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题名双面散热SiC功率模块温度均匀性和开关特性评估
被引量：1
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作者
廖淑华
周锦源
李敏
雷光寅
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机构
复旦大学工程与应用技术研究院超越照明所
复旦大学宁波研究院
中汽创智科技有限公司
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出处
《电源学报》
CSCD
北大核心
2024年第3期100-110,共11页
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文摘
碳化硅MOSFET因其材料特性被广泛应用于新能源汽车的高压、高频和高功率密度场合。在考虑双面水冷散热过程,往往忽略芯片布局间距对于散热以及芯片温度均匀性的影响,未考虑芯片温度均匀性对于多芯片并联电流均匀性的影响。针对上述问题,设计一种双面水冷的封装结构,分析不同芯片布局间距对芯片温度均匀性的影响,分析不同结温及不同芯片布局对寄生参数及开关特性的影响,并针对不同芯片布局间距和不同液冷工况,采用大量仿真及响应面对比分析,验证了所提方法的有效性,为SiC功率模块封装对芯片温度均匀性及开关特性的影响提供技术方法指导和定量分析。
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关键词
sic双面水冷模块
芯片布局
温度均匀性
开关特性
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Keywords
sic double-sided cooling module
chip layout
temperature uniformity
switching characteristics
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分类号
TM23
[一般工业技术—材料科学与工程]
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