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新型Si_3N_4/TiC_(nano)复合陶瓷材料的性能与烧结温度的关系
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作者 黄新平 孙佩琴 +2 位作者 吕宝军 李爱芝 李同云 《莱阳农学院学报》 2003年第2期146-148,共3页
利用热压烧结方式制备了新型Si3N4/TiCnano复合陶瓷材料,研究了纳米TiC对Si3N4基复合陶瓷材料的增韧补强作用与烧结温度的关系,通过对材料致密化程度和晶粒微观结构随烧结温度变化的研究,探讨了烧结温度对材料力学性能的影响机理。
关键词 si3n4/ticnano复合陶瓷材料 氮化硅 碳化钛 纳米复合材料 增韧补强作用 烧结温度 力学性能 致密化程度 晶粒微观结构
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陶瓷材料的韧化及其增韧机理(二)——SiC、Si_3N_4陶瓷和陶瓷复合材料的韧化 被引量:2
2
作者 金志浩 王笑天 《兵器材料科学与工程》 CAS 1988年第2期49-56,共8页
本文主要综述了晶粒形状、晶粒大小、晶界特性、气孔率和超显微结构对SiC、Si_3^-N_4陶瓷韧化的影响规律及作用机制;另外还分析了陶瓷复合材料和晶须的强韧化机理,主要介绍了裂纹转向机理、晶须(或纤维)拉脱机理及复合增韧机理。
关键词 陶瓷材料 断裂韧性值 si3n4 增韧机理 siC 韧化 陶瓷复合材料 陶瓷复合材料
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Si_3N_4/(W,Ti)C复合陶瓷材料的制备及力学性能研究
3
作者 黄新平 赵军 +1 位作者 李霞 艾兴 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第17期1519-1522,共4页
采用热压烧结工艺制备了 Si3N4 /( W,Ti) C复合陶瓷材料 ,并对材料的配方及烧结工艺进行了优化。研究表明 ,材料中 ( W,Ti) C的体积分数为 35 %时 ,可以获得良好的力学性能 ,抗弯强度为 845 MPa,显微硬度达到 1 6.45 GPa,断裂韧性达到 7... 采用热压烧结工艺制备了 Si3N4 /( W,Ti) C复合陶瓷材料 ,并对材料的配方及烧结工艺进行了优化。研究表明 ,材料中 ( W,Ti) C的体积分数为 35 %时 ,可以获得良好的力学性能 ,抗弯强度为 845 MPa,显微硬度达到 1 6.45 GPa,断裂韧性达到 7.0 MPa· m1/2。研究过程中采用 XRD、SEM分析了材料的微观结构及组分变化 ,研究了烧结条件对材料性能的影响机理 ,结果表明 。 展开更多
关键词 si3n4 复合陶瓷 力学性能 微观结构 致密化
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高性能透波Si_3N_4-BN基陶瓷复合材料的研究 被引量:45
4
作者 张伟儒 王重海 +2 位作者 刘建 高芳 范景林 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2003年第3期3-6,共4页
采用气氛压力烧结工艺 (GPS)研制出了高性能透波Si3 N4-BN基陶瓷复合材料。研究了BN含量对复合材料力学和介电性能的影响规律 ,分析了该材料的显微结构特点。实验结果表明 :含有 30 %BN的Si3 N4-BN复合材料 ,其室温抗弯强度 (σRT)为 16... 采用气氛压力烧结工艺 (GPS)研制出了高性能透波Si3 N4-BN基陶瓷复合材料。研究了BN含量对复合材料力学和介电性能的影响规律 ,分析了该材料的显微结构特点。实验结果表明 :含有 30 %BN的Si3 N4-BN复合材料 ,其室温抗弯强度 (σRT)为 16 0MPa ,弹性模量 (E)为 99GPa ,介电常数 (ε)为 4 0左右。 展开更多
关键词 透波 si3n4-Bn陶瓷 复合材料 力学性能 介电性能
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h-BN/Si_3N_4陶瓷复合材料的断裂行为及断裂韧性 被引量:8
5
作者 魏大庆 孟庆昌 贾德昌 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期229-232,共4页
