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射频磁控溅射制备SiO_2膜
被引量：
2
1
作者
陈国平
张随新
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第5期310-316,共7页
利用石英靶射频磁控溅射制备SiO2膜的工艺，采用L型阻抗匹配网络，并计算得到了等离子体的等效电容及等效电导。指出射频功率密度是最重要的沉积参数，靶面自偏压及SiO2膜沉积速率均随功率密度的增加而线性增加。溅射气压及氧分压对自...
利用石英靶射频磁控溅射制备SiO2膜的工艺，采用L型阻抗匹配网络，并计算得到了等离子体的等效电容及等效电导。指出射频功率密度是最重要的沉积参数，靶面自偏压及SiO2膜沉积速率均随功率密度的增加而线性增加。溅射气压及氧分压对自偏压的影响较小，但两者的增加将导致SiO2沉积速率的降低。制备了可见光区透光性良好，折射率为1．46，沉积速率为35nm／min的SiO2膜。
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关键词
射频磁控溅射
阻抗匹配
二氧化硅膜
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职称材料
题名
射频磁控溅射制备SiO_2膜
被引量：
2
1
作者
陈国平
张随新
机构
东南大学薄膜研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
1995年第5期310-316,共7页
文摘
利用石英靶射频磁控溅射制备SiO2膜的工艺，采用L型阻抗匹配网络，并计算得到了等离子体的等效电容及等效电导。指出射频功率密度是最重要的沉积参数，靶面自偏压及SiO2膜沉积速率均随功率密度的增加而线性增加。溅射气压及氧分压对自偏压的影响较小，但两者的增加将导致SiO2沉积速率的降低。制备了可见光区透光性良好，折射率为1．46，沉积速率为35nm／min的SiO2膜。
关键词
射频磁控溅射
阻抗匹配
二氧化硅膜
Keywords
sio_2 thin fimls
,
rf magnetron sputtering
,
impedance matching
分类号
TN105.1 [电子电信—物理电子学]
TN305.92 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
射频磁控溅射制备SiO_2膜
陈国平
张随新
《真空科学与技术》
CSCD
1995
2
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