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一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管被引量：3: 1; 作者高吴昊陈万军 +7 位作者刘超陶宏夏云谯彬施宜军邓小川李肇基张波《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期276-280,312,共6页; 门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸... 展开更多; 关键词 4H-sic 门极可关断(gto)晶闸管注入效率缓冲层脉冲功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展被引量：2: 2; 作者周才能岳瑞峰王燕《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期89-95,共7页; 由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十... 展开更多; 关键词碳化硅门极可关断晶闸管(gto) 结终端(JTE) 阻断电压少子寿命; 在线阅读下载PDF 职称材料

10kV高压SiC GTO模块的研制: 3; 作者李现兵杨同同 +5 位作者姚鹏钟期雨岳瑞峰王燕韩荣刚王亮《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第16期6368-6374,共7页; 文中提出一款基于自主设计的尺寸为8mm×8mm的10kV碳化硅(silicon carbide,SiC)门极可关断晶闸管(gate-turn-off thyristor,GTO)单芯片封装的焊接式模块。详细介绍10kV SiC GTO模块的设计与制造工艺,通过对比裸芯片与封装后模块在10... 展开更多; 关键词 sic 10kV sic门极可关断晶闸管模块开关时间极限通流; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于GTO的无触点有载自动调压分接开关的研究被引量：4: 4; 作者姚欣赵玉林 +1 位作者董守田郑娜《东北农业大学学报》 CAS CSCD 2008年第3期113-115,共3页; 文章介绍一种新型的无触点有载自动调压分接开关的构成和工作原理。本装置利用第二代电力电子元器件-门极可关断晶闸管(GTO)作为有载分接开关,控制电路以DSP技术为核心,辅以数据采集、软件滤波等功能,根据检测到的负载侧电压,与设定电... 展开更多; 关键词门极可关断晶闸管(gto) DSP 分接开关; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC电力电子学产业化技术的创新发展被引量：2: 5; 作者赵正平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期161-178,共18页; 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸... 展开更多; 关键词 sic单晶 sic二极管 sic金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) sic绝缘栅双极晶体管(IGBT) sic门极关断晶闸管(gto) sic功率模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续) 被引量：1: 6; 作者赵正平《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期249-265,287,共18页; 进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸... 展开更多; 关键词 sic单晶 sic二极管 sic金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) sic绝缘栅双极晶体管(IGBT) sic门极关断晶闸管(gto) sic功率模块; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管被引量：3: 1; 作者高吴昊陈万军刘超陶宏夏云谯彬施宜军邓小川李肇基张波; 机构电子科技大学电子科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第4期276-280,312,共6页; 文摘门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件。目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高。提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关断(IEB-GTO)晶闸管结构,相比于常规GTO晶闸管结构,该结构有着更高的阴极注入效率,从而减小了器件的导通电阻和功耗。仿真结果表明,当导通电流为1 000 A/cm^2时,IEB-GTO晶闸管的比导通电阻比常规GTO晶闸管下降了约45.5%;在脉冲峰值电流为6 000 A、半周期为1 ms的宽脉冲放电过程中,器件的最大导通压降比常规GTO晶闸管降低了约58.5%。; 关键词 4H-sic 门极可关断(gto)晶闸管注入效率缓冲层脉冲功率; Keywords 4H-sic gate turn-off(gto) thyristor injection efficiency buffer layer pulse power; 分类号 TN34 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展被引量：2: 2; 作者周才能岳瑞峰王燕; 机构清华大学微电子学研究所; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第2期89-95,共7页; 文摘由于SiC材料的理想特性使SiC门极可关断晶闸管(GTO)的发展受到广泛关注。SiC GTO是一种用于控制大电流的高功率开关器件,具有开关速度高、功耗低以及控制电路的复杂程度低等优点,在高压、高温开关电路应用中有着独特的优势。阐述了近十几年来SiC GTO的研究进展,在介绍SiC GTO的等效模型和工作原理的基础上,重点介绍了SiC GTO在阻断电压、传导电流、正向压降和载流子寿命调控等方面的研究现状,详细讨论了提高SiC GTO阻断性能的5种不同的结终端技术和实现载流子寿命调控的具体方法,给出了典型SiC GTO器件的传导电流和正向压降,并对影响CTO性能的主要因素进行了分析。同时,对SiC GTO的未来发展趋势进行了展望。; 关键词碳化硅门极可关断晶闸管(gto) 结终端(JTE) 阻断电压少子寿命; Keywords sic gate turn-off thyristors （gto） junction termination extension （JTE） breakdown voltage minority carrier lifetime; 分类号 TN335 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名10kV高压SiC GTO模块的研制: 3; 作者李现兵杨同同姚鹏钟期雨岳瑞峰王燕韩荣刚王亮; 机构清华大学集成电路学院国网智能电网研究院有限公司; 出处《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第16期6368-6374,共7页; 基金北京市科委重点支持项目(Z201100004020002)。