以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比... 以亚微米级α-Si3N4和h-BN粉末为原料,Y2O3-Al2O3为助烧剂,采用热压烧结制备了h-BN/Si3N4陶瓷复合材料.研究3h-BN含量对h-BN/Si3N4陶瓷复合材料断裂韧性及其断裂行为的影响.结果表明:随着h-BN含量增加,柱状β-Si3N4晶粒的直径和长径比均下降;未加h-BN时,β-Si3N4陶瓷以沿晶断裂为主,添加体积含量为6%和8%的h-BN后,复合材料出现明显的沿晶和穿晶断裂,而添加10%h-BN的陶瓷复合材料则以沿晶断裂为主.随着h-BN含量增加,h-BN/Si3N4陶瓷复合材料的断裂韧性下降,但由于h-BN颗粒对裂纹扩展的影响,因而其下降程度不大. 展开更多
关键词 h-Bn/si3n4陶瓷复合材料 显微结构 β-si3n4晶粒 断裂行为 断裂韧性
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碳纤维复合Si_3N_4陶瓷材料的制备及性能研究(英文)
6
作者 王贺云 刘茜 +2 位作者 周遥 周真真 刘光辉 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第9期1003-1008,共6页
为研究碳纤维(Cf)加入量对复合材料性能的影响,本研究以Y2O3为烧结助剂,采用热压烧结技术制备了Cf/Si3N4复合材料,其中碳纤维加入量为0、2wt%和5wt%。选用乙醇作分散介质,通过球磨工艺可有效分散短切碳纤维。研究结果表明:碳纤维在... 为研究碳纤维(Cf)加入量对复合材料性能的影响,本研究以Y2O3为烧结助剂,采用热压烧结技术制备了Cf/Si3N4复合材料,其中碳纤维加入量为0、2wt%和5wt%。选用乙醇作分散介质,通过球磨工艺可有效分散短切碳纤维。研究结果表明:碳纤维在复合材料中分散均匀,且材料中的晶粒在垂直于热压压力的方向呈现一定取向排列。高温烧结过程中,碳纤维与Si3N4或其表面的SiO2层发生反应,生成SiC中间层。适量碳纤维加入有助于提高复合材料的热导性能。当Cf加入量为2wt%时,Cf/Si3N4的热导率较高,为45.8 W/(m K);而不添加Cf的样品,其热导率为37.1 W/(m K)。加入Cf后,Cf/Si3N4的断裂韧性有小幅提高,维氏硬度在16.6-16.8 GPa范围内变化。 展开更多
关键词 Cf/si3n4复合材料 热压烧结 界面反应 热导 力学性能
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聚氨酯-Si_3N_4陶瓷复合材料浆体冲蚀磨损性能研究 被引量:5
7
作者 栾道成 丁武成 李茂华 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期268-271,共4页
利用聚四氢呋喃醚二醇和甲苯二异氰酸酯反应得到预聚体,将预聚体同经过表面处理的Si3N4陶瓷粉末共混,利用模压硫化和常温硫化制得聚氨酯-Si3N4陶瓷复合材料;采用LJ-500型拉力试验机测定了所制备的聚氨酯-Si3N4复合材料的抗拉强度和断裂... 利用聚四氢呋喃醚二醇和甲苯二异氰酸酯反应得到预聚体,将预聚体同经过表面处理的Si3N4陶瓷粉末共混,利用模压硫化和常温硫化制得聚氨酯-Si3N4陶瓷复合材料;采用LJ-500型拉力试验机测定了所制备的聚氨酯-Si3N4复合材料的抗拉强度和断裂伸长率;采用MSH型冲蚀磨损试验机对比考察了聚氨酯、2Cr13钢、45#钢及聚氨酯-Si3N4复合材料的抗冲蚀磨损性能;采用扫描电子显微镜观察了冲蚀磨损表面形貌,探讨了Si3N4陶瓷粉末增强聚氨酯弹性体的冲蚀磨损机理.结果表明:聚氨酯-Si3N4复合材料的抗冲蚀磨损性能显著优于2Cr13钢和45#钢;当Si3N4粉末质量分数为5%~10%时,相应的聚氨酯-Si3N4复合材料的抗冲蚀磨损能力同聚氨酯弹性体相比提高80%以上;聚氨酯/Si3N4陶瓷粉末复合材料主要冲蚀磨损机制为Si3N4聚集体或附聚体的溃裂脱落. 展开更多
关键词 聚氨酯 si3n4 复合材料 冲蚀磨损性能
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NbN/MoSi_2/Si_3N_4陶瓷复合材料氧化性能的研究
8
作者 沈建兴 李传山 +1 位作者 张雷 董金美 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期1025-1029,共5页
