底流口直径和锥角对旋流器流场的影响 被引量：9

1

作者 高淑玲 魏德洲 +1 位作者 韩聪 胡瑞彪 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期728-732,共5页

利用计算流体力学的原理与方法,在底流口直径和锥角的多个水平下对旋流器内部流场进行了数值模拟,以揭示两因素对旋流器流场的影响.结果表明:增大底流口直径,流场内的流速降低,轴向零速包络面向上收缩;增大锥角后,轴向零速包络面的大小... 利用计算流体力学的原理与方法,在底流口直径和锥角的多个水平下对旋流器内部流场进行了数值模拟,以揭示两因素对旋流器流场的影响.结果表明:增大底流口直径,流场内的流速降低,轴向零速包络面向上收缩;增大锥角后,轴向零速包络面的大小相应改变;锥角越小,底流口直径对轴向零速包络面内速度场的影响越小,故对改善分选效果的作用也越不明显;增大底流口直径,旋流器内流场的压强降低,但底流口区域内的压强梯度增大,而锥角不同,其变化程度有所不同,这从某些程度上体现了两因素对旋流器流场的交互影响. 展开更多

关键词 计算流体力学 数值模拟 底流口直径 锥角 旋流器 流场

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磁场应用在硅晶体生长过程中的研究进展 被引量：5

2

作者 张发云 罗玉峰 +3 位作者 李云明 王发辉 胡云 彭华厦 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第13期15-19,共5页

论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状。另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为... 论述了磁场技术应用于硅晶体生长中的基本概况,探讨了磁场影响硅晶体生长的机制,重点阐述了各种磁场的分类、基本原理及其在硅晶体生长的应用,并归纳总结了国内外磁场应用于硅晶体生长中的研究现状。另外,对硅晶体生长中杂质的分凝行为和数值模拟作了简要介绍,并展望了磁场应用于硅晶体生长的发展前景。 展开更多

关键词 多晶硅 磁场 杂质 分凝行为 数值模拟

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多晶硅铸锭炉热场结构的改进与模拟 被引量：7

3

作者 罗玉峰 宋华伟 +3 位作者 张发云 饶森林 彭华厦 王发辉 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2014年第13期64-68,共5页

在多晶硅铸锭炉内采用了凹坑坩埚和凹坑坩埚平台组合的改进结构,并结合COMSOL4.3a模拟软件对改进前后的热场做了对比分析。结果表明:与改进前相比,在改进后的热场结构中,硅熔体结晶界面趋于平坦,等温线更加均匀,熔体轴向温度梯度增加了... 在多晶硅铸锭炉内采用了凹坑坩埚和凹坑坩埚平台组合的改进结构,并结合COMSOL4.3a模拟软件对改进前后的热场做了对比分析。结果表明:与改进前相比,在改进后的热场结构中,硅熔体结晶界面趋于平坦,等温线更加均匀,熔体轴向温度梯度增加了大约2 K/cm,有利于柱状晶的生长;硅熔体对流强度增大,可以使溶质分布更加均匀;GL/VS变大、溶质边界层厚度减小,有利于阻碍结晶界面前沿发生组分过冷,进一步抑制结晶界面细晶的产生。 展开更多

关键词 多晶硅 凹坑坩埚 热场 数值模拟

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和田河气田奥陶系底水气藏水侵机理研究 被引量：14

4

作者 程开河 江同文 +4 位作者 王新裕 牟伟军 潘昭才 施英 王华 《天然气工业》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期108-110,共3页

塔里木盆地和田河气田奥陶系底水气藏为裂缝性碳酸盐岩气藏,地质研究表明,该气藏水侵的主要方式为水锥型。为了分析该气藏底水上升规律,给开发方案设计提供科学依据,决定利用单井剖面模型对水锥机理进行研究。在分析其主要地质特征的基... 塔里木盆地和田河气田奥陶系底水气藏为裂缝性碳酸盐岩气藏,地质研究表明,该气藏水侵的主要方式为水锥型。为了分析该气藏底水上升规律,给开发方案设计提供科学依据,决定利用单井剖面模型对水锥机理进行研究。在分析其主要地质特征的基础上建立了单井剖面模型,采用数值模拟技术研究不同水体大小、不同有效厚度、不同射开厚度、不同非渗透层、不同地层渗透率、不同生产压差以及水平井技术对底水锥进的影响。结果发现,水体大小等因素都对底水锥进产生不同程度的影响,水平井则可以把“底水锥进”演变为“底水推进”。通过机理研究基本搞清了气藏底水运动规律,得出了防止和控制底水上升的措施。据此,建议气藏开发时采用水平井技术,气井部署在储层有效厚度大、平面渗透率较高、垂向渗透率较低的区域,射孔时应有一定的避射厚度,生产时要注意控制生产压差。 展开更多

