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肖特基势垒二极管SiO_2-Si_3N_4复合钝化膜研究
被引量：
1
1
作者
石霞
孙俊峰
顾晓春
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期344-348,共5页
对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO_2和LPCVD Si_3N_4膜的介电强度E、介电常数ε_r、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以...
对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO_2和LPCVD Si_3N_4膜的介电强度E、介电常数ε_r、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以及片内均匀性等性能。研究了PECVD SiO_2膜的增密技术。提出了一种应力小、漏电流小且抗辐照能力较好的PECVD SiO_2/LPCVD Si_3N_4复合介质膜钝化工艺方法和技术条件,提高了肖特基势垒二极管的性能。
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关键词
sio
2
-si
3
n
4复合介质膜
钝化技术
漏电流
应力
增密
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职称材料
SiO_2-Si_3N_4-SiO_2复合梁谐振式压力传感器结构设计与分析
2
作者
李新
薛阳
李春风
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015年第8期13-15,共3页
提出了一种采用SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构的谐振式压力传感器。采用有限元分析技术分别对谐振梁和传感器芯片结构进行了电热分析、模态分析以及谐响应分析,最后对SiO2-Si3N4-SiO2复合梁谐振式压力传感器的工艺进行了探讨,表明通过...
提出了一种采用SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构的谐振式压力传感器。采用有限元分析技术分别对谐振梁和传感器芯片结构进行了电热分析、模态分析以及谐响应分析,最后对SiO2-Si3N4-SiO2复合梁谐振式压力传感器的工艺进行了探讨,表明通过多晶硅牺牲层技术能更好地得到Si O2-Si3N4-Si O2复合谐振梁,具有良好的选频特性。
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关键词
有限元
sio
2
-si
3
n
4
-
sio
2
复合梁
压力传感器
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职称材料
铝合金表面三嗪二硫醇和硅烷纳米复合薄膜的制备及表征
被引量：
5
3
作者
王芳
王茜
+1 位作者
王亚斌
刘俊俊
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期432-435,共4页
通过电化学方法,在铝合金表面制备6-N,N-二丁基胺-1,3,5-三嗪-2,4-二硫醇单盐(DBN)的纳米聚合薄膜(PDB),然后采用自组装技术对铝合金表面PDB膜进行十六烷基三甲氧基硅烷化处理,形成疏水性的高分子纳米复合薄膜(CPDB)。通过循环伏安法解...
通过电化学方法,在铝合金表面制备6-N,N-二丁基胺-1,3,5-三嗪-2,4-二硫醇单盐(DBN)的纳米聚合薄膜(PDB),然后采用自组装技术对铝合金表面PDB膜进行十六烷基三甲氧基硅烷化处理,形成疏水性的高分子纳米复合薄膜(CPDB)。通过循环伏安法解释了DBN在铝合金表面的反应及PDB的生长过程,同时分析了CPDB膜的形成机理。借助傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、接触角测量仪对铝合金表面薄膜的特性进行了表征。结果表明,PDB膜形成后铝合金表面的接触角从未镀膜的89.9°上升到124.3°,CPDB膜形成后接触角达135.8°;SEM和XPS测定表明该方法可以有效地在铝合金表面获得均匀致密的高分子纳米复合薄膜。
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关键词
铝合金
6-
n
n
-二丁基胺-1
3
5-三嗪-
2
4
-二硫醇单盐
电化学聚合
硅烷化处理
纳米复合薄膜
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职称材料
题名
肖特基势垒二极管SiO_2-Si_3N_4复合钝化膜研究
被引量：
1
1
作者
石霞
孙俊峰
顾晓春
机构
南京电子器件研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期344-348,共5页
文摘