以NbN/MoSi2/Si3N4复合材料作为研究对象,研究了其在不同温度下的氧化性能。利用X射线衍射分析、扫描电镜分析和X光能谱分析,对复合材料的氧化产物进行了测定。结果表明试样在1150~1400℃温度范围内氧化出现了2个阶段,即0~15h线形快... 以NbN/MoSi2/Si3N4复合材料作为研究对象,研究了其在不同温度下的氧化性能。利用X射线衍射分析、扫描电镜分析和X光能谱分析,对复合材料的氧化产物进行了测定。结果表明试样在1150~1400℃温度范围内氧化出现了2个阶段,即0~15h线形快速氧化阶段,A、B氧化活化能分别为98kJ/mol和132kJ/mol,而15h以后为抛物线缓慢氧化阶段,A、B氧化活化能分别为426kJ/mol和492kJ/mol;气孔率越高,氧化越严重,快速氧化阶段持续时间越长。 展开更多
关键词 nBn MOsi2 si3n4 复合材料 氧化
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WC-Al_2O_3复合材料与Si_3N_4陶瓷和YG6硬质合金配副时的摩擦磨损行为 被引量:5
9
作者 苏庆德 朱世根 +2 位作者 丁浩 白云峰 狄平 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第3期50-54,共5页
采用真空热压烧结技术制备了WC-15%Al_2O_3(质量分数)复合材料,分别以Si_3N_4陶瓷和YG6硬质合金为配副,在载荷40,80N下进行了干滑动摩擦磨损试验,研究了复合材料的摩擦磨损性能。结果表明:与Si_3N_4陶瓷配副时复合材料的摩擦因数较高且... 采用真空热压烧结技术制备了WC-15%Al_2O_3(质量分数)复合材料,分别以Si_3N_4陶瓷和YG6硬质合金为配副,在载荷40,80N下进行了干滑动摩擦磨损试验,研究了复合材料的摩擦磨损性能。结果表明:与Si_3N_4陶瓷配副时复合材料的摩擦因数较高且波动较大,与YG6硬质合金配副时摩擦因数较低且相对稳定;与Si_3N_4陶瓷配副时,复合材料的磨损率在较低载荷下高于与YG6硬质合金配副时的,在较高载荷下则低于与YG6硬质合金配副时的;在载荷40,80N下,复合材料的磨损机制均主要为疲劳磨损,伴随着微裂纹、脆性断裂和晶粒拔出等特征。 展开更多
关键词 WC-Al2O3复合材料 si3n4陶瓷 YG6硬质合金 摩擦磨损
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Si_3N_4—SiC复相陶瓷及其碳纤维复合材料研究进展 被引量:2
10
作者 王建芳 郑文伟 +1 位作者 肖加余 陈朝辉 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2000年第2期7-10,共4页
介绍了不同工艺制备的Si3N4 、SiC的性能 ,研究了Si3N4 —SiC复相陶瓷及其碳纤维复合材料研究发展现状 ,认为Si3N4 —SiC复相陶瓷能够克服单一Si3N4 、SiC陶瓷断裂韧性低、烧结过程中晶粒长大造成强度下降等缺点 ,同时也弥补了SiC陶瓷... 介绍了不同工艺制备的Si3N4 、SiC的性能 ,研究了Si3N4 —SiC复相陶瓷及其碳纤维复合材料研究发展现状 ,认为Si3N4 —SiC复相陶瓷能够克服单一Si3N4 、SiC陶瓷断裂韧性低、烧结过程中晶粒长大造成强度下降等缺点 ,同时也弥补了SiC陶瓷强度较低的遗憾 ;而碳纤维的加入可以大大改善材料的韧性。认为结合Si3N4 —SiC复相陶瓷的高强度和碳纤维复合材料的高韧性 ,可以制备出性能优良的Cf/SiC—Si3N4 陶瓷基复合材料 。 展开更多
关键词 si3n4-siC 复相陶瓷 碳纤维复合材料 陶瓷 结构陶瓷
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Si_3N_4-SiC陶瓷材料的抗铜侵蚀性能 被引量:2
11
作者 温光宇 徐永东 +1 位作者 成来飞 张立同 《耐火材料》 CAS 北大核心 2004年第5期336-338,共3页
采用坩埚法研究了Si3 N4-SiC陶瓷材料在空气气氛中的抗铜侵蚀性能 ,侵蚀温度为 1130℃ ,时间为 2 5h ;选用铜熔炼用Si3 N4-SiC陶瓷塞棒在工厂实际生产环境中进行氮气气氛中的抗铜侵蚀试验 ,试验温度为 1130~ 115 0℃ ,时间是 4 0 0h。... 采用坩埚法研究了Si3 N4-SiC陶瓷材料在空气气氛中的抗铜侵蚀性能 ,侵蚀温度为 1130℃ ,时间为 2 5h ;选用铜熔炼用Si3 N4-SiC陶瓷塞棒在工厂实际生产环境中进行氮气气氛中的抗铜侵蚀试验 ,试验温度为 1130~ 115 0℃ ,时间是 4 0 0h。试验完成后 ,用XRD分析坩埚试样侵蚀层的相组成 ,用扫描电子显微镜观察坩埚试样侵蚀层的显微结构。结果表明 :在氮气气氛中 ,铜熔体含氧量低 ,Si3 N4-SiC材料具有优异的抗侵蚀性能。空气气氛中 ,铜熔体含氧量高 ,Si3 N4-SiC材料的抗侵蚀性能差。这是由于铜熔体中存在大量的Cu2 O ,促使Si3 N4快速氧化 ,生成SiO2 、N2 和Cu ,SiO2 熔入铜熔体中所致。 展开更多