关键词 和田河气田 底水气藏 裂缝(地质) 碳酸盐岩 水锥 机理 数值模拟 开发 建议

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水压锥阀内流场的数值模拟 被引量：13

5

作者 唐兵 卢堃 +1 位作者 郝燕文 李桂花 《兰州理工大学学报》 CAS 北大核心 2007年第4期54-58,共5页

在大雷诺数下应用雷诺应力湍流模型和计算流体力学方法对锥阀的内部流场进行数值仿真计算,着重研究阀的结构参数、入口压力、出口压力、阀口开度等对锥阀流场的影响.研究结果表明:阀的结构参数对流场的分布和气穴的产生有较大的影响.同... 在大雷诺数下应用雷诺应力湍流模型和计算流体力学方法对锥阀的内部流场进行数值仿真计算,着重研究阀的结构参数、入口压力、出口压力、阀口开度等对锥阀流场的影响.研究结果表明:阀的结构参数对流场的分布和气穴的产生有较大的影响.同时随着阀口开度、入口压力的增加,低压区逐渐扩大,压力逐渐下降,产生气穴的区域也随着扩大;而随着出口压力的升高,低压区的压力也逐渐升高,产生气穴的区域也逐渐缩小,对气穴有一定的抑制作用. 展开更多

关键词 水压锥阀 数值模拟 流场分析 雷诺应力模型 气穴

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自动调流式滴头的内部流场数值模拟 被引量：3

6

作者 冯俊杰 刘杨 +3 位作者 蔡九茂 邓忠 李浩 黄修桥 《节水灌溉》 北大核心 2017年第9期88-93,共6页

根据自动调流式滴头的结构组成和工作原理,利用Auto CAD软件、计算流体动力学CFD技术的Fluent软件,建立由平角齿形消能流道和控制体形成滴头流量组合体的流体模型,并进行网格划分,分别以控制组合体的膜片开度0.5、1.0、1.5和2.0 mm为初... 根据自动调流式滴头的结构组成和工作原理,利用Auto CAD软件、计算流体动力学CFD技术的Fluent软件,建立由平角齿形消能流道和控制体形成滴头流量组合体的流体模型,并进行网格划分,分别以控制组合体的膜片开度0.5、1.0、1.5和2.0 mm为初始条件,以进口压力30、40和50 k Pa和壁面的粗糙高度、粗糙常数等为边界条件,采用SIMPLE算法的二阶迎风离散格式,对滴头的流量控制组合体进行水流运动通道内部流场的二维数值模拟,分析得出自动调流式滴头的平角齿形消能流道的速度矢量图、内部流场特征,在流道消能齿的单元处会产生独立的水流漩涡,容易引起灌溉水中杂质颗粒的累积、造成堵塞。为自动调流式滴头的结构优化改进、抗堵塞性和适宜工作压力取值范围提供了理论指导。 展开更多

关键词 滴头 流道 流量 自动调节 内流场 数值模拟

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锥直喷嘴淹没磨料射流场的数值模拟 被引量：5

7

作者 王常斌 沈艳霞 +2 位作者 刘照东 赵月 朱云伟 《大庆石油学院学报》 CAS 北大核心 2011年第1期51-54,117,共4页

利用计算流体力学(CFD)中的fluent软件对喷嘴淹没磨料射流进行数值模拟,研究锥直形喷嘴在不同射流靶距、不同磨料颗粒直径和颗粒浓度情况下液固两相射流场特性,给出水和磨料速度分布规律,考虑液固两相间的相互作用力.结果表明:液固两相... 利用计算流体力学(CFD)中的fluent软件对喷嘴淹没磨料射流进行数值模拟,研究锥直形喷嘴在不同射流靶距、不同磨料颗粒直径和颗粒浓度情况下液固两相射流场特性,给出水和磨料速度分布规律,考虑液固两相间的相互作用力.结果表明:液固两相速度在喷嘴收缩段迅速增加,水与磨料颗粒之间存在速度滑移;液固两相入口速度为170 m/s、射流靶距为30 mm、磨料颗粒直径为0.15 mm、颗粒浓度为70%时,射流效果比较理想. 展开更多

