期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
D波段功率放大器设计
被引量：
3
1
作者
刘杰
张健
+2 位作者
蒋均
田遥岭
邓贤进
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期88-91,共4页
基于0.13μmSiGe BiCMOS工艺,研究和设计了一种D波段功率放大器芯片.该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成.功率放大器单元采用了三级的cascode电路结构.低损耗的片上T型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能,又能...
基于0.13μmSiGe BiCMOS工艺,研究和设计了一种D波段功率放大器芯片.该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成.功率放大器单元采用了三级的cascode电路结构.低损耗的片上T型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能,又能对输入输出进行阻抗匹配.对电路结构进行了设计、流片验证和测试.采用微组装工艺将该芯片封装成为波导模块.小信号测试结果表明：该功放芯片工作频率为125-150GHz,最高增益在131GHz为21dB,最低增益在150GHz为17dB,通带内S22小于-7dB,S11小于-10dB.大信号测试结果表明：该功放模块在128-146GHz带内输出功率都大于13dBm,在139GHz时,具有最高输出功率为13.6dBm,且1dB压缩功率为12.9dBm.
展开更多
关键词
D波段
功率放大器
太赫兹集成电路
sigebicmos
CASCODE
在线阅读
下载PDF
职称材料
3.43 GHz SiGe BiCMOS功率放大器设计
被引量：
1
2
作者
周建冲
李智群
+1 位作者
范海娟
王志功
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第S2期16-19,共4页
采用AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了用于卫星通信用的3.33-3.53 GHz功率放大器.该功率放大器采用单端结构,工作于A类.在3.3 V电源电压下,功率放大器的功率增益为22.3 dB,输出1 dB压缩点为31.9 dBm,相应的功率附加效率为25.2%.仿真...
采用AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了用于卫星通信用的3.33-3.53 GHz功率放大器.该功率放大器采用单端结构,工作于A类.在3.3 V电源电压下,功率放大器的功率增益为22.3 dB,输出1 dB压缩点为31.9 dBm,相应的功率附加效率为25.2%.仿真结果表明,该功率放大器具有良好的输入、输出匹配,工作稳定.
展开更多
关键词
sigebicmos
射频功率放大器
设计
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
D波段功率放大器设计
被引量：
3
1
作者
刘杰
张健
蒋均
田遥岭
邓贤进
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所微系统与太赫兹中心
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期88-91,共4页
基金
国家重点基础研究发展计划项目(2015CB755406)
文摘
基于0.13μmSiGe BiCMOS工艺,研究和设计了一种D波段功率放大器芯片.该放大器芯片用了四个功率放大器单元和两个T型结网络构成.功率放大器单元采用了三级的cascode电路结构.低损耗的片上T型结网络既能起到片上功率合成/分配的功能,又能对输入输出进行阻抗匹配.对电路结构进行了设计、流片验证和测试.采用微组装工艺将该芯片封装成为波导模块.小信号测试结果表明：该功放芯片工作频率为125-150GHz,最高增益在131GHz为21dB,最低增益在150GHz为17dB,通带内S22小于-7dB,S11小于-10dB.大信号测试结果表明：该功放模块在128-146GHz带内输出功率都大于13dBm,在139GHz时,具有最高输出功率为13.6dBm,且1dB压缩功率为12.9dBm.
关键词
D波段
功率放大器
太赫兹集成电路
sigebicmos
CASCODE
Keywords
D-band
power amplifier
terahertz monolithic integrated circuit
SiGe BiCMOS
cascode
分类号
TN78 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
3.43 GHz SiGe BiCMOS功率放大器设计
被引量：
1
2
作者
周建冲
李智群
范海娟
王志功
机构
东南大学射频与光电集成电路研究所
出处
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第S2期16-19,共4页
基金
东南大学射光所与雷克微波有限公司联合实验室资助项目
文摘
采用AMS 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,设计了用于卫星通信用的3.33-3.53 GHz功率放大器.该功率放大器采用单端结构,工作于A类.在3.3 V电源电压下,功率放大器的功率增益为22.3 dB,输出1 dB压缩点为31.9 dBm,相应的功率附加效率为25.2%.仿真结果表明,该功率放大器具有良好的输入、输出匹配,工作稳定.
关键词
sigebicmos
射频功率放大器
设计
Keywords
silicon-germanium bipolar complementary mental oxide semiconductor(SiGe BiCMOS)
radio frequency power amplifier
design
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
D波段功率放大器设计
刘杰
张健
蒋均
田遥岭
邓贤进
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
3
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
3.43 GHz SiGe BiCMOS功率放大器设计
周建冲
李智群
范海娟
王志功
《上海交通大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
