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表面SiO_2改性高选择性MOS氢气传感器
被引量：
3
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作者
何泽
张覃轶
薛妞子
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第7期1005-1011,共7页
以十甲基环五硅氧烷(D5)为硅源,采用化学气相沉积法(CVD)在SnO_2气体传感器表面沉积SiO_2膜作为改性层,研究了CVD处理过程中温度和处理时间对传感器的选择性和灵敏性影响。通过对乙醇、丙酮、苯和氢气的气敏性能测试,得出在500℃下CVD处...
以十甲基环五硅氧烷(D5)为硅源,采用化学气相沉积法(CVD)在SnO_2气体传感器表面沉积SiO_2膜作为改性层,研究了CVD处理过程中温度和处理时间对传感器的选择性和灵敏性影响。通过对乙醇、丙酮、苯和氢气的气敏性能测试,得出在500℃下CVD处理8 h后的SnO_2传感器对氢气具有最好的选择性和灵敏性。同时讨论了Si O2改性层提高SnO_2传感器选择性和灵敏性的机理。
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关键词
气体传感器
sio2改性层
氢气
选择性
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职称材料
题名
表面SiO_2改性高选择性MOS氢气传感器
被引量：
3
1
作者
何泽
张覃轶
薛妞子
机构
武汉理工大学材料科学与工程学院
出处
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第7期1005-1011,共7页
基金
教育部留学回国人员科研启动基金项目(2015j0004)
文摘
以十甲基环五硅氧烷(D5)为硅源,采用化学气相沉积法(CVD)在SnO_2气体传感器表面沉积SiO_2膜作为改性层,研究了CVD处理过程中温度和处理时间对传感器的选择性和灵敏性影响。通过对乙醇、丙酮、苯和氢气的气敏性能测试,得出在500℃下CVD处理8 h后的SnO_2传感器对氢气具有最好的选择性和灵敏性。同时讨论了Si O2改性层提高SnO_2传感器选择性和灵敏性的机理。
关键词
气体传感器
sio2改性层
氢气
选择性
Keywords
gas sensor
sio
2
modified layer
hydrogen
selectivity
分类号
TP212.6 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
表面SiO_2改性高选择性MOS氢气传感器
何泽
张覃轶
薛妞子
《传感技术学报》
CAS
CSCD
北大核心
2018
3
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