关键词 淹没磨料射流 锥直喷嘴 流场 靶距 颗粒直径 颗粒浓度 数值模拟

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加热器位置对多晶硅定向凝固热场的影响 被引量：2

8

作者 罗玉峰 刘杰 +2 位作者 张发云 胡云 宋华伟 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2016年第17期82-84,90,共4页

运用有限元软件COMSOL Multiphysics 4.3a对多晶硅定向凝固过程进行了全局瞬态模拟,在多晶硅铸锭炉顶部加热器与侧部加热器的垂直距离分别为60、150、300 mm时,分析了其对多晶硅熔化以及结晶初期的影响。结果表明:距离为60 mm时硅料熔... 运用有限元软件COMSOL Multiphysics 4.3a对多晶硅定向凝固过程进行了全局瞬态模拟,在多晶硅铸锭炉顶部加热器与侧部加热器的垂直距离分别为60、150、300 mm时,分析了其对多晶硅熔化以及结晶初期的影响。结果表明:距离为60 mm时硅料熔化所需时间最长,而距离为150、300 mm时硅料熔化时间与其相比分别少34、60 min;对于结晶初期的固液界面,距离为60 mm时固液界面接近于平面,有利于多晶硅晶体生长,而距离为150、300 mm时固液界面均呈现明显的凸形,并且后者比前者凸起的程度更大,会降低多晶硅锭的质量。 展开更多

关键词 多晶硅 热场 定向凝固 数值模拟

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水平井新型自动流入控制器的研发与流体敏感性分析 被引量：11

9

作者 李海涛 刘权 +2 位作者 王楠 张楠 崔小江 《中国海上油气》 CAS CSCD 北大核心 2019年第1期126-132,共7页

针对底水油藏水平井在生产过程中容易出现底水快速锥进,而传统ICD在底水突破后失效的问题,研发了一种在底水突破前能均衡产液剖面、底水突破后能限制水产出的新型AICD,该新型AICD利用Y型和T型三通管分流原理可实现油水流动方式的自动选... 针对底水油藏水平井在生产过程中容易出现底水快速锥进,而传统ICD在底水突破后失效的问题,研发了一种在底水突破前能均衡产液剖面、底水突破后能限制水产出的新型AICD,该新型AICD利用Y型和T型三通管分流原理可实现油水流动方式的自动选择。利用CFD数值模拟软件分析了新型AICD流场和流体敏感性,结果表明:水的过阀压降远大于油的过阀压降,原因是水在新型AICD中产生高速旋流,而油在新型AICD中不产生旋流;新型AICD对黏度、含水率和流量较为敏感,最佳适用的黏度范围为80～320mPa·s、流量范围为10～35m^3/d,过阀压降随含水率增加而增大。通过室内实验验证了新型AICD的控水性能,对比分析认为新型AICD更适用于产液量较高的底水油藏水平井。本文研究成果对延缓底水锥进、延长油井生产寿命、提高油田采收率具有重要意义。 展开更多

关键词 水平井 新型AICD 底水锥进 数值模拟 流场分析 敏感性分析

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密切弯曲激波乘波体技术的应用及有效性分析 被引量：2

10

作者 卫锋 贺旭照 +1 位作者 秦思 周正 《推进技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期277-285,共9页

将密切技术设计乘波体的应用推广至弯曲激波外锥流场中。针对不同激波形状(ICC)约束条件,在凸、凹激波曲外锥流场中,生成了四种构型的密切弯曲激波乘波体,采用数值模拟及理论分析的手段开展了密切弯曲激波乘波体技术应用的可行性验证及... 将密切技术设计乘波体的应用推广至弯曲激波外锥流场中。针对不同激波形状(ICC)约束条件,在凸、凹激波曲外锥流场中,生成了四种构型的密切弯曲激波乘波体,采用数值模拟及理论分析的手段开展了密切弯曲激波乘波体技术应用的可行性验证及有效性分析。研究结果表明:(1)基于密切凸、凹激波外锥流场的乘波体乘波压缩面、出口截面压力分布、激波形状(ICC曲线)均与设计吻合,最大偏差小于5%,说明密切凸、凹激波外锥流场的方法设计乘波体是可适用的;(2)利用宽高比为0.5的超椭圆方程作为ICC控制曲线生成的乘波体,流场压力的理论解与数值解偏差可控制在1.6%以内,而宽高比为2的超椭圆方程作为ICC控制曲线生成的乘波体,流场压力偏差可控制在4%以内。 展开更多

