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高性能透波Si_3N_4-BN基陶瓷复合材料的研究 被引量:45
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作者 张伟儒 王重海 +2 位作者 刘建 高芳 范景林 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第3期3-6,共4页
采用气氛压力烧结工艺 (GPS)研制出了高性能透波Si3 N4-BN基陶瓷复合材料。研究了BN含量对复合材料力学和介电性能的影响规律 ,分析了该材料的显微结构特点。实验结果表明 :含有 30 %BN的Si3 N4-BN复合材料 ,其室温抗弯强度 (σRT)为 16... 采用气氛压力烧结工艺 (GPS)研制出了高性能透波Si3 N4-BN基陶瓷复合材料。研究了BN含量对复合材料力学和介电性能的影响规律 ,分析了该材料的显微结构特点。实验结果表明 :含有 30 %BN的Si3 N4-BN复合材料 ,其室温抗弯强度 (σRT)为 16 0MPa ,弹性模量 (E)为 99GPa ,介电常数 (ε)为 4 0左右。 展开更多
关键词 透波 si3n4-bn基陶瓷 复合材料 力学性能 介电性能
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反应烧结制备Si_3N_4-BN复合材料性能的研究 被引量:7
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作者 于建宾 钱凡 +2 位作者 刘国齐 马天飞 杨文刚 《耐火材料》 CAS 北大核心 2014年第1期26-28,共3页
以粒度≤45μm、w(Si)>98%的Si粉,粒度≤5μm、w(BN)=99%的h-BN,粒度≤45μm、w(Si3N4)=95%的Si3N4粉为原料,采用等静压成型,氮化反应烧结工艺制备了Si3N4-BN复合材料,研究了Si粉添加量(w)分别为15%、30%、45%时对材料常温性能、高... 以粒度≤45μm、w(Si)>98%的Si粉,粒度≤5μm、w(BN)=99%的h-BN,粒度≤45μm、w(Si3N4)=95%的Si3N4粉为原料,采用等静压成型,氮化反应烧结工艺制备了Si3N4-BN复合材料,研究了Si粉添加量(w)分别为15%、30%、45%时对材料常温性能、高温性能及抗钢液侵蚀性的影响。结果表明:随Si粉添加量的增加,Si3N4-BN复合材料常温强度及高温强度增加,但Si粉添加量(w)为45%时,Si3N4-BN复合试样内存在少量的残Si;Si3N4-BN复合材料具有较低的热膨胀系数及优异的抗钢液侵蚀性能。 展开更多
关键词 si3n4-bn 反应烧结 抗侵蚀性
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h-BN/Si_3N_4陶瓷复合材料的断裂行为及断裂韧性 被引量:8
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作者 魏大庆 孟庆昌 贾德昌 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期229-232,共4页
以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比... 以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比均下降;未加h-BN时,β-Si3N4陶瓷以沿晶断裂为主,添加体积含量为6%和8%的h-BN后,复合材料出现明显的沿晶和穿晶断裂,而添加10%h-BN的陶瓷复合材料则以沿晶断裂为主.随着h-BN含量增加,h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的断裂韧性下降,但由于h-BN颗粒对裂纹扩展的影响,因而其下降程度不大. 展开更多
关键词 h-bn/si3n4陶瓷复合材料 显微结构 β-si3n4晶粒 断裂行为 断裂韧性
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基于多孔Si_3N_4陶瓷基底BN涂层制备与表征 被引量:1
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作者 于方丽 杨建锋 白宇 《中国陶瓷》 CSCD 北大核心 2017年第8期11-15,共5页
在多孔氮化硅陶瓷(Si_3N_4)表面制备氮化硼(BN)涂层,可以提高天线罩的多方面性能,其研究具有重要的工程应用价值。以硼酸(H_3BO_3)及碳黑为原料,利用两种方法制备BN涂层,一种方法是在氮化硅基体表面涂覆H_3BO_3与炭黑,然后在氮气气氛下... 在多孔氮化硅陶瓷(Si_3N_4)表面制备氮化硼(BN)涂层,可以提高天线罩的多方面性能,其研究具有重要的工程应用价值。以硼酸(H_3BO_3)及碳黑为原料,利用两种方法制备BN涂层,一种方法是在氮化硅基体表面涂覆H_3BO_3与炭黑,然后在氮气气氛下烧结制备BN涂层(简称一步法);另一种方法采用H_3BO_3分解在多孔Si_3N_4基体表面制备B_2O_3涂层,然后利用碳热还原反应将B2O3涂层转变为BN涂层(简称两步法),通过X射线衍射分析(XRD)观察了涂层的物相组成,扫描电镜(SEM)观察涂层的形貌及涂层与基体的结合情况。研究结果表明:两种方法制备的涂层由BN组成,无残余B_2O_3,其中一步法制备的涂层表面粗糙,存在大量裂纹和气孔,涂层厚度较厚,大约17μm;两步法制备的涂层结构致密,表面光滑,涂层厚度约为2μm,且与基体结合良好。 展开更多
关键词 多孔氮化硅 氮化硼 涂层 制备 表征
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