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激光等离子体气相合成纳米SiC陶瓷粉末 被引量:1
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作者 马连喜 周怡 付广生 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第S2期349-350,共2页
用TEA(Transversely-excitedAtrnosphere-pressure)CO2激光辐照SiH4-Ar-CH4,SiH4-Ar-C2H4,SiH4-Ar-C2H6,SiH4-Ar-C3H6等源反应气体,产生等离子体合成出纳米级的陶瓷粉末SiC。颗粒大小约为几十纳米,呈球形,不团聚或呈轻微链状团... 用TEA(Transversely-excitedAtrnosphere-pressure)CO2激光辐照SiH4-Ar-CH4,SiH4-Ar-C2H4,SiH4-Ar-C2H6,SiH4-Ar-C3H6等源反应气体,产生等离子体合成出纳米级的陶瓷粉末SiC。颗粒大小约为几十纳米,呈球形,不团聚或呈轻微链状团聚,且粒度分布均匀。利用多种仪器检测了粉末的物理化学性质,研究了合成参量的变化对粉末产率及物理化学性质的影响,得到了最佳工艺条件。还对反应成核及生长过程进行了讨论。 展开更多
关键词 气相合成 等离子体 sic超细粉末
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