关键词 si3n4-siC陶瓷材料 氮化硅 碳化硅 坩埚法 抗铜侵蚀 铜冶炼 扫描电镜
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无压浸渗制备Si_3N_4/Al复合材料的界面反应研究 被引量:11
12
作者 王扬卫 王富耻 +1 位作者 于晓东 李俊涛 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2006年第1期55-58,共4页
研究S i3N4多孔预制体的表面氧化程度对无压浸渗制备S i3N4/A l复合材料界面反应以及复合材料性能的影响是复合材料优化设计的基础。不同氧化程度的S i3N4多孔预制体在相同的浸渗工艺下无压浸渗制得S i3N4/A l复合材料,利用EDS,XRD和洛... 研究S i3N4多孔预制体的表面氧化程度对无压浸渗制备S i3N4/A l复合材料界面反应以及复合材料性能的影响是复合材料优化设计的基础。不同氧化程度的S i3N4多孔预制体在相同的浸渗工艺下无压浸渗制得S i3N4/A l复合材料,利用EDS,XRD和洛氏硬度计分别测定陶瓷多孔预制体的成份,复合材料的相组成和硬度。结果表明:S i3N4/A l复合材料组成相包括A l,S i3N4,A lN以及少量的S i,Mg2S i,MgO,MgA l2O4;随着氧化程度增加,复合材料内A lN相减少,MgO含量增加,并逐渐出现MgA l2O4相;复合材料的硬度随预制体的氧化程度增加而线性下降;预制体的氧化造成S i3N4和A l之间的反应减弱是硬度下降的重要原因。 展开更多
关键词 无压浸渗 复合材料 si3n4/Al 氧化 界面反应
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放电等离子快速烧结SiC晶须增强Si_3N_4BN层状复合材料 被引量:9
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作者 李翠伟 黄勇 +2 位作者 汪长安 汤珂 李淑琴 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期1220-1226,共7页
采用放电等离子烧结技术(SPS)快速烧结了SiC晶须增强的Si3N4/BN层状复合材料.利用SPS技术,在烧结温度为1650℃、保温15min的条件下,材料的密度可达3.18g/cm3,抗弯强度高达600MPa,断裂功达到3500J/m2.研究表明:特殊的层状结构、SiC晶须... 采用放电等离子烧结技术(SPS)快速烧结了SiC晶须增强的Si3N4/BN层状复合材料.利用SPS技术,在烧结温度为1650℃、保温15min的条件下,材料的密度可达3.18g/cm3,抗弯强度高达600MPa,断裂功达到3500J/m2.研究表明:特殊的层状结构、SiC晶须的拔出与折断是材料断裂功提高的主要原因.X射线衍射及扫描电子显微镜研究表明:α-Si3N4已经在短短的烧结过程中全部转变成长柱状的β-Si3N4,并且长柱状的β-Si3N4和SiC晶须具有明显的织构. 展开更多
关键词 siC 晶须增强 si3n4/Bn层状复合材料 放电等离子烧结 氮化硅 氮化硼 陶瓷
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连接压力在Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si_3N_4陶瓷中的作用机制 被引量:9
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作者 邹贵生 吴爱萍 +2 位作者 任家烈 任维佳 李盛 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期76-80,共5页
研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4 陶瓷时压力对接头形成的作用机制。结果表明 ,TLP来不及与陶瓷发生充分反应并形成高强度结合界面就已完全凝固 ,为形成高强度的结合界面 ,必须进一步发生固态扩散反应。只有当连接过程中施加足够... 研究了Ti/Ni/Ti复合层TLP扩散连接Si3N4 陶瓷时压力对接头形成的作用机制。结果表明 ,TLP来不及与陶瓷发生充分反应并形成高强度结合界面就已完全凝固 ,为形成高强度的结合界面 ,必须进一步发生固态扩散反应。只有当连接过程中施加足够的压力 ,才能保证TLP在其存在期间充分铺展陶瓷 ,并在TLP完全凝固后形成大量扩散通道 ,为固态扩散反应提供必要条件。 展开更多
