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声表面波器件用SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构制备 被引量:1
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作者 陈良贤 刘金龙 +4 位作者 闫雄伯 邵明阳 安康 魏俊俊 李成明 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2019年第2期1-7,共7页
为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO_2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄... 为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO_2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄膜的沉积速率不断加快,薄膜的表面粗糙度不断增大;ZnO薄膜中的原子摩尔分数比随O_2输入量的减少而逐渐接近理想的1∶1。不同氩氧比下制备的ZnO薄膜均呈(002)面择优取向生长,其中在氩氧比7∶1时,获得了具有细小柱状晶特征、C轴择优取向程度较高的ZnO薄膜。采用最优的ZnO和SiO_2薄膜沉积工艺,在金刚石/Si衬底获得了具有清晰界面的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构。 展开更多
关键词 金刚石膜 磁控溅射 sio2/zno/金刚石/硅多层结构 声表面波器件
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1.1 GHz声表面波滤波器的设计和制作 被引量:2
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作者 任天令 杨磊 刘理天 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2002年第2期85-88,共4页
随着第三代通信技术的发展 ,可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注。基于 Zn O/ Si O2 / Si结构设计、制作了声表面波 (SAW)射频 (RF)滤波器 ,其工艺与普通的 IC工艺兼容 ,具有与其他电路集成在一块芯片上的可能。测试结果显示滤... 随着第三代通信技术的发展 ,可与硅片集成的滤波器受到了越来越多的关注。基于 Zn O/ Si O2 / Si结构设计、制作了声表面波 (SAW)射频 (RF)滤波器 ,其工艺与普通的 IC工艺兼容 ,具有与其他电路集成在一块芯片上的可能。测试结果显示滤波器的中心频率可达 1.12 GHz,带宽达 10 % ,插损为 11d 展开更多
关键词 zno/sio2/si结构 声表面波滤波器 电路设计
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