结果表明:1、加入氮化硅-氧氮化硅复合粉后,Al 2O3-SiC-C出铁沟浇注料的初始流动值减小,烧后线变化率、显气孔率、体积密度、常温抗折强度和热态抗折强度变化不大,抗高炉渣侵蚀性提高。2、综合考虑,氮化硅-氧氮化硅复合粉的最佳加入量为4%(w)。 展开更多
关键词 Al2O3-SiC-C铁沟料 氮化硅 氧氮化硅 复合粉 流动性 高温使用性能
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氮化硅结合碳化硅耐火材料的氧化 被引量：9
17
作者 潘裕柏 江东亮 谭寿洪 《耐火材料》 CAS 北大核心 1994年第4期203-205,共3页
氮化硅结合碳化硅耐火材料高温氧化后，其抗折强度有所提高，但经扫描电镜观察，材料断面结构已发生了明显的变化。该材料长时间在氧化气氛中使用，可靠性将下降。
关键词 碳化硅 氧化 氮化硅 耐火材料
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高性能SiC—AlN复相陶瓷 被引量：9
18
作者 陈忠明 谭寿洪 江东亮 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第5期763-767,共5页
采用热压烧结工艺，通过合理的组成设计和烧结温度控制，制备出了高性能SiC-AlN复相陶瓷，在较佳条件下，复合材料的室温强度、断裂韧性、显微硬度分别高达1130MPa、6．2MPa-m1/2、28．6GPa．显微结构研究表明，随着AlN的加入，复合材... 采用热压烧结工艺，通过合理的组成设计和烧结温度控制，制备出了高性能SiC-AlN复相陶瓷，在较佳条件下，复合材料的室温强度、断裂韧性、显微硬度分别高达1130MPa、6．2MPa-m1/2、28．6GPa．显微结构研究表明，随着AlN的加入，复合材料的晶粒尺寸明显细化，并呈多层次效应，即由固溶体的形成所引起的一次晶粒细化和晶内亚晶界所引起的二次晶粒细化． 展开更多
关键词 固溶体 晶界 碳化硅陶瓷 氮化铝陶瓷 复合陶瓷
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B_4C加入量对Si_3N_4结合SiC材料抗氧化性的影响 被引量：14
19
作者 张志华 王文武 吴吉光 《耐火材料》 CAS 北大核心 2017年第1期28-31,共4页
为提高Si_3N_4结合SiC材料的高温抗氧化性,在黑碳化硅(粒度1.43~0.5和≤0.5 mm的颗粒料及粒度≤0.064 mm细粉)、硅粉(粒度≤0.043 mm)的基础配料中引入不同含量的B4C,以木质素磺酸钙为结合剂,经混练、成型、烘干后,在N2气氛下1 450℃保... 为提高Si_3N_4结合SiC材料的高温抗氧化性,在黑碳化硅(粒度1.43~0.5和≤0.5 mm的颗粒料及粒度≤0.064 mm细粉)、硅粉(粒度≤0.043 mm)的基础配料中引入不同含量的B4C,以木质素磺酸钙为结合剂,经混练、成型、烘干后,在N2气氛下1 450℃保温10 h热处理,制备了Si_3N_4结合SiC材料。研究了900℃水蒸气气氛下,B_4C加入量(质量分数分别为0.4%、0.8%、1.2%、1.6%)对Si_3N_4结合Si C材料抗氧化性的影响。结果表明:Si_3N_4结合SiC材料中加入B_4C后,材料的体积密度增大,显气孔率减小,质量变化率改变,体积变化率减小,材料的抗氧化性得到显著提高,最合适的B_4C加入量(w)为0.4%。 展开更多
关键词 SI3N4结合SIC B4C 抗氧化性、
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Fe-Si_3N_4-C体系中Fe元素的作用机理 被引量：4
20
作者 陈俊红 谢静 +2 位作者 孙加林 薛文东 李勇 《耐火材料》 CAS 北大核心 2009年第3期179-182,186,共5页
以闪速燃烧法合成的Fe-Si3N4粉、炭黑和Si3N4粉为原料,按Fe-Si3N4与C及Si3N4与C均为3.5:1的质量比配料,以酚醛树脂为结合剂混练后制成25mm×20mm的试样,经110℃24h干燥后分别在埋炭(石墨)条件下于1300、1450、1500、1550、1600℃... 以闪速燃烧法合成的Fe-Si3N4粉、炭黑和Si3N4粉为原料,按Fe-Si3N4与C及Si3N4与C均为3.5:1的质量比配料,以酚醛树脂为结合剂混练后制成25mm×20mm的试样,经110℃24h干燥后分别在埋炭(石墨)条件下于1300、1450、1500、1550、1600℃保温3h处理后快速水冷,然后将淬冷的试样烘干进行XRD、SEM、EDS检测分析。结果表明:Si3N4-C材料在1500℃时反应形成SiC,1600℃时仍有较多Si3N4存在;而Fe-Si3N4-C材料在1450℃时已形成大量SiC,且1500℃时Si3N4基本都转化为SiC,Fe的存在使其转化速度加快,转化温度降低;Fe-Si3N4中的Fe3Si在C存在条件下,通过形成Fe-Si-C熔体,Fe分解Si3N4并吸纳其中的Si而成为Fe-Si-C系高硅过渡中间相,继而与C反应生成SiC或在熔体中析出SiC晶体,实现Fe对Si3N4向SiC转化的促进作用。 展开更多
关键词 闪速燃烧 氮化硅铁 碳化硅 铁元素
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