关键词 密切技术 外锥流场 弯曲激波 乘波体 数值模拟

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深锥型浓密机内部流场特性模拟 被引量：3

11

作者 王学涛 崔宝玉 +1 位作者 魏德洲 宋振国 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第3期418-423,共6页

应用雷诺应力湍流模型,在网格质量无关性验证基础上对有效容积为4 L的实验室深锥型浓密机内部单相流场特性进行了数值模拟研究,考察了给料流率对速度、剪切强度、湍流强度等特性分布的影响.研究结果表明:浓密机内部速度场基本沿主轴呈... 应用雷诺应力湍流模型,在网格质量无关性验证基础上对有效容积为4 L的实验室深锥型浓密机内部单相流场特性进行了数值模拟研究,考察了给料流率对速度、剪切强度、湍流强度等特性分布的影响.研究结果表明:浓密机内部速度场基本沿主轴呈对称式分布,并在轴向和径向方向上分别形成上、下分界循环流和交错流;给料流率每增加1.8 L/min,轴向速度大约增加0.02 m·s-1;给料井内部流体剪切强度高于其他外部区域,剪切强度与给料流率呈正相关性;给料井内部湍流强度峰值区域位于挡板内环边缘和给料井筒体变径处;1.8 L/min的给料流率有助于提高湍动能的耗散;给料流率对配置导流锥的给料井回流率影响较小. 展开更多

关键词 深锥型浓密机 流场特性 数值模拟 给料流率 剪切强度

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碳化硅超高温合成炉内气体流动特性研究 被引量：7

12

作者 陈杰 李阳 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期367-371,共5页

通过对碳热还原法合成SiC冶炼炉的复杂炉况进行数值模拟及实验,研究了单热源炉内气体流动的动态变化规律。研究表明,单热源炉内气体的流动呈现三维立体多向流规律,气体流动依次沿着:热源延伸方向、垂直热源延伸方向、环绕SiC结晶筒方向... 通过对碳热还原法合成SiC冶炼炉的复杂炉况进行数值模拟及实验,研究了单热源炉内气体流动的动态变化规律。研究表明,单热源炉内气体的流动呈现三维立体多向流规律,气体流动依次沿着:热源延伸方向、垂直热源延伸方向、环绕SiC结晶筒方向流动。根据气体流动特性,可以在环绕结晶筒气流出现的以外部分加入少量木屑,以增加气孔率,使得气体顺利向外部扩散,有利于炉内压力的释放;控制炉体长度,可以在一定程度上减少平行热源延伸方向气体流动的范围,从而缩小成品的气孔大小,提高SiC成品质量。 展开更多

关键词 超高温合成炉 碳化硅 流动特性 数值模拟

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高温电加热碳化硅合成过程的数值模拟 被引量：1

13

作者 李阳 陈杰 +2 位作者 张晴 刘永 王旭阳 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期238-244,共7页

建立电加热碳化硅合成炉的三维模型,利用FLUENT软件对合成炉内气体流动、传热、化学反应过程进行数值模拟,并分析了配合料孔隙率对碳化硅成品的影响。研究表明随着合成时间的延长,炉内热量呈辐射状向外扩散,气体呈现三维多向流动特性,... 建立电加热碳化硅合成炉的三维模型,利用FLUENT软件对合成炉内气体流动、传热、化学反应过程进行数值模拟,并分析了配合料孔隙率对碳化硅成品的影响。研究表明随着合成时间的延长,炉内热量呈辐射状向外扩散,气体呈现三维多向流动特性,反应进行到24 h时CO气体流量达到最大,随着反应配合料孔隙率的增加合成时间随之缩短,但由于升温过快使得热源周围部位碳化硅分解加剧且炉内压力明显增加。生产时可在炉底加入少许木屑增加透气性以降低炉内压力,同时控制配合料孔隙率在28%~33%之间从而保证成品质量的同时可以防止由于升温过快压力过高所造成的喷炉事故。 展开更多

关键词 碳化硅 数值模拟 温度场 速度场

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基于CFD的锥阀流场解析与结构改造 被引量：5

14

作者 王仲勋 郭永存 《机床与液压》 北大核心 2006年第6期167-168,共2页

针对现有锥阀的气蚀、能量损失大、噪声大等问题,对锥阀的结构进行了改进。应用COSMOS/F loW orks软件对锥形节流阀内部流场进行数值模拟。结果显示,改进过后锥阀的上述问题得到了较好的解决,为其它阀的优化设计提供了参考。

