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f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管
被引量：
1
1
作者
邹德恕
陈建新
+5 位作者
高国
沈光地
杜金玉
王东凤
张时明
袁颍
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
1996年第4期55-59,共5页
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要因素之一。
关键词
硅锗合金
异质结构
双台面结构
双极晶体管
硅
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职称材料
多发射极Si/SiGe异质结晶体管
被引量：
1
2
作者
邹德恕
袁颖
+7 位作者
史辰
徐晨
杜金玉
陈建新
董欣
王东风
高国
沈光地
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期179-181,共3页
在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_...
在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_x/Si为纵向结构,梳状10指发射区为横向结构的异质结晶体管,利用双台面工艺方法制造出具有如下参数的器件:电流增益β=26、V_(CB)=7V、I_(CM)≥180mA、f_T≤ 2GHz,实现了高频大功率,充分显示出Si/Si_(1-x)Ge_x材料的优越性。
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关键词
Si/
sige
异质结双极晶体管
梳状结构
双台面工艺
功率晶体管
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职称材料
题名
f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管
被引量：
1
1
作者
邹德恕
陈建新
高国
沈光地
杜金玉
王东凤
张时明
袁颍
机构
北京工业大学和北京市光电子技术实验室
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
1996年第4期55-59,共5页
基金
国家自然科学基金
国家科委"八六三计划"
北京市科委高技术资助项目
文摘
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要因素之一。
关键词
硅锗合金
异质结构
双台面结构
双极晶体管
硅
Keywords
sige alloy
,
heterostructure
,
double mesa structure
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
多发射极Si/SiGe异质结晶体管
被引量：
1
2
作者
邹德恕
袁颖
史辰
徐晨
杜金玉
陈建新
董欣
王东风
高国
沈光地
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第2期179-181,共3页
基金
国家自然科学基金(6989260-06)
国家"973"基金(G2000683-02)
文摘
在硅衬底上外延生长一层Si_(1-x)Ge_x合金材料,它的带隙随组分x的增加而变窄,如果用Si_(1-x)Ge_x窄带材料作晶体管基区,利用硅作为集电极和发射极构成双极晶体管,就可以很容易实现器件的高频、高速、大功率。设计了一种以Si/Si_(1-x)Ge_x/Si为纵向结构,梳状10指发射区为横向结构的异质结晶体管,利用双台面工艺方法制造出具有如下参数的器件:电流增益β=26、V_(CB)=7V、I_(CM)≥180mA、f_T≤ 2GHz,实现了高频大功率,充分显示出Si/Si_(1-x)Ge_x材料的优越性。
关键词
Si/
sige
异质结双极晶体管
梳状结构
双台面工艺
功率晶体管
Keywords
Si/
sige
HBTs
comb
structure
double
-
mesa
technological process
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
f_T为9GHz的SiGe／Si异质结双极晶体管
邹德恕
陈建新
高国
沈光地
杜金玉
王东凤
张时明
袁颍
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
1996
1
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职称材料
2
多发射极Si/SiGe异质结晶体管
邹德恕
袁颖
史辰
徐晨
杜金玉
陈建新
董欣
王东风
高国
沈光地
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2003
1
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