对Si肖特基势垒二极管的钝化技术进行了研究。研究了不同淀积温度、气体流量、射频功率以及气体压力等工艺技术条件下,淀积PECVD SiO_2和LPCVD Si_3N_4膜的介电强度E、介电常数ε_r、耐压V、针孔密度、漏电流I、内应力σ、片间均匀性以及片内均匀性等性能。研究了PECVD SiO_2膜的增密技术。提出了一种应力小、漏电流小且抗辐照能力较好的PECVD SiO_2/LPCVD Si_3N_4复合介质膜钝化工艺方法和技术条件,提高了肖特基势垒二极管的性能。
关键词
sio
2
-si
3
n
4复合介质膜
钝化技术
漏电流
应力
增密
Keywords
sio2-si3n4 composite films
passivatio
n
tech
n
ique
curre
n
t leakage
stress
de
n
sity i
n
crease
分类号
TN31 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
SiO_2-Si_3N_4-SiO_2复合梁谐振式压力传感器结构设计与分析
2
作者
李新
薛阳
李春风
机构
沈阳工业大学
沈阳通美电器有限公司
出处
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015年第8期13-15,共3页
基金
辽宁省自然基金资助项目(20102162)
文摘
提出了一种采用SiO2-Si3N4-SiO2复合谐振梁结构的谐振式压力传感器。采用有限元分析技术分别对谐振梁和传感器芯片结构进行了电热分析、模态分析以及谐响应分析,最后对SiO2-Si3N4-SiO2复合梁谐振式压力传感器的工艺进行了探讨,表明通过多晶硅牺牲层技术能更好地得到Si O2-Si3N4-Si O2复合谐振梁,具有良好的选频特性。
关键词
有限元
sio
2
-si
3
n
4
-
sio
2
复合梁
压力传感器
Keywords
fi
n
ite eleme
n
t
sio
2
-si
3
n
4-
sio
2
composite
beam
pressure se
n
sor
分类号
TP212 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
铝合金表面三嗪二硫醇和硅烷纳米复合薄膜的制备及表征
被引量：
5
3
作者
王芳
王茜
王亚斌
刘俊俊
机构
西北农林科技大学理学院
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第3期432-435,共4页
基金
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(K314020902)
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(A111020906)
文摘
通过电化学方法,在铝合金表面制备6-N,N-二丁基胺-1,3,5-三嗪-2,4-二硫醇单盐(DBN)的纳米聚合薄膜(PDB),然后采用自组装技术对铝合金表面PDB膜进行十六烷基三甲氧基硅烷化处理,形成疏水性的高分子纳米复合薄膜(CPDB)。通过循环伏安法解释了DBN在铝合金表面的反应及PDB的生长过程,同时分析了CPDB膜的形成机理。借助傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、X射线光电子能谱仪(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)、接触角测量仪对铝合金表面薄膜的特性进行了表征。结果表明,PDB膜形成后铝合金表面的接触角从未镀膜的89.9°上升到124.3°,CPDB膜形成后接触角达135.8°;SEM和XPS测定表明该方法可以有效地在铝合金表面获得均匀致密的高分子纳米复合薄膜。
关键词
铝合金
6-
n
n
-二丁基胺-1
3
5-三嗪-
2
4
-二硫醇单盐
电化学聚合
硅烷化处理
纳米复合薄膜
Keywords
alumi
n
um alloy
6-
n
n
-dibutylami
n
o-1
3
5-triazi
n
e-
2
4
-dithiol mo
n
osodium
electrochemical polymerizatio
n
sila
n
izatio
n
treatme
n
t
composite
n
a
n
o-
film
分类号
TB333 [一般工业技术—材料科学与工程]
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
肖特基势垒二极管SiO_2-Si_3N_4复合钝化膜研究
石霞
孙俊峰
顾晓春
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
在线阅读
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职称材料
2
SiO_2-Si_3N_4-SiO_2复合梁谐振式压力传感器结构设计与分析
李新
薛阳
李春风
《仪表技术与传感器》
CSCD
北大核心
2015
0
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
铝合金表面三嗪二硫醇和硅烷纳米复合薄膜的制备及表征
王芳
王茜
王亚斌
刘俊俊
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
5
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
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