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声表面波器件用SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构制备
被引量：
1
1
作者
陈良贤
刘金龙
+4 位作者
闫雄伯
邵明阳
安康
魏俊俊
李成明
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2019年第2期1-7,共7页
为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO_2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄...
为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO_2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄膜的沉积速率不断加快,薄膜的表面粗糙度不断增大;ZnO薄膜中的原子摩尔分数比随O_2输入量的减少而逐渐接近理想的1∶1。不同氩氧比下制备的ZnO薄膜均呈(002)面择优取向生长,其中在氩氧比7∶1时,获得了具有细小柱状晶特征、C轴择优取向程度较高的ZnO薄膜。采用最优的ZnO和SiO_2薄膜沉积工艺,在金刚石/Si衬底获得了具有清晰界面的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构。
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关键词
金刚石膜
磁控溅射
sio
2
/zno
/金刚石/硅多层结构
声表面波器件
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职称材料
1.1 GHz声表面波滤波器的设计和制作
被引量：
2
2
作者
任天令
杨磊
刘理天
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2002年第2期85-88,共4页
随着第三代通信技术的发展 ,可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注。基于 Zn O/ Si O2 / Si结构设计、制作了声表面波 (SAW)射频 (RF)滤波器 ,其工艺与普通的 IC工艺兼容 ,具有与其他电路集成在一块芯片上的可能。测试结果显示滤...
随着第三代通信技术的发展 ,可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注。基于 Zn O/ Si O2 / Si结构设计、制作了声表面波 (SAW)射频 (RF)滤波器 ,其工艺与普通的 IC工艺兼容 ,具有与其他电路集成在一块芯片上的可能。测试结果显示滤波器的中心频率可达 1.12 GHz,带宽达 10 % ,插损为 11d
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关键词
zno/
sio
2
/si
结构
声表面波滤波器
电路设计
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职称材料
题名
声表面波器件用SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构制备
被引量：
1
1
作者
陈良贤
刘金龙
闫雄伯
邵明阳
安康
魏俊俊
李成明
机构
北京科技大学新材料技术研究院
出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2019年第2期1-7,共7页
基金
国家重点研发计划(No.2018YFB0406501)
文摘
为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO_2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄膜的沉积速率不断加快,薄膜的表面粗糙度不断增大;ZnO薄膜中的原子摩尔分数比随O_2输入量的减少而逐渐接近理想的1∶1。不同氩氧比下制备的ZnO薄膜均呈(002)面择优取向生长,其中在氩氧比7∶1时,获得了具有细小柱状晶特征、C轴择优取向程度较高的ZnO薄膜。采用最优的ZnO和SiO_2薄膜沉积工艺,在金刚石/Si衬底获得了具有清晰界面的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构。
关键词
金刚石膜
磁控溅射
sio
2
/zno
/金刚石/硅多层结构
声表面波器件
Keywords
diamond
film
magnetron sputtering
sio2/zno/diamond/si multilayer structure
surface acoustic wave device
分类号
TQ164 [化学工程—高温制品工业]
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职称材料
题名
1.1 GHz声表面波滤波器的设计和制作
被引量：
2
2
作者
任天令
杨磊
刘理天
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2002年第2期85-88,共4页
基金
国家"九七三"资助项目(G19990 3 3 10 5 )
清华大学"九八五"基金资助项目
文摘
随着第三代通信技术的发展 ,可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注。基于 Zn O/ Si O2 / Si结构设计、制作了声表面波 (SAW)射频 (RF)滤波器 ,其工艺与普通的 IC工艺兼容 ,具有与其他电路集成在一块芯片上的可能。测试结果显示滤波器的中心频率可达 1.12 GHz,带宽达 10 % ,插损为 11d
关键词
zno/
sio
2
/si
结构
声表面波滤波器
电路设计
Keywords
RF
zno/
sio
2
/si
structure
SAW filter
central frequency
insert loss
分类号
TN65 [电子电信—电路与系统]
TN713 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
声表面波器件用SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构制备
陈良贤
刘金龙
闫雄伯
邵明阳
安康
魏俊俊
李成明
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
1.1 GHz声表面波滤波器的设计和制作
任天令
杨磊
刘理天
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2002
2
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职称材料
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