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声表面波器件用SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构制备被引量：1: 1; 作者陈良贤刘金龙 +4 位作者闫雄伯邵明阳安康魏俊俊李成明《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2019年第2期1-7,共7页; 为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO_2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄... 展开更多; 关键词金刚石膜磁控溅射 sio2/zno/金刚石/硅多层结构声表面波器件; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化硅铁结合SiC复合材料的氧化行为被引量：7: 2; 作者张勇彭达岩 +1 位作者文洪杰冯涤《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2005年第2期94-97,共4页; 以工业SiC和硅铁粉为原料,二者的配料组成(质量分数)分别为90%和10%,外加2%的黄糊精为暂时结合剂,采用半干法机压成型后在氮化炉中于1380℃5 h氮化烧成制备出氮化硅铁结合SiC复合材料,在变温(常温～1400℃)氧化试验的基础上,分别在1100... 展开更多; 关键词复合材料氮化硅铁 SiC 氧化行为氧化试验抛物线规律质量分数配料组成机压成型显微结构氧化规律质量变化单位面积二次曲线表面生成 sio2 一步氧化试样硅铁粉结合剂氮化炉半干法相成分氧化层气孔烧成; 在线阅读下载PDF 职称材料

新疆理化所硅基光电探测研究取得进展: 3; 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2547-2547,共1页; 实现高效光电探测一直是微电子领域和材料领域研究的热点。硅基探测是众多光电探测器中最实用化的一种方法，而构筑于硅基底上的纳米材料光电探测器研究是目前科研人员高度关注的课题。多数的构筑于硅基底上的纳米结构采用的硅基底为表... 展开更多; 关键词光电探测器硅基底新疆纳米材料纳米结构微电子领域 sio2层科研人员; 在线阅读下载PDF 职称材料

新疆理化所硅基光电探测研究取得进展: 4; 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2448-2448,共1页; 实现高效光电探测一直是微电子领域和材料领域研究的热点。硅基探测是众多光电探测器中最实用化的一种方法，而构筑于硅基底上的纳米材料光电探测器研究是目前科研人员高度关注的课题。多数的构筑于硅基底上的纳米结构采用的硅基底为表... 展开更多; 关键词光电探测器硅基底新疆纳米材料纳米结构微电子领域 sio2层科研人员; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名声表面波器件用SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构制备被引量：1: 1; 作者陈良贤刘金龙闫雄伯邵明阳安康魏俊俊李成明; 机构北京科技大学新材料技术研究院; 出处《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2019年第2期1-7,共7页; 基金国家重点研发计划(No.2018YFB0406501); 文摘为获得高频、高性能金刚石声表面波器件的多层结构,在金刚石/Si衬底使用磁控溅射方法优化ZnO与SiO_2薄膜沉积工艺参数,制备了具有正负温度系数组合的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构,并对多层结构进行表征。结果表明:随着氩氧比增加,ZnO薄膜的沉积速率不断加快,薄膜的表面粗糙度不断增大;ZnO薄膜中的原子摩尔分数比随O_2输入量的减少而逐渐接近理想的1∶1。不同氩氧比下制备的ZnO薄膜均呈(002)面择优取向生长,其中在氩氧比7∶1时,获得了具有细小柱状晶特征、C轴择优取向程度较高的ZnO薄膜。采用最优的ZnO和SiO_2薄膜沉积工艺,在金刚石/Si衬底获得了具有清晰界面的SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构。; 关键词金刚石膜磁控溅射 sio2/zno/金刚石/硅多层结构声表面波器件; Keywords diamond film magnetron sputtering sio2/zno/diamond/Si multilayer structure surface acoustic wave device; 分类号 TQ164 [化学工程—高温制品工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化硅铁结合SiC复合材料的氧化行为被引量：7: 2; 作者张勇彭达岩文洪杰冯涤; 机构钢铁研究总院高温材料研究所; 出处《耐火材料》 EI CAS 北大核心 2005年第2期94-97,共4页; 文摘以工业SiC和硅铁粉为原料,二者的配料组成(质量分数)分别为90%和10%,外加2%的黄糊精为暂时结合剂,采用半干法机压成型后在氮化炉中于1380℃5 h氮化烧成制备出氮化硅铁结合SiC复合材料,在变温(常温～1400℃)氧化试验的基础上,分别在1100℃、1200℃和1300℃进行了等温氧化试验,并且分析了1300℃3 h氧化后试样的显微结构和相成分.结果表明,氮化硅铁结合SiC复合材料在1100～1300℃范围内的氧化规律为:氧化初期,试样单位面积的质量变化符合直线规律;氧化中期,近似符合二次曲线;氧化后期,符合抛物线规律.与气孔较多的内部相比,1300℃3 h氧化后试样的表面生成了一层较致密的氧化层,检测后认为,表面含有较多的SiO2,在高温下弥合了表面气孔,阻止了试样的进一步氧化.; 关键词复合材料氮化硅铁 SiC 氧化行为氧化试验抛物线规律质量分数配料组成机压成型显微结构氧化规律质量变化单位面积二次曲线表面生成 sio2 一步氧化试样硅铁粉结合剂氮化炉半干法相成分氧化层气孔烧成; Keywords Ferro-Si_3N_4,Silicon carbide,Composite ceramic,Oxidation; 分类号 TQ175.4 [化学工程—硅酸盐工业] TB33 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新疆理化所硅基光电探测研究取得进展: 3; 机构中国科学院新疆理化技术研究所; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2547-2547,共1页; 文摘实现高效光电探测一直是微电子领域和材料领域研究的热点。硅基探测是众多光电探测器中最实用化的一种方法，而构筑于硅基底上的纳米材料光电探测器研究是目前科研人员高度关注的课题。多数的构筑于硅基底上的纳米结构采用的硅基底为表面热氧化的硅片，一般氧化层（SiO2层）结晶性好、漏电流小、避免影响目标纳米结构本身的光电信号。然而，目前该方面的研究却忽略了硅本身作为一种很好的吸光半导体和光电转换的优势。; 关键词光电探测器硅基底新疆纳米材料纳米结构微电子领域 sio2层科研人员; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名新疆理化所硅基光电探测研究取得进展: 4; 机构新疆理化技术研究所; 出处《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2013年第12期2448-2448,共1页; 文摘实现高效光电探测一直是微电子领域和材料领域研究的热点。硅基探测是众多光电探测器中最实用化的一种方法，而构筑于硅基底上的纳米材料光电探测器研究是目前科研人员高度关注的课题。多数的构筑于硅基底上的纳米结构采用的硅基底为表面热氧化的硅片，一般氧化层（SiO2层）结晶性好、漏电流小、避免影响目标纳米结构本身的光电信号。然而，目前该方面的研究却忽略了硅本身作为一种很好的吸光半导体和光电转换的优势。; 关键词光电探测器硅基底新疆纳米材料纳米结构微电子领域 sio2层科研人员; 分类号 TN215 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	声表面波器件用SiO_2/ZnO/金刚石/Si多层结构制备	陈良贤刘金龙闫雄伯邵明阳安康魏俊俊李成明	《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	氮化硅铁结合SiC复合材料的氧化行为	张勇彭达岩文洪杰冯涤	《耐火材料》 EI CAS 北大核心	2005	7	在线阅读下载PDF 职称材料
3	新疆理化所硅基光电探测研究取得进展		《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	新疆理化所硅基光电探测研究取得进展		《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料