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SiC/SiO_2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响
被引量：
1
1
作者
刘莉
杨银堂
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期392-396,共5页
为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量...
为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量级的横向表面粗糙度(峰对峰,谷对谷)不会影响电子平均自由程为纳米数量级的沟道电子在SiC MOS器件沟道中的迁移运动,在高温退火过程中,碳膜的是否存在对表面粗糙度和NMOS电容SiC/SiO_2界面态密度没有影响,而且NMOSFET器件的场效应迁移率没有发生太大的变化.
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关键词
sic/sio2界面粗糙度
界面
态密度
场效应迁移率
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职称材料
SiO_2/SiC界面过渡区结构研究
被引量：
1
2
作者
朱巧智
王德君
+1 位作者
赵亮
李秀圣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期259-261,共3页
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界...
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。
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关键词
sio
2/
sic
界面
4H-
sic
变角X射线光电子能谱
缺陷
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职称材料
题名
SiC/SiO_2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响
被引量：
1
1
作者
刘莉
杨银堂
机构
西安电子科技大学微电子学院
出处
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第2期392-396,共5页
基金
国家自然科学基金青年基金资助项目(61404096)
国家自然科学基金重点资助项目(61334003)
文摘
为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量级的横向表面粗糙度(峰对峰,谷对谷)不会影响电子平均自由程为纳米数量级的沟道电子在SiC MOS器件沟道中的迁移运动,在高温退火过程中,碳膜的是否存在对表面粗糙度和NMOS电容SiC/SiO_2界面态密度没有影响,而且NMOSFET器件的场效应迁移率没有发生太大的变化.
关键词
sic/sio2界面粗糙度
界面
态密度
场效应迁移率
Keywords
sic/
sio
2
interface roughness
interface states
electrical effect mobility
分类号
TN43 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
SiO_2/SiC界面过渡区结构研究
被引量：
1
2
作者
朱巧智
王德君
赵亮
李秀圣
机构
大连理工大学电子与信息工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第S1期259-261,共3页
基金
国家科技部重大基础研究前期研究专项基金(2005CCA00100)
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0278)
+1 种基金
教育部留学回国人员科研启动基金(20071108)
辽宁省自然科学基金(20072192)
文摘
采用高温热氧化法在4H-SiC(0001)晶面上生成SiO2膜,使用质量分数为1%的HF酸刻蚀该氧化膜,制备出超薄(1～1.5nm)SiO2/SiC界面样品。采用变角X射线光电子能谱(ADXPS)技术对样品进行分析,分析结果显示,高温氧化形成的SiO2/4H-SiC(0001)界面过渡区的成分分布情况,适合用一个分层模型来描述,进而建立了过渡区成分分布的原子级结构模型。
关键词
sio
2/
sic
界面
4H-
sic
变角X射线光电子能谱
缺陷
Keywords
sio
2
/
sic
interface
4H-
sic
ADXPS
defect
分类号
TN304.24 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
SiC/SiO_2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响
刘莉
杨银堂
《浙江大学学报（工学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
SiO_2/SiC界面过渡区结构研究
朱巧智
王德君
赵亮
李秀圣
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
在线阅读
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职称材料
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