关键词 锥阀 流场 数值模拟 优化设计

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内锥旋流器的流场特性及颗粒分级性能分析 被引量：2

15

作者 应锐 蒋劲 +1 位作者 李燕辉 王玉成 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第4期95-103,共9页

內锥旋流器(ICH)是一种锥段结构倒置的新型旋流器,目前主要用于液-液的相分离。为了探索用ICH进行颗粒分级的可行性,通过雷诺应力湍流模型与Eulerian双流体模型耦合(RSM+TFM),构建ICH和常规旋流器的气-液-固三相流场,从流场压降、速度... 內锥旋流器(ICH)是一种锥段结构倒置的新型旋流器,目前主要用于液-液的相分离。为了探索用ICH进行颗粒分级的可行性,通过雷诺应力湍流模型与Eulerian双流体模型耦合(RSM+TFM),构建ICH和常规旋流器的气-液-固三相流场,从流场压降、速度分布、颗粒运动行为以及分离效率4个方面进行对比分析。模型有效性的验证结果显示:文中构建的CFD数值模型与相关的实验结果吻合度较高,对切向速度、轴向速度以及分离效率的预测可靠。研究结果表明:与常规旋流器相比,ICH的流场压降更低,有利于减少分离作业的能耗,但也导致其离心力场强度处于较低水平;另一方面,ICH对粗颗粒的分离效果较好,溢流输出的细化产物质量较高,而对细颗粒的回收能力较差,底流流失的细颗粒数量较多。 展开更多

关键词 內锥旋流器 流场特性 计算流体动力学 多相流 数值模拟 颗粒分级

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基于数值模拟的CZSi单晶收尾控制参数研究 被引量：1

16

作者 赵跃 刘丁 +1 位作者 陈德伟 王蕾 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期208-213,共6页

采用理论分析和有限元数值模拟相结合的方法研究了晶体收尾过程中的温度分布与热量传递。解释了"倒草帽"形收尾(收尾前段晶体直径猛然收缩)的成因,指出了改进收尾形状的方法,研究结果对于合理设定直拉硅单晶收尾工艺参数具有... 采用理论分析和有限元数值模拟相结合的方法研究了晶体收尾过程中的温度分布与热量传递。解释了"倒草帽"形收尾(收尾前段晶体直径猛然收缩)的成因,指出了改进收尾形状的方法,研究结果对于合理设定直拉硅单晶收尾工艺参数具有一定的参考意义。通过对比试验,仿真计算结果与单晶炉实验测试结果相吻合。 展开更多

关键词 直拉硅单晶 收尾 热场 有限元数值模拟

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轴向磁场下多晶硅定向凝固研究 被引量：1

17

作者 刘志辉 罗玉峰 +4 位作者 饶森林 胡云 张发云 龚洪勇 刘杰 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2018年第1期88-91,95,共5页

利用有限元软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行二维数值模拟,研究轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响。模拟结果显示,未加磁场时多晶硅固液界面的等温线是下凹的;当线圈中加以不同的电流进行磁场模拟时,发现轴向磁场能够有... 利用有限元软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行二维数值模拟,研究轴向磁场对多晶硅定向凝固的影响。模拟结果显示,未加磁场时多晶硅固液界面的等温线是下凹的;当线圈中加以不同的电流进行磁场模拟时,发现轴向磁场能够有效地抑制硅熔体对流,进而影响结晶时的固液界面。随着电流的增大,熔体最大流速减小,最大洛伦兹力也增大。通过试验验证,相同的工艺条件,在磁场作用下相比于没有磁场时硅锭的界面由下凹变得平滑。 展开更多

关键词 多晶硅 定向凝固 数值模拟 轴向磁场 熔体对流

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定向凝固法多晶硅杂质控制数值模拟概述 被引量：3

18

作者 苏文佳 牛文清 +2 位作者 齐小方 李琛 王军锋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期1795-1805,共11页

