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脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜
1
作者
王新昌
叶志镇
+1 位作者
曹亮亮
赵炳辉
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期134-137,145,共5页
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原...
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。
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关键词
LiTaO3薄膜
sio2/si衬底
C轴取向
脉冲激光沉积
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职称材料
题名
脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜
1
作者
王新昌
叶志镇
曹亮亮
赵炳辉
机构
郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期134-137,145,共5页
基金
国家自然科学基金重大研究规划项目资助(No.90101009)
文摘
本文利用脉冲激光沉积法,系统研究了衬底温度和氧压对硅基LiTaO3薄膜质量及c轴取向性的影响,结果表明衬底温度和氧压对LiTaO3薄膜的c轴取向性及结晶质量有很大的影响,在650℃、30Pa时可以生长出高c轴取向LiTaO3薄膜。采用扫描电镜和原子力显微镜对最佳条件下制得薄膜的表面形貌进行了分析,发现薄膜表面光滑,晶粒尺寸均匀致密,薄膜表面粗糙度约为3.6nm。
关键词
LiTaO3薄膜
sio2/si衬底
C轴取向
脉冲激光沉积
Keywords
LiTaO3 thin film
sio
2
/si
substrate
c-axis orientation
pulsed laser depo
si
tion
分类号
O484 [理学—固体物理]
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题名
作者
出处
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1
脉冲激光沉积法在SiO_2/Si衬底上生长c轴取向LiTaO_3薄膜
王新昌
叶志镇
曹亮亮
赵炳辉
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
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