关键词 压力 TLP扩散连接 si3n4陶瓷 Ti/ni/Ti复合
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以Cu-Ti复合渗镀为先导的Si_3N_4陶瓷/金属钎焊连接 被引量:8
15
作者 张红霞 王文先 +1 位作者 周翠兰 孟庆森 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期77-80,85,共5页
提出一种陶瓷表面多元离子复合渗镀合金化方法,采用该方法对S i3N4陶瓷表面进行Cu-Ti复合渗镀,然后在复合渗镀真空设备中进行渗镀Cu-Ti的S i3N4陶瓷与金属的钎焊。对S i3N4陶瓷表面的Cu-Ti渗镀合金层进行了EDS、XRD、SEM、OM测试分析和... 提出一种陶瓷表面多元离子复合渗镀合金化方法,采用该方法对S i3N4陶瓷表面进行Cu-Ti复合渗镀,然后在复合渗镀真空设备中进行渗镀Cu-Ti的S i3N4陶瓷与金属的钎焊。对S i3N4陶瓷表面的Cu-Ti渗镀合金层进行了EDS、XRD、SEM、OM测试分析和声发射划痕试验。结果表明,渗镀层中含有Cu、Ti、Fe、S i及A l元素,Cu、Ti分布比较均匀,渗镀合金层由Cu、CuTi2、TiS i2组成;声发射划痕试验结果表明,在100 N的最大载荷下,渗镀合金层与陶瓷基体未发生剥离和崩落现象。在100倍的光学显微镜及5000倍的电子显微镜下,钎焊接头中陶瓷/金属界面接合良好,无明显的宏观和微观缺陷。可在较低的真空度下实现陶瓷/金属钎焊,为陶瓷/金属钎焊连接提供了一个新方法。 展开更多
关键词 si3n4陶瓷 Cu—Ti复合渗镀 表面合金化 钎焊
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采用Ag-Cu-Ti+Mo复合钎料钎焊Si_3N_4陶瓷 被引量:8
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作者 贺艳明 王兴 +1 位作者 王国超 王天鹏 《焊接学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期59-62,116,共4页
采用Ag-Cu-Ti+Mo复合钎料连接Si3N4陶瓷,利用SEM,TEM,Nanoindentation研究了钎料内钼颗粒含量对接头组织和力学性能的影响.结果表明,在Si3N4/钎料界面处形成了一层致密的反应层,该反应层由TiN和Ti5Si3组成.接头的中间部分由银基固溶体... 采用Ag-Cu-Ti+Mo复合钎料连接Si3N4陶瓷,利用SEM,TEM,Nanoindentation研究了钎料内钼颗粒含量对接头组织和力学性能的影响.结果表明,在Si3N4/钎料界面处形成了一层致密的反应层,该反应层由TiN和Ti5Si3组成.接头的中间部分由银基固溶体、铜基固溶体、钼颗粒和Ti-Cu金属间化合物组成.借助于纳米压痕技术测定了接头内Ti-Cu化合物以及钎料金属的弹性模量和硬度值.随着钎料内钼颗粒含量的提高,母材/钎料界面反应层厚度逐渐降低;钎料金属中Ti-Cu化合物数量增多;此外,银和铜基固溶体组织逐渐变得细小.当添加5%Mo时,得到最高的接头强度429.4 MPa,该强度相比合金钎料提高了114.7%. 展开更多
关键词 si3n4陶瓷 钎焊 Ag-Cu-Ti+Mo复合钎料 纳米压痕 力学性能
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CVI制备C/Si_3N_4复合材料及其表征 被引量:6
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作者 刘永胜 成来飞 +2 位作者 张立同 徐永东 刘谊 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期1208-1214,共7页