在传统能源日渐消耗及可再生能源开发利用日趋受到重视的形势下,太阳能光伏发电逐渐成为最具潜力的可再生能源技术之一。多晶硅凭借高效率、低成本的优势成为最主要的光伏材料,其铸锭的品质和成本将直接影响太阳能电池的成本和光电转换... 在传统能源日渐消耗及可再生能源开发利用日趋受到重视的形势下,太阳能光伏发电逐渐成为最具潜力的可再生能源技术之一。多晶硅凭借高效率、低成本的优势成为最主要的光伏材料,其铸锭的品质和成本将直接影响太阳能电池的成本和光电转换效率。定向凝固法是制备多晶硅铸锭的重要方法,该方法晶硅生长过程中存在很多问题,包括熔体流动、杂质传输、固液界面的形状和结构以及缺陷。定向凝固过程中引入的有害杂质严重影响晶硅的机械和电学性能,是限制多晶硅光电转换效率的关键因素。长晶过程中定向凝固炉处于高温环境中,内部的传热传质极其复杂,不具备单一的线性关系和可推断性,且难于进行实验测量,因而数值模拟是研究定向凝固过程中传热传质现象的重要方式。降低长晶过程中杂质的含量可从两方面入手:(1)杂质的来源——原材料本身所携带的杂质和长晶过程中生成的杂质;(2)杂质的输运——找到杂质在熔体和氩气中的输运规律,并利用该规律控制杂质的分凝与输运。近年来,从控制杂质产生和输运的角度考虑,国内外对降低多晶硅中有害杂质的研究主要采用以下手段:(1)控制杂质产生,包括减缓坩埚与挡板之间的化学反应、优化顶部坩埚盖板、增设碳化硅涂层等;(2)优化氩气流动,例如使用导流系统、调整炉膛压力和氩气流量;(3)优化熔体对流形式,包括控制熔体流动方式及分凝、调整加热器功率大小及其排布、采用可旋转坩埚和调整石墨碳毡位置等。为进一步降低定向凝固法多晶硅铸锭成本,坩埚尺寸和投料量不断增大,熔体对流、杂质输运和界面形状也更加难于控制,外加磁场则成为控制熔体对流的一种强有力工具,并能进一步控制杂质输运。目前利用外加磁场控制定向凝固法多晶硅杂质的研究仍刚刚起步,具有很大的研究价值,其中电磁场(EMF)和行波磁场(TMF)在控制搅拌熔体对流方面具有巨大潜力,逐渐被用于多晶硅长晶过程。本文在深入分析杂质来源和输运机理的基础上,综述了国内外对多晶硅定向凝固过程中有害杂质的产生、分布、输运以及排出等问题的研究现状,总结了数值模拟中氩气导流系统、加热器以及外加磁场等因素对杂质的影响。 展开更多

关键词 多晶硅铸锭 数值模拟优化 定向凝固法 杂质输运与控制 磁场

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狭长封闭声场的近似圆锥束跟踪法模拟研究 被引量：1

19

作者 曾向阳 陈克安 孙进才 《应用声学》 CSCD 北大核心 2003年第1期39-43,共5页

狭长空间声传播特性研究对于地铁、长廊等场所的音质设计是非常有意义的。本文提出了模拟狭长封闭声场的近似圆锥束跟踪法,利用它研究了矩形和非矩形狭长声场的空间分布特性。仿真结果表明:对于狭长声场,经典扩散场理论并不适用,而利用... 狭长空间声传播特性研究对于地铁、长廊等场所的音质设计是非常有意义的。本文提出了模拟狭长封闭声场的近似圆锥束跟踪法,利用它研究了矩形和非矩形狭长声场的空间分布特性。仿真结果表明:对于狭长声场,经典扩散场理论并不适用,而利用本文的数值模拟方法能正确地分析这类声场的特性。 展开更多

关键词 狭长封闭声场 近似圆锥束跟踪法 数值模拟 声传播 空间分布

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勾形磁场下多晶硅定向凝固模拟与分析 被引量：1

20

作者 罗玉峰 刘杰 +2 位作者 张发云 饶森林 胡云 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第1期110-114 127,127,共6页

利用基于有限元的软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行了一系列二维数值模拟,研究了勾形磁场(CMF)对多晶硅定向凝固过程的影响。模拟分别在线圈电流设为0 A、10 A、20 A、30 A和40 A的情况下进行。结果表明:CMF能有效抑制... 利用基于有限元的软件COMSOL Multiphysics对多晶硅定向凝固过程进行了一系列二维数值模拟,研究了勾形磁场(CMF)对多晶硅定向凝固过程的影响。模拟分别在线圈电流设为0 A、10 A、20 A、30 A和40 A的情况下进行。结果表明:CMF能有效抑制熔体的对流,特别是对坩埚侧壁附近的熔体。CMF可以影响结晶时的固液界面,使结晶初期凸形结晶界面变得平滑。电流从0 A逐渐均匀增加到40 A时,施加于熔体上的磁场也逐渐增加,熔体的最高流速逐渐减小,而且最高流速的减小量呈现出先增加后减小的趋势。 展开更多

关键词 定向凝固 磁场 熔体对流 数值模拟 多晶硅

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