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低温硅双极晶体管电流增益研究被引量：1: 1; 作者李彦波薄仕群《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期32-36,共5页; 着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应。导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。; 关键词硅双极晶体管电流倍增多晶硅发射极; 在线阅读下载PDF 职称材料

低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟被引量：1: 2; 作者黄流兴魏同立 +1 位作者郑茳曹俊诚《电子科学学刊》 CSCD 1994年第2期207-211,共5页; 本文考虑禁带变窄效应、载流子冻析效应和多晶硅/单晶硅界面复合与氧化层隧穿效应,采用有效复合速度方法,建立了多晶硅发射极晶体管电流增益的温度关系模型。模拟计算结果与实验符合较好。; 关键词双极晶体管发射极电流增益; 在线阅读下载PDF 职称材料

低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型: 3; 作者黄流兴魏同立郑茳《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第8期103-105,共3页; 本文综合考虑了多晶硅发射极的载流子输运障碍，界面氧化物遂穿、晶粒间界杂质分凝和界面能带弯曲等因素，以及禁带变窄效应、低温下的载流子冻析效应和浅能级补偿杂质陷阱效应，建立了低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析... 展开更多; 关键词双极晶体管多晶硅发射极电流增益截止频率低温; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	低温硅双极晶体管电流增益研究	李彦波薄仕群	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	1998	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	低温多晶硅发射极晶体管电流增益模型和模拟	黄流兴魏同立郑茳曹俊诚	《电子科学学刊》 CSCD	1994	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	低温多晶硅发射极晶体管电流增益和截止频率的解析模型	黄流兴魏同立郑茳	《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心	1995	0	在线阅读下载PDF 职称材料