以SICl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变... 以SICl4-NH3-H2为反应体系,采用化学气相渗透法CVI)制备C/Si3N4复合材料.渗透产物的能谱和X射线衍射表明渗透产物为非晶态Si3N4,经1350℃真空热处理后,产物仍然为非晶态Si3N4;经1450℃真空热处理后,产物已经发生晶型转变,由非晶态转变为晶态的α-Si3N4和β-Si3N4.渗透温度、渗透时间、气体流量对试样致密化、增重及微观结构的影响研究表明渗透温度为900℃、SiCl4流量为30mL/min、H2流量为100mL/min、NH3流量为80mL/min、渗透时间120h、系统压力1000Pa时,气体渗透进入碳布预制体后,在预制体内反应均匀,制备的复合材料较均匀. 展开更多
关键词 化学气相渗透(CVI) C/si3n4复合材料 微观结构 工艺参数
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Si_3N_4/SiC纳米复合陶瓷的微观结构 被引量:4
18
作者 孙东立 周朝霞 +2 位作者 杨德庄 平德海 李斗星 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 1998年第3期97-100,共4页
利用JEM2000EXⅡ高分辨电镜和HF2000冷场发射枪透射电镜对Si3N4SiC纳米复合陶瓷材料的微观组织、结构和成分进行了研究。结果表明,SiC颗粒弥散分布在基体相β-Si3N4晶内和晶界。晶内SiC颗粒与基体... 利用JEM2000EXⅡ高分辨电镜和HF2000冷场发射枪透射电镜对Si3N4SiC纳米复合陶瓷材料的微观组织、结构和成分进行了研究。结果表明,SiC颗粒弥散分布在基体相β-Si3N4晶内和晶界。晶内SiC颗粒与基体相的界面结构有三种类型:1)直接结合的界面;2)完全非晶态的界面;3)混合型的界面。晶间SiC颗粒与基体相的界面大部分是直接结合的。 展开更多
关键词 si3n4 siC 纳米级 复合陶瓷 微观结构 透射电镜
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Si-C-N_(np)/Si_3N_4复合材料的室温和高温显微结构与力学性能 被引量:9
19
作者 唐耿平 张长瑞 +1 位作者 冯坚 周新贵 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期30-32,共3页
以 Si- C- N纳米微粉为增强相 ,Si3N4 为基相 ,采用热压的方法制备了 Si Cp/ Si3N4 纳米复相陶瓷。应用扫描电镜 (SEM)、高分辨透射电镜 (HRTEM)对其结构进行了观察 ,并讨论了结构与性能之间的关系。结果表明 ,所得的 Si Cp/ Si3N4 复... 以 Si- C- N纳米微粉为增强相 ,Si3N4 为基相 ,采用热压的方法制备了 Si Cp/ Si3N4 纳米复相陶瓷。应用扫描电镜 (SEM)、高分辨透射电镜 (HRTEM)对其结构进行了观察 ,并讨论了结构与性能之间的关系。结果表明 ,所得的 Si Cp/ Si3N4 复相陶瓷的室温力学性能比氮化硅单相陶瓷有较大的提高 ,而 135 0℃断裂韧性达 14 .6 6 MPa· m1 / 2 。Si C微晶在晶粒内和在晶界玻璃相内的钉扎作用是材料高温性能提高的主要因素。 展开更多
关键词 si-C-nnp/si3n4复合材料 力学性能 si-C-n纳米微粉 显微结构 氮化硅 碳化硅 纳米复相陶瓷
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无压烧结制备Si_3N_4/SiO_2复合材料 被引量:7
20
作者 徐常明 王士维 +1 位作者 黄校先 郭景坤 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期935-938,共4页
以无压烧结工艺制备了Si3N4/SiO2复合材料.实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用.Si3N4含量为5vol%的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96.2MPa,断裂韧性为2.4MPa·m1/2,介电常数和介电损... 以无压烧结工艺制备了Si3N4/SiO2复合材料.实验结果表明:Si3N4颗粒对石英基体的析晶起到了抑制作用和增韧补强作用.Si3N4含量为5vol%的样品在1370℃烧结2h后,抗弯强度达到96.2MPa,断裂韧性为2.4MPa·m1/2,介电常数和介电损耗分别在3.63-3.68和1.29-1.75×10-3之间. 展开更多
关键词 天线罩 无压烧结 si3n4/siO2复合材料 力学性能 介电性能
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