; 文摘文中提出一款基于自主设计的尺寸为8mm×8mm的10kV碳化硅(silicon carbide,SiC)门极可关断晶闸管(gate-turn-off thyristor,GTO)单芯片封装的焊接式模块。详细介绍10kV SiC GTO模块的设计与制造工艺,通过对比裸芯片与封装后模块在10.5kV阻断电压下的漏电流,验证模块绝缘设计冗余和封装工艺,对模块的动态、静态、极限过流能力、关断增益等性能进行测试并给出初步测试结果。; 关键词 sic 10kV sic门极可关断晶闸管模块开关时间极限通流; Keywords silicon carbide(sic) 10kV sic gate-turn-off thyristor(gto)module switching times the maximum current; 分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于GTO的无触点有载自动调压分接开关的研究被引量：4: 4; 作者姚欣赵玉林董守田郑娜; 机构东北农业大学工程学院; 出处《东北农业大学学报》 CAS CSCD 2008年第3期113-115,共3页; 基金黑龙江省2005年研究生创新科研项目(YJSCX2005-198HCJ); 文摘文章介绍一种新型的无触点有载自动调压分接开关的构成和工作原理。本装置利用第二代电力电子元器件-门极可关断晶闸管(GTO)作为有载分接开关,控制电路以DSP技术为核心,辅以数据采集、软件滤波等功能,根据检测到的负载侧电压,与设定电压比较,自动的发出GTO的控制脉冲,有效调节GTO的导通与关断,实现有载分接开关的变换,达到自动稳定二次侧输出电压的目的。本分接开关适用于配电变压器,具有响应速度快,可频繁调节,工作可靠,造价低的特点。; 关键词门极可关断晶闸管(gto) DSP 分接开关; Keywords Gate turn-off thyristor（gto） DSP tapping switch; 分类号 TP17 [自动化与计算机技术—控制理论与控制工程] TN342.4 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC电力电子学产业化技术的创新发展被引量：2: 5; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第3期161-178,共18页; 文摘进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸SiC单晶,低成本SiC功率器件制造,SiC二极管、SiC MOSFET、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和SiC门极关断晶闸管(GTO)等功率器件,SiC封装和模块,以及高开关频率SiC器件的应用创新等产业化技术方面的最新进展。其中包含了大尺寸SiC单晶生长技术,基于商用Si CMOS生产线的SiC功率器件制备新工艺,SiC二极管的新结构与新工艺,SiC MOSFET的超级结结构、FinFET结构、高k介质栅与可靠性技术,SiC IGBT和SiC GTO的n沟道新器件及载流子寿命增强新工艺,SiC功率模块的设计与新装联工艺,SiC功率器件应用的新拓扑结构,栅极驱动电路与抑制寄生效应的新技术等。分析和评价了SiC电力电子学产业化的发展态势。; 关键词 sic单晶 sic二极管 sic金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) sic绝缘栅双极晶体管(IGBT) sic门极关断晶闸管(gto) sic功率模块; Keywords sic single crystal sic diode sic metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET) sic insulate gate bipolar transistor(IGBT) sic gate turn-off thyristor(gto) sic power module; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续) 被引量：1: 6; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第4期249-265,287,共18页; 文摘进入21世纪后,宽禁带半导体SiC电力电子学发展迅速,SiC二极管和SiC金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)先后进入商品化,在电动汽车等绿色能源的应用发展的带动下,SiC电力电子学进入产业化快速发展阶段。介绍了SiC电力电子学在大尺寸SiC单晶,低成本SiC功率器件制造,SiC二极管、SiC MOSFET、SiC绝缘栅双极晶体管(IGBT)和SiC门极关断晶闸管(GTO)等功率器件,SiC封装和模块,以及高开关频率SiC器件的应用创新等产业化技术方面的最新进展。其中包含了大尺寸SiC单晶生长技术,基于商用Si CMOS生产线的SiC功率器件制备新工艺,SiC二极管的新结构与新工艺,SiC MOSFET的超级结结构、FinFET结构、高k介质栅与可靠性技术,SiC IGBT和SiC GTO的n沟道新器件及载流子寿命增强新工艺,SiC功率模块的设计与新装联工艺,SiC功率器件应用的新拓扑结构,栅极驱动电路与抑制寄生效应的新技术等。分析和评价了SiC电力电子学产业化的发展态势。; 关键词 sic单晶 sic二极管 sic金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET) sic绝缘栅双极晶体管(IGBT) sic门极关断晶闸管(gto) sic功率模块; Keywords sic single crystal sic diode sic metal-oxide-semiconductor field effect transistor(MOSFET) sic insulate gate bipolar transistor(IGBT) sic gate turn-off thyristor(gto) sic power module; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学] TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	一种带有注入增强缓冲层的4H-SiC GTO晶闸管	高吴昊陈万军刘超陶宏夏云谯彬施宜军邓小川李肇基张波	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	3	在线阅读下载PDF 职称材料
2	碳化硅门极可关断晶闸管的研究进展	周才能岳瑞峰王燕	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	10kV高压SiC GTO模块的研制	李现兵杨同同姚鹏钟期雨岳瑞峰王燕韩荣刚王亮	《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心	2023	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于GTO的无触点有载自动调压分接开关的研究	姚欣赵玉林董守田郑娜	《东北农业大学学报》 CAS CSCD	2008	4	在线阅读下载PDF 职称材料
5	SiC电力电子学产业化技术的创新发展	赵正平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	SiC电力电子学产业化技术的创新发展(续)	赵正平	《半导体技术》 CAS 北大核心	2022	1	在线阅读下载PDF 职称材料